技术特征：
1.一种等离子处理装置，其特征在于，具备：对样品进行等离子处理的处理室；将用于生成等离子的微波的高频电力经由波导路进行提供的高频电源；和在所述处理室的内部形成磁场的磁场形成机构，所述波导路具备：被填充液体的电介质的第一圆形波导管；和配置于所述第一圆形波导管的外侧且与所述第一圆形波导管配置于同轴上的第二圆形波导管。2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，所述等离子处理装置还具备：控制装置，其控制所述电介质的液面高度以使得在所述第一圆形波导管传播的微波电力与在所述第二圆形波导管传播的微波电力之比成为所期望的比。3.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，所述波导路还具备：配置于所述第一圆形波导管的上方的圆形波导管，所述圆形波导管的内径比第二圆形波导管的内径小。4.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，所述第一圆形波导管的半径比在内部填充相对介电常数为2的所述电介质的情况下的阻断微波电力的半径大，且比内部为空气的情况下的阻断微波电力的半径小。5.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，所述第一圆形波导管的半径比在内部填充相对介电常数为2的所述电介质的情况下的阻断微波电力的半径大，且比内部为空气的情况下的阻断微波电力的半径小。6.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，所述控制装置在将在所述第一圆形波导管中传播的微波电力相对于在所述第二圆形波导管中传播的微波电力的比设置得大的情况下，控制所述液面高度，以使得所述液面高度变高。7.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，所述控制装置根据在所述第一圆形波导管中传播的微波电力与在所述第二圆形波导管中传播的微波电力之比与所述液面高度的相关关系来控制所述液面高度，所述相关关系是大致线性。8.根据权利要求3所述的等离子处理装置，其特征在于，所述微波的频率是2.45ghz，所述第一圆形波导管的半径比在内部填充相对介电常数为2的所述电介质的情况下的阻断微波电力的半径大，且比内部为空气的情况下的阻断微波电力的半径小。9.根据权利要求5所述的等离子处理装置，其特征在于，所述微波的频率是2.45ghz，所述波导路还具备：配置于所述第一圆形波导管的上方的圆形波导管，所述圆形波导管的内径比所述第二圆形波导管的内径小。10.一种微波电力控制系统，控制等离子处理装置的微波电力，其特征在于，所述离子处理装置具备：
对样品进行等离子处理的处理室；将用于生成等离子的微波的高频电力经由波导路进行提供的高频电源；和在所述处理室的内部形成磁场的磁场形成机构，所述波导路具备：被填充液体的电介质的第一圆形波导管；和配置于所述第一圆形波导管的外侧并与所述第一圆形波导管配置于同轴上的第二圆形波导管，通过控制所述电介质的液面高度，来控制在所述第一圆形波导管中传播的微波电力与在所述第二圆形波导管中传播的微波电力之比。
技术总结
为了能不仅解决蚀刻处理的面内均匀性还解决充电损坏的减低这样的课题而进行自由度高的等离子密度分布控制，等离子处理装置在内部具备对基板进行等离子处理的等离子处理室，并具备：能将该等离子处理室的内部排气成真空的真空腔；和具备微波源和圆形波导管并将从微波源振荡的微波电力经由圆形波导管提供到真空腔的微波电力提供部，在该等离子处理装置中，微波电力提供部在圆形波导管与真空腔之间配置与圆形波导管在同轴上同心状配置且内部具有不同介电常数的多个波导管而构成。具有不同介电常数的多个波导管而构成。具有不同介电常数的多个波导管而构成。
技术研发人员：许振斌 田村仁
受保护的技术使用者：株式会社日立高新技术
技术研发日：2020.04.30
技术公布日：2022/1/4