显示设备及制造其的方法与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年1月30日提交的第10-2020-0011177号韩国专利申请和于2020年11月19日提交的第10-2020-0155637号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，所述所有韩国专利申请中的全部内容通过引用在此并入，如同在本文中完全阐述一样。

本公开涉及显示设备及制造其的方法。

背景技术：

近来，随着对信息显示的兴趣增加，已经持续进行了对显示设备的研究和开发。

技术实现要素：

本公开的方面提供显示设备及制造其的方法，在显示设备中，可以通过将发光元件布置在精确的位置中来改善可靠性。

本公开的另一方面提供可以改善电信号的可靠性的显示设备。

本公开的方面不限于上述方面，并且本领域技术人员将从以下描述清楚地理解未提及的其他方面。

根据本公开的一些实施方式，显示设备，包括：衬底；第一电极和第二电极，在衬底上并且沿着第一方向彼此隔开第一距离；第三电极和第四电极，分别在第一电极和第二电极上并且沿着第一方向彼此隔开第二距离；以及发光元件，在平面图中位于第三电极和第四电极之间。第二距离可大于第一距离。

在一些实施方式中，发光元件在第一方向上的长度可以大于第一距离且小于第二距离，并且第一电极的至少一部分和第二电极的至少一部分可以与发光元件重叠。

在一些实施方式中，第一电极和第二电极可以包括相同的材料，并且第三电极和第四电极可以包括不同于第一电极和第二电极的材料。

在一些实施方式中，第一电极和第二电极可以包括铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化锌(zno)和铟锡锌氧化物(itzo)中的至少一种。

在一些实施方式中，第三电极和第四电极可以包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti和cu中的至少一种。

在一些实施方式中，第三电极可以接触第一电极，并且第四电极可以接触第二电极。

在一些实施方式中，显示设备还包括在第三电极和第四电极上的第一绝缘层。发光元件可以在第一绝缘层上。

在一些实施方式中，显示设备还包括在第一绝缘层上并且沿着第一方向彼此隔开的第一绝缘图案和第二绝缘图案。发光元件可以在第一绝缘图案和第二绝缘图案之间。

在一些实施方式中，显示设备还包括接触第一电极和发光元件的第一端的第五电极以及接触第二电极和发光元件的第二端的第六电极。

在一些实施方式中，第五电极和第六电极可以在第一绝缘层上，第一绝缘层和第三电极可以包括暴露第一电极的至少一部分的第一开口，第一绝缘层和第四电极可以包括暴露第二电极的至少一部分的第二开口，第五电极可以通过第一开口连接至第一电极，并且第六电极可以通过第二开口连接至第二电极。

在一些实施方式中，显示设备还包括在发光元件上的锚固层。锚固层可接触发光元件的外周表面的至少一部分，并暴露发光元件的第一端和第二端。

在一些实施方式中，显示设备还包括：第一堤，在第一电极与衬底之间，并且与第一电极和第三电极重叠；以及第二堤，在第二电极与衬底之间，并且与第二电极和第四电极重叠。

在一些实施方式中，显示设备还包括：第一堤和第二堤，在第一绝缘层上且各自具有在发光元件的显示方向上突出的形状。第一开口可以位于第一堤和发光元件之间，并且第二开口可以位于第二堤与发光元件之间。

根据本公开的另一实施方式，制造显示设备的方法包括：在衬底上依次形成第一导电层和第二导电层；刻蚀第一导电层以形成沿着第一方向彼此隔开第一距离的第一电极和第二电极，并且刻蚀第二导电层以形成沿着第一方向彼此隔开第二距离的第三电极和第四电极；在第三电极和第四电极上形成绝缘层；以及在绝缘层上对准发光元件。第二距离可以大于第一距离，并且发光元件在平面图中可以对准在第三电极与第四电极之间。

在一些实施方式中，发光元件在第一方向上的长度可以大于第一距离并且小于第二距离，并且第一电极的至少一部分和第二电极的至少一部分可以与发光元件重叠。

在一些实施方式中，形成第一电极至第四电极包括：刻蚀第一导电层和第二导电层；通过执行用于加热衬底的烘烤工艺，使第一电极和第二电极结晶；以及通过另外蚀刻已被蚀刻的第二导电层来形成第三电极和第四电极。

该方法还包括：在第三电极和绝缘层中形成第一开口；以及在第四电极和绝缘层中形成第二开口。

该方法还包括在绝缘层上形成第五电极和第六电极。形成第五电极和第六电极可以包括通过第一开口使第五电极与第一电极接触；以及通过第二开口使第六电极与第二电极接触。

该方法还包括在绝缘层上形成各自具有在发光元件的显示方向上突出的形状的第一堤和第二堤。第一开口可以位于第一堤和发光元件之间，并且第二开口可以位于第二堤与发光元件之间。

在一些实施方式中，形成绝缘层还包括在绝缘层上形成沿着第一方向彼此隔开的第一绝缘图案和第二绝缘图案。发光元件可以在第一绝缘图案和第二绝缘图案之间。

根据又一实施方式，显示设备包括：衬底；第一电极和第二电极，在衬底上；第三电极，在第一电极上，并且具有暴露第一电极的至少一部分的第一开口；第四电极，在第二电极上，并且具有暴露第二电极的至少一部分的第二开口；发光元件，当在平面上观察时位于第三电极和第四电极之间，并且能够在显示方向上发光；第五电极，具有电连接到发光元件的一端的至少一部分，并且第五电极在第三电极上；以及第六电极，具有电连接到发光元件的另一端的至少一部分，并且第六电极在第四电极上。第五电极可以通过第一开口连接到第一电极，并且第六电极可以通过第二开口连接到第二电极。

在一些实施方式中，第一电极和第五电极包括第一材料，并且第二电极和第六电极包括第二材料。

在一些实施方式中，第一材料和第二材料包括铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化锌(zno)和铟锡锌氧化物(itzo)中的至少一种。

显示设备还包括：发射区域，光可以通过发射区域发射；非发射区域，非发射区域是不同于发射区域的区域；以及分隔壁，具有在显示方向上突出的形状并且限定发射区域。第一开口和第二开口可以在非发射区域中。

显示设备包括与分隔壁重叠的第一开口和第二开口。

在一些实施方式中，非发射区域包括第一电极或第二电极的至少一部分被切割的区域。

显示设备还包括布置在发射区域中并且具有在显示方向上突出的形状的堤。第一电极和第二电极中的每一个的至少一部分可以位于堤上，并且第一开口和第二开口可以不与堤重叠。

用于解决本公开的问题的手段不限于上述解决方案。根据本公开和附图，本领域普通技术人员将清楚地理解未提及的解决方案。

附图说明

附图示出了本发明构思的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明构思的原理，附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解，并且并入本说明书中并构成本说明书的一部分。

图1和图2是根据本公开的一个或多个实施方式的发光元件的部分切除(cutaway)的立体图。

图3是示出根据本公开的一个或多个实施方式的显示设备的平面图。

图4至图6是示出根据本公开的一个或多个实施方式的像素的电路图。

图7是示出根据本公开的另一实施方式的像素的电路图。

图8是示意性地示出根据本公开的一个或多个实施方式的像素的平面图。

图9是沿着图8的线i-i'截取的剖视图。

图10是示意性地示出根据本公开的另一实施方式的像素的平面图。

图11是沿着图10的线ii-ii'截取的剖视图。

图12是示意性地示出根据本公开的又一实施方式的像素的平面图。

图13是沿着图12的线iii-iii'截取的剖视图。

图14是示意性地示出根据本公开的又一实施方式的像素的平面图。

图15是沿着图14的线iv-iv'截取的剖视图。

图16是示意性地示出根据本公开的又一实施方式的像素的平面图。

图17和图18是沿着图16的线v-v'截取的剖视图。

图19至图31是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示设备的方法的剖视图。

具体实施方式

从以下参考附图描述的示例性实施方式，将更清楚地理解本公开方面和特征以及用于实现本公开的方法。然而，本公开不限于以下示例性实施方式，而是可以以各种不同的形式来实现。提供示例性实施方式仅用于完善本公开的公开内容并完全告知本公开所属领域的普通技术人员本公开的范围。本公开仅由所附权利要求的范围限定。

短语“元件或层位于另一元件或另一层上”可以指元件可以直接位于另一元件上和/或元件可以经由另一元件或另一层间接位于另一元件上。在整个本公开中，相同的附图标记总体上指代相同的元件。附图中公开的用于描述实施方式的形状、尺寸、比例、角度、数量等是示例，并且因此，本公开不限于此。

尽管术语第一、第二等可在本文中用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。因此，在本公开的技术精神内，下面讨论的第一组件可以是第二组件。单数表达可以包括复数表达，除非上下文另外清楚地指出。

本公开的示例性实施方式中的每个的特征可以彼此部分地或全部地组对或组合，并且可以在技术方式上不同地联锁和驱动。示例性实施方式中的每个可以彼此独立地实现，或者可以关联地一起实现。

在整个公开中，相同的附图标记在本公开的各个附图和实施方式中表示相同的部分。

为了易于描述，可在本文中使用诸如“下面”、“下方”、“下部”、“之下”、“上方”、“上部”等空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。应当理解，除了图中描绘的定向之外，这类空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中的不同定向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”可以包含上方和下方两种定向。设备可另外定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并且本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。此外，还应当理解，当层被称为“在”两层“之间”时，它可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个居间的层。

本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而不是旨在限制本发明构思。如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在为将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值中的固有偏差留有余量。

如本文中所使用的，单数形式“一(a)”和“一个(an)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。如本文中所使用的，当位于一列表的元素之后时，诸如“…中的至少一个”、“…中的一个”和“选自...中”的表述修饰整个列表的元素而不修饰该列表中的个别元素。此外，当描述本发明构思的实施方式时，“可”的使用是指“本发明的一个或多个实施方式”。此外，术语“示例性的”旨在表示示例或例示。如本文中所使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可分别理解为与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。

应当理解，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“联接到”或“邻近于”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到、直接联接到或直接邻近于另一元件或层，或者可以存在一个或多个居间的元件或层。相反，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接联接到”或“直接邻近于”另一元件或层时，不存在居间的元件或层。

在下文中，将参考附图详细描述本公开的一个或多个实施方式。

本公开涉及显示设备和制造显示设备的方法。

图1和图2是根据本公开的一个或多个实施方式的发光元件的部分切除的立体图。

参考图1和图2，发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13以及插置在第一半导体层11和第二半导体层13之间的有源层12。例如，发光元件ld可以实现为堆叠结构，在堆叠结构中，第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13顺序堆叠。

发光元件ld可以设置成沿一个方向延伸的杆形状。当发光元件ld的延伸方向是纵向方向时，发光元件ld可以具有沿着纵向方向的一端和另一端。

第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以定位成与发光元件ld的一端相邻，并且第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以定位成与发光元件ld的另一端相邻。

在本公开的一个或多个实施方式中，发光元件ld可以设置成杆形状。这里，术语“杆形状”可以包括在纵向方向上长的杆状形状或棒状形状(例如，具有大于1的纵横比)，诸如圆柱体或多边形柱。例如，发光元件ld的长度可以大于其直径。然而，本公开不限于此。此外，发光元件ld可以是具有核-壳结构的发光元件。

例如，发光元件ld可以制造成具有微米级或纳米级的直径和/或长度。例如，发光元件ld的直径可以是约600nm或更小，并且发光元件ld的长度可以是约4μm或更小。然而，发光元件ld的尺寸不限于此，并且可以改变发光元件ld的尺寸以满足应用有发光元件ld的显示设备的要求。

第一半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括选自由inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn构成的组中的任何一种半导体材料。在另一实施方式中，第一半导体层11可包括掺杂有第一掺杂剂(诸如si、ge、sn等)的半导体层。然而，构成第一半导体层11的材料不限于此。

有源层12可以形成在第一半导体层11上，并且可以形成为单量子阱结构或多量子阱结构。在一个或多个实施方式中，当有源层12包括具有多量子阱结构的材料时，多个量子层和多个阱层可以交替地堆叠。

在一个或多个实施方式中，当超过一定电压(例如，设定或预定电压)的电场施加在发光元件ld的两端之间时，发光元件ld可以在电子-空穴对在有源层12中复合的同时发光。当使用该原理控制发光元件ld的发光时，发光元件ld可以用作包括显示设备的像素的各种发光设备的光源。

有源层12可以发射具有约400nm至约900nm的波长的光。例如，当有源层12发射具有蓝色波长带的光时，可以包括诸如algan或algainn的材料。例如，当有源层12具有其中量子层和阱层交替堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包括诸如algan或algainn的材料，并且阱层可以包括诸如gan或alinn的材料。在一个或多个实施方式中，有源层12可以包括algainn作为量子层并且包括alinn作为阱层。在这种情况下，有源层12可以发射中心波长带在约450nm至约495nm范围内的蓝光。

然而，本公开不限于此。有源层12可以具有其中具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料交替堆叠的结构，并且有源层12可以根据所发射的光的波长范围包括iii族至v族的其他半导体材料。从有源层12发射的光不限于蓝色波长带中的光，并且在一些情况下从有源层12发射的光可以是红色波长带和绿色波长带中的光。

另一方面，在一个或多个实施方式中，从有源层12发射的光可以从发光元件ld的纵向方向上的外表面以及两侧发射。从有源层12发射的光的方向不限于一个方向。

第二半导体层13可以设置在有源层12上，并且可以包括与第一半导体层11不同类型的半导体层。第二半导体层13可以包括例如至少一个p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括选自由inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn构成的组中的至少一种半导体材料。在另一实施方式中，第二半导体层13可包括掺杂有第二掺杂剂(诸如mg、zn、ca、se、ba等)的半导体层。构成第二半导体层13的材料不限于此。

在一个或多个实施方式中，在图1和图2中，第一半导体层11和第二半导体层13分别被示出为一个层。然而，本公开不限于此。例如，根据有源层12的材料，第一半导体层11和第二半导体层13可以包括更多数量的层。例如，第一半导体层11和第二半导体层13还可以包括包覆层或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。

根据本公开的一个或多个实施方式，发光元件ld还可以包括位于上述第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13中的每个上方和/或下方的其他磷光体层、有源层、半导体层和/或电极层。

在一个或多个实施方式中，发光元件ld还可以包括位于第二半导体层13的一端(例如，发光元件ld的上表面)或第一半导体层11的一端(例如，发光元件ld的下表面)上的至少一个电极层。例如，如图2中所示，发光元件ld还可以包括位于第二半导体层13的一端上的电极层15。在一个或多个实施方式中，电极层15可以位于第一半导体层11的一端上。电极层15可以是欧姆接触电极，但本公开不限于此。例如，电极层15可以是肖特基接触电极。电极层15可以包括金属或金属氧化物。例如，电极层15可以包括铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、金(au)、镍(ni)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)和铟锡锌氧化物(itzo)或者其氧化物、合金或混合物。然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，电极层15可以是基本上透明的或半透明的。因此，在发光元件ld中产生的光可以穿过电极层15并且可以发射到发光元件ld的外部。

在一个或多个实施方式中，发光元件ld还可以包括绝缘薄膜14。然而，根据本公开的一个或多个实施方式，绝缘薄膜14可以被省略，或者绝缘薄膜14可以设置成仅覆盖第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13的一部分。例如，绝缘薄膜14可以设置在除发光元件ld的两端之外的部分处，从而可以暴露发光元件ld的两端。

为了便于描述，图1和图2示出了一种状态，其中绝缘薄膜14的一部分被去除，但是发光元件ld的大体上的侧表面可以被绝缘薄膜14围绕。

根据一个或多个实施方式，绝缘薄膜14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘薄膜14可以包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化铝(alox)和氧化钛(tiox)中的至少一种绝缘材料。然而，本公开不限于此，并且绝缘薄膜14可以包括具有绝缘性质的各种其他材料。

绝缘薄膜14可以防止电短路(或者可以提供对电短路的保护)，当有源层12接触除了第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料时，可能发生电短路。在一个或多个实施方式中，通过形成绝缘薄膜14，最小化或减少了发光元件ld的表面缺陷，从而可以改善寿命和效率。在一个或多个实施方式中，当多个发光元件ld彼此相邻定位时，可以通过绝缘薄膜14防止在发光元件ld之间可能发生的不希望的短路。例如，绝缘薄膜14可以提供对相邻发光元件ld之间的不期望的短路的保护。

根据本公开的实施方式的发光元件ld的类型、结构和形状可以不同地改变。

图3是示出根据本公开的一个或多个实施方式的显示设备的平面图。

参考图1、图2和图3，显示设备1000可以包括衬底sub和设置在衬底sub上的多个像素pxl。显示设备1000(或衬底sub)可以包括显示区域da和除显示区域da之外的非显示区域nda，在显示区域da中，多个像素pxl布置成显示图像。

显示区域da可以是其中设置有像素pxl的区域。非显示区域nda可以是其中设置有用于驱动像素pxl的驱动单元(例如，扫描驱动电压单元或扫描驱动器sdv、数据驱动电压单元或数据驱动器ddv和发射驱动电压单元或发射控制驱动器edv)以及其中设置有用于连接像素pxl和驱动单元sdv、ddv和edv的各种布线的区域。

显示区域da可以具有各种形状。例如，显示区域da可以具有诸如包括直边的闭合多边形、包括曲化边的圆形或椭圆形以及包括直边和曲化边的半圆形或半椭圆形的各种形状。

在一个或多个实施方式中，当显示区域da包括多个区域时，每个区域也可以具有诸如包括直边的闭合多边形、包括曲化边的圆形或椭圆形等的各种形状。在一个或多个实施方式中，多个区域的面积可以相同或不同。在本公开的一个或多个实施方式中，将以显示区域da设置为具有包括直边的长方形形状的一个区域的情况作为示例进行描述。

非显示区域nda可以设置在显示区域da的至少一侧上。在本公开的一个或多个实施方式中，非显示区域nda可以围绕显示区域da。

像素pxl可以在衬底sub上设置在显示区域da中。像素pxl中的每个可以包括至少一个发光元件ld，至少一个发光元件ld连接到扫描线和数据线并由相应的扫描信号和数据信号驱动。

像素pxl中的每个可以发射红色、绿色和蓝色中的任一种的光，但本公开不限于此。例如，像素pxl中的每个可以发射青色、品红色、黄色和白色中的一种的光。

在一个或多个实施方式中，像素pxl可以包括发射第一颜色的光的第一像素pxl1(或第一子像素)、发射不同于第一颜色的第二颜色的光的第二像素pxl2(或第二子像素)以及发射不同于第一颜色和第二颜色的第三颜色的光的第三像素pxl3(或第三子像素)。定位成彼此相邻的至少一个第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以构成能够发射各种颜色的光的一个像素单元pxu。

在一个或多个实施方式中，第一像素pxl1可以是发射红光的红色像素，第二像素pxl2可以是发射绿光的绿色像素，并且第三像素pxl3可以是发射蓝光的蓝色像素。

在一个或多个实施方式中，像素pxl可以具有发射相同颜色的光的发光元件ld。然而，在一个或多个实施方式中，当像素pxl包括位于发光元件ld上的不同颜色的光转换层时，像素pxl可以发射不同颜色的光。在另一实施方式中，像素pxl可以包括发射不同颜色的光的发光元件ld。然而，像素pxl的颜色、类型和/或数量不受特别限制。

可以沿着第一方向dr1和与第一方向dr1交叉的第二方向dr2提供和布置多个像素pxl。然而，像素pxl的布置形式不受特别限制，并且可以布置成各种形式。

驱动单元sdv、ddv和edv可以通过每个布线单元向每个像素pxl提供信号，并且因此可以控制每个像素pxl的驱动。在图3中，为了便于描述，省略布线单元。

驱动单元sdv、ddv和edv可以包括通过扫描线向像素pxl提供扫描信号的扫描驱动器sdv、通过数据线向像素pxl提供数据信号的数据驱动器ddv、通过发射控制线向像素pxl提供发射控制信号的发射控制驱动器edv以及时序控制器。时序控制器可以控制扫描驱动器sdv、数据驱动器ddv和发射控制驱动器edv。在一个或多个实施方式中，可以省略发射控制驱动器edv，然而，本公开的实施方式不限于此。

扫描驱动器sdv可以位于衬底sub的一侧上，并且可以沿着一个方向(例如，第二方向dr2)布置。扫描驱动器sdv可以作为单独的组件安装在衬底sub上，但是本公开不限于此。例如，扫描驱动器sdv可以直接形成在衬底sub上。在一个或多个实施方式中，扫描驱动器sdv可以位于衬底sub的外部并且可以通过单独的连接构件连接到像素pxl。

数据驱动器ddv可以位于衬底sub的一侧上，并且可以沿着与上述扫描驱动器sdv交叉的方向(例如，第一方向dr1)布置。数据驱动器ddv可以作为单独的组件安装在衬底sub上，或者可以位于衬底sub的外部并且可以通过单独的连接构件连接到像素pxl。

发射控制驱动器edv可以位于衬底sub的一侧上，并且可以沿着一个方向(例如，第二方向dr2)布置。如图3中所示，发射控制驱动器edv可以与扫描驱动器sdv位于衬底sub的相同侧处和显示区域da的相同侧处，但是本公开不限于此。例如，发射控制驱动器edv可以位于与扫描驱动器sdv不同侧处(例如，其之间具有显示区域da)。发射控制驱动器edv可以作为单独的组件安装在衬底sub上，但是本公开不限于此。例如，发射控制驱动器edv可以直接形成在衬底sub上。在一个或多个实施方式中，发射控制驱动器edv可以位于衬底sub的外部并且可以通过单独的连接构件连接到像素pxl。

在一个或多个实施方式中，像素pxl中的每个可配置为有源像素。然而，可应用于本公开的像素pxl的类型、结构和/或驱动方法不受特别限制。

图4至图6是示出根据本公开的一个或多个实施方式的像素的电路图。在一个或多个实施方式中，图4至图6示出了构成有源发光显示面板的像素的示例。

参照图1、图2、图3和图4，像素pxl可以包括至少一个发光元件ld和连接到发光元件ld以驱动发光元件ld的驱动电路dc。

发光元件ld的第一电极(例如，图8中所示的‘rfe1’)可以经由驱动电路dc连接到第一驱动电源vdd，并且可以经由第二电极(例如，图8中所示的‘rfe2’)连接到第二驱动电源vss。根据示例，第一电极rfe1可以是阳极电极，并且第二电极rfe2可以是阴极电极，但本公开不限于此。发光元件ld可以发射具有与由驱动电路dc控制的驱动电流量对应的亮度的光。

第一电极rfe1至第四电极rfe4(参见图8)中的至少一个可以是像素pxl的像素电极。在第一电极rfe1至第四电极rfe4中的至少一个形成为对准线之后，第一电极rfe1至第四电极rfe4中的至少一个的部分可以在相邻的像素pxl和/或每个像素pxl的发射区域(参考图8中所示的‘ema’)之间被切断，以分成相应的像素电极。在这种情况下，发射区域ema可以指其中光从像素pxl发射的区域。根据示例，发射区域ema可以由分隔壁(例如，图8中所示的‘obnk’)限定。

图4仅示出了一个发光元件ld，然而，本公开不限于此。例如，像素pxl可以包括多个发光元件ld。多个发光元件ld可以彼此并联连接和/或串联连接。

第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss可以具有不同的电势。例如，第一驱动电源vdd的电势可以比第二驱动电源vss的电势高发光元件ld的阈值电压。例如，从第一驱动电源vdd施加的电压可以大于从第二驱动电源vss施加的电压。

根据一个或多个实施方式，驱动电路dc可以包括第一晶体管m1、第二晶体管m2和存储电容器cst。

第一晶体管m1(例如，驱动晶体管)的一个电极可以电连接到第一驱动电源vdd，并且第一晶体管m1的另一电极可以电连接到发光元件ld的第一电极rfe1。第一晶体管m1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管m1可以响应于第一节点n1的电压来控制提供给发光元件ld的驱动电流量。

第二晶体管m2(例如，开关晶体管)的一个电极可连接到数据线dl，且第二晶体管m2的另一电极可连接到第一节点n1。这里，第二晶体管m2的一个电极和另一电极可以是不同的电极。例如，当第二晶体管m2的一个电极是源电极时，第二晶体管m2的另一电极可以是漏电极。第二晶体管m2的栅电极可以连接到扫描线sl。

当从扫描线sl提供第二晶体管m2可以导通的电压(例如，栅极导通电压)的扫描信号时，第二晶体管m2可以导通以电连接数据线dl和第一节点n1。在这种情况下，相应帧的数据信号可以提供给数据线dl，并且因此，数据信号可以传送到第一节点n1。传送到第一节点n1的数据信号可以存储在存储电容器cst中。

存储电容器cst的一个电极可以连接到第一驱动电源vdd，并且存储电容器cst的另一电极可以连接到第一节点n1。存储电容器cst可以充入与提供给第一节点n1的数据信号对应的电压，并且可以保持充电的电压直到提供下一帧的数据信号。

为了便于描述，图4示出了具有相对简单结构的驱动电路dc，其包括用于将数据信号传送到像素pxl的内部的第二晶体管m2、用于存储数据信号的存储电容器cst以及用于将与数据信号对应的驱动电流提供给发光元件ld的第一晶体管m1。

然而，本公开不限于此，并且驱动电路dc的结构可以不同地改变。例如，驱动电路dc还可以包括各种晶体管，诸如用于补偿第一晶体管m1的阈值电压的补偿晶体管、用于初始化第一节点n1的初始化晶体管和/或用于控制发光元件ld的发射时间的发射控制晶体管以及诸如用于提高第一节点n1的电压的升压电容器的其他电路元件。

在图4中，包括在驱动电路dc中的晶体管(例如，第一晶体管m1和第二晶体管m2)被示为p型晶体管，但是本公开不限于此。例如，包括在驱动电路dc中的第一晶体管m1和第二晶体管m2中的至少一个可以改变为n型晶体管。

例如，如图5中所示，驱动电路dc的第一晶体管m1和第二晶体管m2可以实现为n型晶体管。除了由于晶体管类型的改变而改变了其中一些组件的连接位置之外，图5中所示的驱动电路dc在结构或操作上可以类似于图4的驱动电路dc。因此，可以不重复其相同或相似组件的详细描述。

作为另一实施方式，参考图6，像素pxl还可包括第三晶体管m3(例如，感测晶体管)。

第三晶体管m3的栅电极可以连接到感测信号线ssl。第三晶体管m3的一个电极可以连接到感测线senl，并且第三晶体管m3的另一个电极可以连接到发光元件ld的阳极电极。第三晶体管m3可以在感测周期期间根据提供给感测信号线ssl的感测信号将发光元件ld的阳极电极的电压值传送到感测线senl。通过感测线senl传送的电压值可以提供给外部电路(例如，时序控制器)。外部电路可基于所提供的电压值来提取像素pxl的特性信息(例如，第一晶体管m1的阈值电压)。所提取的特性信息可用于转换图像数据以补偿像素pxl的特性偏差。

图7是示出根据本公开的另一实施方式的像素的电路图。

参照图7，根据本公开的另一实施方式的像素pxl可以包括发光元件ld、第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7以及存储电容器cst。

发光元件ld的第一电极rfe1(例如，阳极电极)可以经由第六晶体管t6连接到第一晶体管t1，并且发光元件ld的第二电极rfe2(例如，阴极电极)可以连接到第二驱动电源vss。发光元件ld可以发射具有与从第一晶体管t1提供的驱动电流量对应的亮度(例如，设定或预定亮度)的光。

第一晶体管t1(例如，驱动晶体管)的一个电极可以经由第五晶体管t5连接到第一驱动电源vdd，并且第一晶体管t1的另一电极可以经由第六晶体管t6连接到发光元件ld的第一电极rfe1。第一晶体管t1可以响应于连接到第一晶体管t1的栅电极的第一节点n1的电压来控制从第一驱动电源vdd经由发光元件ld流到第二驱动电源vss的电流量。

第二晶体管t2(例如，开关晶体管)可以连接在数据线dl和第一晶体管t1的一个电极之间。在一个或多个实施方式中，第二晶体管t2的栅电极可连接到第一扫描线sl。当栅极导通电压的扫描信号提供给第一扫描线sl时，第二晶体管t2可以导通以电连接数据线dl和第一晶体管t1的一个电极。

第三晶体管t3可以连接在第一晶体管t1的另一电极和第一节点n1之间。在一个或多个实施方式中，第三晶体管t3的栅电极可以连接到第一扫描线sl。当栅极导通电压的扫描信号提供给第一扫描线sl时，第三晶体管t3可以导通以电连接第一晶体管t1的另一电极和第一节点n1。

第四晶体管t4可以连接在第一节点n1和初始化电源vint之间。在一个或多个实施方式中，第四晶体管t4的栅电极可连接到第二扫描线sl-1。当栅极导通电压的扫描信号提供给第二扫描线sl-1时，第四晶体管t4可以导通以将初始化电源vint的电压提供给第一节点n1。这里，初始化电源vint可以设置为低于数据信号的电压。提供给第二扫描线sl-1的扫描信号可以具有与提供给前一级的像素的第一扫描线的扫描信号相同的波形。

第五晶体管t5可以连接在第一驱动电源vdd和第一晶体管t1的一个电极之间。第五晶体管t5的栅电极可以连接到发射控制线el。当栅极导通电压的发射控制信号提供给发射控制线el时，第五晶体管t5可以导通，并且当栅极导通电压的发射控制信号未提供给发射控制线el时，第五晶体管t5可以截止。

第六晶体管t6可以连接在第一晶体管t1的另一电极和发光元件ld的第一电极rfe1之间。第六晶体管t6的栅电极可以连接到发射控制线el。当栅极导通电压的发射控制信号提供给发射控制线el时，第六晶体管t6可以导通，并且当栅极导通电压的发射控制信号未提供给发射控制线el时，第六晶体管t6可以截止。

第七晶体管t7可以连接在初始化电源vint和发光元件ld的第一电极rfe1之间。在一个或多个实施方式中，第七晶体管t7的栅电极可连接到第三扫描线sl+1。当栅极导通电压的扫描信号提供给第三扫描线sl+1时，第七晶体管t7可以导通以将初始化电源vint的电压提供给发光元件ld的第一电极rfe1。提供给第三扫描线sl+1的扫描信号可以具有与提供给下一级的像素的第一扫描线的扫描信号相同的波形。

图7示出了其中第七晶体管t7的栅电极连接到第三扫描线sl+1的本公开的实施方式。然而，本公开的技术精神不限于此。例如，在本公开的另一实施方式中，第七晶体管t7的栅电极可以连接到第一扫描线sl或第二扫描线sl-1。在这种情况下，当栅极导通电压的扫描信号提供给第一扫描线sl或第二扫描线sl-1时，初始化电源vint的电压可以经由第七晶体管t7提供给发光元件ld的阳极电极。

存储电容器cst可以连接在第一驱动电源vdd和第一节点n1之间。与数据信号和第一晶体管t1的阈值电压对应的电压可以存储在存储电容器cst中。

在图7中，包括在驱动电路dc中的晶体管(例如，第一晶体管t1至第七晶体管t7)被示为p型晶体管，但本公开不限于此。例如，可以将第一晶体管t1至第七晶体管t7中的至少一个改变为n型晶体管。

在下文中，将参考图8至图18来描述根据实施方式的像素的结构。

为了便于描述，在下文中，每个电极被简化并示出为单个电极层。然而，本公开不限于此，并且每个电极可以由多个电极层组成。在本公开的一个或多个实施方式中，短语“形成和/或位于相同的层中(或位于相同的层处)”可以意味着它们在相同的工艺中形成并且由相同的材料形成。

在图8至图18中，为了便于描述，省略了连接到发光元件的晶体管和连接到晶体管的信号线。

此外，在图8、图10、图12、图14和图16中，发光元件ld被示出为对准成使得纵向方向对应于第一方向dr1，但本公开不限于此。例如，发光元件ld可以相对于第一方向dr1在对角线方向上对准。

将参考图8和图9描述根据一个或多个实施方式的像素pxl。图8和图9可以是示出根据一个或多个实施方式的像素pxl的图。图8是示意性地示出根据一个或多个实施方式的像素的平面图。图9是沿着图8的线i-i'截取的剖视图。

参照图8和图9，根据本公开的一个或多个实施方式的像素pxl可以包括衬底sub、第一电极rfe1、第二电极rfe2、第三电极rfe3、第四电极rfe4和第一绝缘层ins1以及发光元件ld。像素pxl还可以包括第一堤bnk1、第二堤bnk2、锚固层insa、第五电极cte1、第六电极cte2、第二绝缘层ins2、第三绝缘层ins3和分隔壁obnk。

图8中所示的像素pxl可以是以上参考图3描述的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的任一个。

在第一电极rfe1至第四电极rfe4中，构成每个串联级的一对电极可以定位成与其中布置有发光元件ld的区域相邻。例如，第一电极rfe1和第二电极rfe2可以沿着第二方向dr2延伸，并且可以沿着第一方向dr1彼此隔开。第三电极rfe3和第四电极rfe4可以沿着第二方向dr2延伸，并且可以沿着第一方向dr1彼此隔开。

发光元件ld可以位于第一电极rfe1和第二电极rfe2之间。发光元件ld可以位于第三电极rfe3和第四电极rfe4之间。当在平面上观察时，发光元件ld可以位于子发射区域sea中。子发射区域sea可以是发射区域ema内的包括其中布置有发光元件ld的区域的区域。

第一电极rfe1至第四电极rfe4中的至少一个可以是每个像素pxl的像素电极。在第一电极rfe1至第四电极rfe4中的任何一个形成为对准线之后，第一电极rfe1至第四电极rfe4中的任何一个的一部分可以在相邻的像素pxl和/或每个像素pxl的子发射区域sea之间被切断，以分成相应的像素电极。

第一电极rfe1至第四电极rfe4可以通过各自的接触电极(例如，第五电极cte1和/或第六电极cte2)电连接到发光元件ld。

第五电极cte1的至少一部分可以连接到发光元件ld的第一端ep1以连接第一电极rfe1和发光元件ld。第六电极cte2的至少一部分可以连接到发光元件ld的第二端ep2，以连接第二电极rfe2和发光元件ld。

第五电极cte1可以通过第一开口op1连接到第一电极rfe1。第六电极cte2可以通过第二开口op2连接到第二电极rfe2。

第一开口op1可以形成在第三电极rfe3和第一绝缘层ins1中。第二开口op2可以形成在第四电极rfe4和第一绝缘层ins1中。第一开口op1和第二开口op2可以具有孔形状。

这里，第一开口op1和第二开口op2可以位于非发射区域nea中。因此，第五电极cte1可以在非发射区域nea中电连接到第一电极rfe1，并且第六电极cte2可以在非发射区域nea中连接到第二电极rfe2。

非发射区域nea可以指不发射光的区域。非发射区域nea可以是不同于发射区域ema的区域。根据示例，非发射区域nea可以是其中没有布置发光元件ld的区域，并且可以是指其中布置有分隔壁obnk的区域。替代地，非发射区域nea可以是发光元件ld和分隔壁obnk不位于其中的区域，并且可以包括从其去除至少一部分的区域(例如，开口区域110)，使得第一电极rfe1至第四电极rfe4中的任一个设置为像素电极。根据示例，第一开口op1可以沿第一方向dr1不与发光元件ld重叠。第二开口op2可以沿第一方向dr1不与发光元件ld重叠。

根据一些实施方式，第一开口op1和第二开口op2可以位于发光元件ld和分隔壁obnk不位于其中的区域中，或者可以位于开口区域110中，尽管在附图中未示出。

参照图9，衬底sub可以是刚性衬底或柔性衬底。衬底sub的材料和物理性质不受特别限制。例如，衬底sub可以是由玻璃或钢化玻璃制成的刚性衬底，或者由塑料或金属制成的薄膜构成的柔性衬底。在一个或多个实施方式中，衬底sub可以是透明衬底，但本公开不限于此。例如，衬底sub可以是半透明衬底、不透明衬底或反射衬底。

第一堤bnk1和第二堤bnk2可以位于衬底sub上。其中待定位发光元件ld的空间可以设置在第一堤bnk1和第二堤bnk2之间。在一个或多个实施方式中，第一堤bnk1和第二堤bnk2可以在衬底sub上沿着第一方向dr1以大于发光元件ld的长度wld的距离彼此隔开。第一堤bnk1和第二堤bnk2可以位于彼此相同的层处，并且可以具有相同的高度。然而，本公开不限于此。此外，第一堤bnk1和第二堤bnk2可以沿着与第一方向dr1交叉的第二方向dr2延伸。

第一堤bnk1和第二堤bnk2可以是包括有机材料或无机材料的绝缘材料，但本公开不限于此。此外，第一堤bnk1和第二堤bnk2可以由单层形成，但是本公开不限于此。第一堤bnk1和第二堤bnk2可以由多个层形成。在这种情况下，第一堤bnk1和第二堤bnk2可以具有其中堆叠至少一个有机绝缘层和至少一个无机绝缘层的结构。

在一个或多个实施方式中，第一堤bnk1和第二堤bnk2中的每个可以具有在发光元件ld的显示方向上突出的形状。第一堤bnk1和第二堤bnk2的截面可以具有拥有以一定角度(例如，设定角度或预定角度)倾斜的侧表面的梯形形状。然而，第一堤bnk1和第二堤bnk2的截面的形状不限于此，并且可以具有诸如半椭圆形形状、圆形形状和正方形形状的各种形状。

第一电极rfe1和第二电极rfe2可以分别位于第一堤bnk1和第二堤bnk2中相应的一个上。例如，第一电极rfe1可以设置在第一堤bnk1上，并且第二电极rfe2可以设置在第二堤bnk2上。

在一个或多个实施方式中，第一电极rfe1和第二电极rfe2可以彼此隔开。第一电极rfe1和第二电极rfe2可以沿着第一方向dr1彼此隔开第一距离w1。这里，第一距离w1可以小于将在后面进行描述的发光元件ld的长度wld。因此，当发光元件ld位于第一电极rfe1和第二电极rfe2之间的中央部分中时，第一电极rfe1的至少一部分和第二电极rfe2的至少一部分可以分别在第三方向dr3上与发光元件ld重叠。

在一个或多个实施方式中，第一电极rfe1和第二电极rfe2在平面中可以在第二方向dr2上延伸。

第一电极rfe1和第二电极rfe2可以沿着第一堤bnk1和第二堤bnk2的表面具有基本上均匀的厚度。第一电极rfe1和第二电极rfe2可以设置成与第一堤bnk1和第二堤bnk2的形状对应。例如，第一电极rfe1可以具有与第一堤bnk1的倾斜度对应的形状，并且第二电极rfe2可以具有与第二堤bnk2的倾斜度对应的形状。

第一电极rfe1和第二电极rfe2可以位于彼此相同的平面处，并且可以具有基本上相同的厚度。此外，第一电极rfe1和第二电极rfe2可以在相同的工艺中并行(例如，同时)形成。

第一电极rfe1和第二电极rfe2可以包括导电材料。例如，第一电极rfe1和第二电极rfe2可以包括透明导电材料，诸如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化锌(zno)和铟锡锌氧化物(itzo)。然而，本公开不限于此。

为了便于描述，尽管第一电极rfe1和第二电极rfe2被示出为直接设置在衬底sub上，但是本公开不限于此。例如，在第一电极rfe1和第二电极rfe2与衬底sub之间还可以设置用于将显示设备驱动为无源矩阵或有源矩阵的组件。该组件可以是参考图4至图7描述的像素pxl的电路元件。例如，连接到第一电极rfe1和第二电极rfe2中的至少一个的晶体管可以位于第一电极rfe1和第二电极rfe2与衬底sub之间。

第三电极rfe3和第四电极rfe4可以分别位于第一电极rfe1和第二电极rfe2上。例如，第三电极rfe3可以设置在第一电极rfe1上，并且第四电极rfe4可以设置在第二电极rfe2上。第三电极rfe3和第四电极rfe4可以彼此隔开。

在一些实施方式中，第三电极rfe3可以直接形成在第一电极rfe1上以接触第一电极rfe1。类似地，第四电极rfe4可以直接形成在第二电极rfe2上以接触第二电极rfe2。

第三电极rfe3和第四电极rfe4可以沿着第一方向dr1彼此隔开第二距离w2。这里，第三电极rfe3和第四电极rfe4之间的第二距离w2可以大于第一电极rfe1和第二电极rfe2之间的第一距离w1。在一个或多个实施方式中，第三电极rfe3和第四电极rfe4之间的第二距离w2可以大于将在后面描述的发光元件ld的长度wld。

因为第三电极rfe3和第四电极rfe4之间的第二距离w2大于发光元件ld的长度wld，所以发光元件ld可以不与第三电极rfe3和第四电极rfe4重叠。例如，通过调节第三电极rfe3和第四电极rfe4之间的第二距离w2，可以控制(或限制)发光元件ld所处的空间。因此，发光元件ld可以位于期望的位置处。

在一个或多个实施方式中，第三电极rfe3和第四电极rfe4在平面上可以在第二方向dr2上延伸。

第三电极rfe3和第四电极rfe4可以沿着第一电极rfe1和第二电极rfe2的表面具有基本上均匀的厚度。第三电极rfe3和第四电极rfe4可以设置成与第一电极rfe1和第二电极rfe2的形状对应。例如，第三电极rfe3可以具有与第一电极rfe1的倾斜度对应的形状，并且第四电极rfe4可以具有与第二电极rfe2的倾斜度对应的形状。

第三电极rfe3和第四电极rfe4可以位于彼此相同的平面处，并且可以具有基本上相同的厚度。此外，第三电极rfe3和第四电极rfe4可以在相同的工艺中并行(例如，同时)形成。

第三电极rfe3和第四电极rfe4可以由导电材料制成。例如，第三电极rfe3和第四电极rfe4可以包括金属，诸如al、mg、ag、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、ti、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、cu或其合金。

然而，第三电极rfe3和第四电极rfe4可以由与上述第一电极rfe1和第二电极rfe2不同的材料制成。例如，与第一电极rfe1和第二电极rfe2相比，第三电极rfe3和第四电极rfe4可以由在湿法蚀刻工艺中具有快速侧蚀刻速率的导电材料制成。稍后将参考图19至图31给出与此相关的描述。

在一个或多个实施方式中，第三电极rfe3和第四电极rfe4可以由具有比第一电极rfe1和第二电极rfe2高的电导率的材料(例如，具有低电阻率的材料)制成。

这里，第三电极rfe3和第四电极rfe4的材料不限于上述材料。例如，第三电极rfe3和第四电极rfe4可以包括具有恒定反射率的导电材料。当第三电极rfe3和第四电极rfe4由具有恒定反射率的导电材料制成时，从发光元件ld的第一端ep1和第二端ep2发射的光可以被第三电极rfe3和第四电极rfe4反射并且在显示方向(例如，第三方向dr3)上行进。

在一个或多个实施方式中，第三电极rfe3和第四电极rfe4可以具有与第一电极rfe1和第二电极rfe2(或第一堤bnk1和第二堤bnk2)的形状对应的形状，并且可以相对于衬底sub具有恒定的角度。从每个发光元件ld的第一端ep1和第二端ep2发射的光可以被第三电极rfe3和第四电极rfe4反射，并在第三方向dr3上进一步行进。因此，可以改善显示设备的光输出效率。

第三电极rfe3可以包括第一开口op1，并且第四电极rfe4可以包括第二开口op2。第三电极rfe3的第一开口op1可以暴露第一电极rfe1。第四电极rfe4的第二开口op2可以暴露第二电极rfe2。

参照图9，第一开口op1可以不与第一堤bnk1重叠，并且第二开口op2可以不与第二堤bnk2重叠。例如，第一开口op1和第二开口op2中的每一个可以与分隔壁obnk重叠。第一开口op1可以位于分隔壁obnk和衬底sub之间，并且第二开口op2可以位于分隔壁obnk和衬底sub之间。

上述第一电极rfe1和第三电极rfe3可以彼此接触以形成第一像素电极，并且第二电极rfe2和第四电极rfe4可以彼此接触以形成第二像素电极。这里，第一像素电极和第二像素电极中的一个可以是阳极电极，并且第一像素电极和第二像素电极中的另一个可以是阴极电极。例如，第一像素电极可以是阴极电极，并且第二像素电极可以是阳极电极。然而，本公开不限于此，并且可以包括相反的情况。

第一像素电极和第二像素电极可以向发光元件ld提供驱动信号，并且发光元件ld可以发射与所提供的驱动信号对应的光。

进一步参考图4，第一像素电极和第二像素电极可以分别通过单独的连接布线或连接构件电连接到驱动电路dc和第二驱动电源vss中的任一个。例如，第一像素电极可以电连接到第二驱动电源vss，并且第二像素电极可以电连接到驱动电路dc。例如，第一电极rfe1和第三电极rfe3中的至少一个可以连接到第二驱动电源vss，并且第二电极rfe2和第四电极rfe4中的至少一个可以连接到驱动电路dc。然而，第一像素电极和第二像素电极之间的连接关系不限于以上内容，并且可以包括相反的情况。

第一像素电极和第二像素电极可以分别连接到发光元件ld的第一端ep1和第二端ep2，以向发光元件ld提供驱动信号。发光元件ld可以响应于从驱动电路dc提供的驱动电流而发射具有一定亮度(例如，设定亮度或预定亮度)的光。

第一绝缘层ins1可以设置在第三电极rfe3和第四电极rfe4上。第一绝缘层ins1可以设置在衬底sub的整个表面上，以覆盖第一堤bnk1和第二堤bnk2以及第一电极rfe1、第二电极rfe2、第三电极rfe3和第四电极rfe4。在一个或多个实施方式中，第一绝缘层ins1可以沿着衬底sub的其中未定位有第一堤bnk1和第二堤bnk2以及第一电极rfe1、第二电极rfe2、第三电极rfe3和第四电极rfe4的表面定位。第一绝缘层ins1可以包括无机材料或有机材料。根据示例，无机材料可以包括氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)、氮氧化硅(sioxny)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)和氧化铪(hfox)中的任何一种。有机材料可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和二萘嵌苯树脂中的至少一种。

在一个或多个实施方式中，第一绝缘层ins1可以包括第一开口op1和第二开口op2。第一开口op1可暴露第一电极rfe1的至少一部分。第二开口op2可暴露第二电极rfe2的至少一部分。

第一开口op1可具有与第一绝缘层ins1的厚度和第三电极rfe3的厚度之和对应的厚度和/或深度。例如，第一开口op1可以在相应的区域中穿透第一绝缘层ins1和第三电极rfe3。

第二开口op2可具有与第一绝缘层ins1的厚度和第四电极rfe4的厚度之和对应的厚度和/或深度。例如，第二开口op2可以在相应的区域中穿透第一绝缘层ins1和第四电极rfe4。

因此，第一电极rfe1和第二电极rfe2中的每一个的至少一部分可以暴露于外部，并且可以接触将在后面描述的第五电极cte1和第六电极cte2。

发光元件ld可以位于第一绝缘层ins1上。发光元件ld可以位于由第一堤bnk1和第二堤bnk2提供的空间中。在一个或多个实施方式中，在平面图中，发光元件ld可以位于第三电极rfe3和第四电极rfe4之间。例如，发光元件ld可以不与第三电极rfe3和第四电极rfe4重叠。

第一电极rfe1和第二电极rfe2之间的第一距离w1以及第三电极rfe3和第四电极rfe4之间的第二距离w2可以彼此不同。因此，可以分别在第一电极rfe1和第二电极rfe2以及第三电极rfe3和第四电极rfe4之间产生台阶。发光元件ld可以位于由台阶形成的凹槽(或发光元件区域lda)中。

例如，第一绝缘层ins1可以具有沿着第一电极rfe1、第二电极rfe2、第三电极rfe3和第四电极rfe4的表面的台阶(例如，设定台阶或预定台阶)。

例如，位于没有布置第一电极rfe1和第二电极rfe2的区域中的第一绝缘层ins1可以具有距衬底sub的第一高度102。在一个或多个实施方式中，位于其中没有布置第三电极rfe3和第四电极rfe4但布置有第一电极rfe1和第二电极rfe2的区域中的第一绝缘层ins1可以具有距衬底sub的第二高度104，第二高度104大于第一高度102。

第一电极rfe1可以包括未被第三电极rfe3覆盖的第一区域112，并且第二电极rfe2可以包括未被第四电极rfe4覆盖的第二区域114。这里，发光元件ld的第一端ep1可以定位在位于第一区域112中的第一绝缘层ins1上，并且发光元件ld的第二端ep2可以定位在位于第二区域114中的第一绝缘层ins1上。

因此，发光元件区域lda可以设置在第一绝缘层ins1上，其中第一电极rfe1和第二电极rfe2与从第三电极rfe3和第四电极rfe4暴露的部分重叠。

例如，第一电极rfe1的上表面的至少一部分可以暴露而不被第三电极rfe3覆盖，并且第二电极rfe2的上表面的至少一部分可以暴露而不被第四电极rfe4覆盖。发光元件ld可以位于第一电极rfe1和第二电极rfe2被暴露的区域(例如，发光元件区域lda)中。

发光元件ld的长度wld可以大于第一电极rfe1和第二电极rfe2之间的第一距离w1，并且可以小于第三电极rfe3和第四电极rfe4之间的第二距离w2。例如，第一电极rfe1的至少一部分和第二电极rfe2的至少一部分可以在第三方向dr3上与发光元件ld重叠，并且第三电极rfe3和第四电极rfe4可以在第三方向dr3上不与发光元件ld重叠。

用于稳定地支承和固定发光元件ld的锚固层insa可以位于发光元件ld上。锚固层insa可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。锚固层insa可以覆盖每个发光元件ld的外周表面的至少一部分，并且可以形成为暴露发光元件ld的第一端ep1和第二端ep2。因此，因为锚固层insa稳定地支承和固定发光元件ld，所以发光元件ld可以不与衬底sub分离。根据一个或多个实施方式，锚固层insa可以被定位以填充发光元件ld和第一绝缘层ins1之间的空间。根据显示设备的工艺条件，可以省略锚固层insa。

第五电极cte1(或第一接触电极)和第六电极cte2(或第二接触电极)可以位于第一绝缘层ins1、发光元件ld和锚固层insa上。此外，第二绝缘层ins2可以设置在第五电极cte1和第六电极cte2之间。

第五电极cte1和第六电极cte2可以接触每个发光元件ld的两端ep1和ep2中的一端。例如，第五电极cte1可以与每个发光元件ld的第一端ep1接触，并且第六电极cte2可以与每个发光元件ld的第二端ep2接触。第五电极cte1可以电连接至发光元件ld的第一端ep1，并且第六电极cte2可以电连接至发光元件ld的第二端ep2。

当在平面上(例如，在平面图中)观察时，第五电极cte1可以与第一电极rfe1和第三电极rfe3中的每一个的至少一部分重叠。

第五电极cte1可以通过形成在第一绝缘层ins1和第三电极rfe3中的第一开口op1连接到第一电极rfe1。第五电极cte1可以接触第一堤bnk1上的第一电极rfe1。第五电极cte1可以与第一电极rfe1的至少一部分物理接触。

第五电极cte1可以从第一电极rfe1直接接收电信号。第五电极cte1的至少一部分可以与第一电极rfe1物理接触并且可以直接电连接到第一电极rfe1。

第六电极cte2可以通过形成在第一绝缘层ins1和第四电极rfe4中的第二开口op2连接到第二电极rfe2。第六电极cte2可以接触第二堤bnk2上的第二电极rfe2。第六电极cte2可以与第二电极rfe2的至少一部分物理接触。

第六电极cte2可以从第二电极rfe2直接接收电信号。第六电极cte2的至少一部分可以与第二电极rfe2物理接触并且可以直接电连接到第二电极rfe2。

根据示例，在平面图中，第五电极cte1和第一电极rfe1连接的区域可以不与第一堤bnk1重叠，并且第六电极cte2和第二电极rfe2连接的区域可以不与第二堤bnk2重叠。

第五电极cte1和第一电极rfe1连接的区域以及第六电极cte2和第二电极rfe2连接的区域可以位于非发射区域nea中。

第五电极cte1和第一电极rfe1连接的区域可以位于布置在非发射区域nea中的分隔壁obnk之下，并且第六电极cte2和第二电极rfe2连接的区域可以位于布置在非发射区域nea中的分隔壁obnk之下。

如上所述，配置为用作发光元件ld的接触电极的第五电极cte1和第六电极cte2可以分别直接连接到第一电极rfe1和第二电极rfe2，并且可以从第一电极rfe1和第二电极rfe2直接接收电信号。因此，可以防止电信号在沿着电极移动的过程中产生的损失，并且可以防止电信号的失真。因此，可以改善显示设备的可靠性。

第五电极cte1和第六电极cte2中的每一个可以由透明导电材料制成。例如，透明导电材料可以包括ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)、zno(氧化锌)和itzo(氧化铟锡锌)。当第五电极cte1和第六电极cte2由透明导电材料制成时，可以在从发光元件ld发射的光在第三方向dr3上行进时降低光损失。第五电极cte1和第六电极cte2的材料不限于上述材料。

第二绝缘层ins2可以位于第五电极cte1和第六电极cte2之间。例如，第二绝缘层ins2可以包括由无机材料制成的无机绝缘层。第二绝缘层ins2可以定位成覆盖第五电极cte1和第六电极cte2中的一个，并且另一电极可以位于第二绝缘层ins2上。例如，第二绝缘层ins2可以位于第五电极cte1上以覆盖第五电极cte1。第六电极cte2可以位于第二绝缘层ins2上。例如，第五电极cte1和第六电极cte2可以通过第二绝缘层ins2电隔离。

然而，第五电极cte1和第六电极cte2的布置不限于此。例如，第五电极cte1和第六电极cte2可以位于相同的层处。在这种情况下，第五电极cte1和第六电极cte2可以基本上并行(例如，同时)形成。因此，可简化显示设备的制造工艺且可降低显示设备的制造成本。

第三绝缘层ins3可以位于第五电极cte1和第六电极cte2以及第二绝缘层ins2上。第三绝缘层ins3可以防止在显示设备的制造工艺中对第一电极rfe1、第二电极rfe2、第三电极rfe3、第四电极rfe4、第五电极cte1和第六电极cte2以及发光元件ld的损坏，并且用作密封层以防止氧气和湿气的渗透。

第三绝缘层ins3可以由包括无机材料的无机绝缘层形成。第三绝缘层ins3可以形成为单层。然而，本公开不限于此，并且第三绝缘层ins3可以包括多层结构。当第三绝缘层ins3包括多层结构时，第三绝缘层ins3还可以包括含有有机材料的有机绝缘层，并且可以包括其中有机绝缘层和无机绝缘层交替定位的多层结构。

分隔壁obnk可以具有围绕像素pxl的至少一部分的结构。分隔壁obnk可以具有在发光元件ld的显示方向上突出的形状。分隔壁obnk可以限定像素pxl的发射区域ema。在非发射区域nea中可以包括其中布置有分隔壁obnk的区域。分隔壁obnk可以包括光阻挡材料和/或反射材料，以防止光在相邻的像素pxl之间泄漏的漏光缺陷。根据显示设备的工艺条件，可以省略分隔壁obnk。

尽管在附图中未示出，但是在一些实施方式中，还可以在第三绝缘层ins3上设置平坦化层。平坦化层可减少由位于平坦化层之下的各种配置所产生的台阶。平坦化层的上表面通常可以是平的。平坦化层可以包括有机绝缘层。然而，本公开不限于此，并且平坦化层还可以包括无机绝缘层。

在对准发光元件ld的过程中，当发光元件ld定位得更接近于第一电极rfe1或第三电极rfe3时，可能出现偏心缺陷。例如，偏心缺陷可以限定为指示发光元件ld的中心点偏离第一电极rfe1和第二电极rfe2之间的中心的状态的缺陷。当发生偏心缺陷时，发光元件ld可能在后续工艺中无法与像素电极正常接触，并且因此，由于无法提供驱动信号，所以可不发射光。

如上所述，根据一个或多个实施方式的像素pxl可以包括彼此间隔开第一距离w1的第一电极rfe1和第二电极rfe2以及彼此间隔开大于第一距离w1的第二距离w2的第三电极rfe3和第四电极rfe4，并且发光元件ld可以位于由第一电极rfe1和第二电极rfe2以及第三电极rfe3和第四电极rfe4产生的台阶之间。

通过这种方式，发光元件ld可以位于精确的位置(例如，在第三电极rfe3和第四电极rfe4之间)处，并且可以防止发光元件ld定位得更靠近第一电极rfe1(或第三电极rfe3)或者第二电极rfe2(或第四电极rfe4)的偏心缺陷。例如，可以改善显示设备的可靠性。

在下文中，将描述像素的另一实施方式。在以下实施方式中，相同的附图标记被给予与前述实施方式相同的组件，并且将省略或简化对其的描述，并且将主要描述不同之处。

图10和图11可以是示出根据另一实施方式的像素pxl的图。图10是示意性地示出根据本公开的另一实施方式的像素的平面图。图11是沿着图10的线ii-ii'截取的剖视图。

根据本实施方式，第一开口op1的位置和第二开口op2的位置与根据上述实施方式的开口中的每个的位置(例如，参见图9)不同。

参照图10和图11，第一开口op1和第二开口op2可以位于发射区域ema中。第一开口op1和第二开口op2可以不与分隔壁obnk重叠。第一开口op1可以不与第一堤bnk1重叠，并且第二开口op2可以不与第二堤bnk2重叠。

因此，第五电极cte1可以在未定位有第一堤bnk1的区域中连接到第一电极rfe1。第六电极cte2可以在未定位有第二堤bnk2的区域中连接到第二电极rfe2。

图12是示意性地示出根据本公开的又一实施方式的像素的平面图。图13是沿着图12的线iii-iii'截取的剖视图。在图12中，为了便于描述，示意性地示出了像素pxl的结构。

根据本实施方式，第一开口op1的位置和第二开口op2的位置与根据上述实施方式的开口中的每个的位置(例如，参见图9和图11)不同。

参照图12和图13，第一开口op1可以与第一堤bnk1重叠，并且第二开口op2可以与第二堤bnk2重叠。第一开口op1可以位于第一堤bnk1上。第二开口op2可以位于第二堤bnk2上。

例如，根据本实施方式，第五电极cte1可以连接到第一堤bnk1上的第一电极rfe1。第六电极cte2可以连接到第二堤bnk2上的第二电极rfe2。

图14和图15可以是示出根据又一实施方式的像素pxl的图。图14是示意性地示出根据本公开的又一实施方式的像素的平面图。图15是沿着图14的线iv-iv'截取的剖视图。在图14中，为了便于描述，示意性地示出了像素pxl的结构。

参照图14和图15，第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2可以位于第一绝缘层ins1上。

第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2可以在第一绝缘层ins1上沿着第一方向dr1彼此隔开，并且可以覆盖第一绝缘层ins1的至少一部分。

第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2可以定位成延伸直到在第一绝缘层ins1中产生的台阶，但是本公开不限于此。在另一实施方式中，第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2可以沿着第一方向dr1以与第二距离w2相同的距离彼此隔开。在另一实施方式中，第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2可以彼此隔开大于第二距离w2的距离。

在一个或多个实施方式中，第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2在平面上可以沿着第二方向dr2延伸。

即使当第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2位于第一绝缘层ins1上时，第一绝缘层ins1和第三电极rfe3也可以包括第一开口op1并暴露第一电极rfe1的至少一部分。在一个或多个实施方式中，第一绝缘层ins1和第四电极rfe4可包括第二开口op2并暴露第二电极rfe2的至少一部分。

第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2可以是包括有机材料的有机绝缘层或包括无机材料的无机绝缘层。当第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2由有机绝缘层制成时，可以简化制造工艺。

根据本实施方式，可以通过第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2进一步增加在第一绝缘层ins1中产生的台阶的高度。例如，可以增加发光元件ld所处的凹槽(或发光元件区域lda)的高度，并且可以将发光元件ld所处的区域进一步限制在第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2之间。因此，可以更有效地防止其中发光元件ld定位得更靠近任一侧的偏心缺陷，并且可以改善显示设备的可靠性。

图16至图18可以是示出根据又一实施方式的像素pxl的图。图16是示意性地示出根据本公开的又一实施方式的像素的平面图。图17和图18是沿着图16的线v-v'截取的剖视图。在图16中，为了便于描述，示意性地示出了像素pxl的结构。

在具有根据图16至图18的结构的像素pxl中，第一堤bnk1和第二堤bnk2可以分别不与第一开口op1和第二开口op2重叠。

首先，参考图16和图17，第一开口op1可以不位于第一堤bnk1上。第一开口op1可以不与第一堤bnk1重叠。第二开口op2可以不位于第二堤bnk2上。第二开口op2可以不与第二堤bnk2重叠。

当在平面上观察时，第一开口op1可以位于发光元件ld所在的区域和第一堤bnk1所在的区域之间。当在平面上观察时，第二开口op2可以位于发光元件ld所在的区域和第二堤bnk2所在的区域之间。

因此，第五电极cte1和第一电极rfe1接触的区域可以位于第一堤bnk1和发光元件ld之间，并且类似地，第六电极cte2和第二电极rfe2接触的区域可以位于第二堤bnk2和发光元件ld之间。然而，第一电极rfe1和第五电极cte1接触的区域不限于上述示例。

图18的实施方式与图17的实施方式的不同之处可以在于，第一堤bnk1和第二堤bnk2位于第一绝缘层ins1上。例如，在根据图18中所示的实施方式的像素pxl的结构中，可以在形成第一绝缘层ins1之后设置第一堤bnk1和第二堤bnk2。在这种情况下，因为第一电极rfe1至第四电极rfe4不位于第一堤bnk1或第二堤bnk2上，所以可以进一步改善电可靠性。

在下文中，将参考图19至图31描述根据一个或多个实施方式的制造显示设备的方法。

图19至图31是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示设备的方法的剖视图。图19至图26中所示的图中的每个可以是沿着图12的线iii-iii'截取的剖视图，并且可以用于描述图12和图13中所示的结构。图27中所示的图是沿着图14的线iv-iv'截取的剖视图，并且可以用于描述图14和图15中所示的结构。图28至图31中所示的图可以是沿着图16的线v-v'截取的剖视图。在这种情况下，图28和图29可以是用于描述图16和图17中所示的结构的图，并且图30和图31可以是用于描述图16和图18中所示的结构的图。

参考图19，可以在衬底sub上依次形成第一导电层bmt1和第二导电层bmt2。第一导电层bmt1和第二导电层bmt2可以形成在衬底sub的整个表面上。

第一导电层bmt1可以是用于形成第一电极rfe1和第二电极rfe2的基础材料，并且包括透明导电材料，诸如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化锌(zno)和铟锡锌氧化物(itzo)。

第二导电层bmt2可以直接形成在第一导电层bmt1上。第二导电层bmt2可以是用于形成第三电极rfe3和第四电极rfe4的基础材料，并且包括诸如al、mg、ag、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、ti、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、cu或其合金的金属。

构成第一导电层bmt1和第二导电层bmt2的材料不限于上述材料。第一导电层bmt1和第二导电层bmt2可以包括不同的材料。例如，与第一导电层bmt1相比，第二导电层bmt2可以由在湿法蚀刻工艺中具有快速侧蚀刻速率的材料制成。

在一些实施方式中，在形成第一导电层bmt1之前，可在衬底sub上形成第一堤bnk1和第二堤bnk2。第一堤bnk1和第二堤bnk2可以沿着第一方向dr1彼此隔开。待定位发光元件ld的空间可以设置在第一堤bnk1和第二堤bnk2之间。参考图20，可以蚀刻第一导电层bmt1以形成第一电极rfe1和第二电极rfe2，并且可以蚀刻第二导电层bmt2以形成第一基础电极rfe3a和第二基础电极rfe4a。

可以通过相同的蚀刻工艺(例如，第一蚀刻工艺)蚀刻第一导电层bmt1和第二导电层bmt2。可以蚀刻第一导电层bmt1以形成沿着第一方向dr1以第一距离w1彼此隔开的第一电极rfe1和第二电极rfe2，并且可以蚀刻第二导电层bmt2以形成在第一方向dr1上彼此隔开的第一基础电极rfe3a和第二基础电极rfe4a。

尽管未在图中示出，但是用于执行蚀刻工艺的光刻胶层可以位于第一导电层bmt1和第二导电层bmt2上。第二导电层bmt2的至少一部分可通过光刻胶层暴露。

图20示出了其中第一导电层bmt1和第二导电层bmt2以相同的间隔蚀刻的结构。例如，通过蚀刻第二导电层bmt2形成的第一基础电极rfe3a和第二基础电极rfe4a也可以以第一距离w1彼此隔开，但本公开不限于此。如上所述，因为第二导电层bmt2的侧蚀刻速率可以大于第一导电层bmt1的侧蚀刻速率，所以第一基础电极rfe3a和第二基础电极rfe4a之间的距离可以大于第一距离w1。

在一个或多个实施方式中，当第一导电层bmt1包括透明电极材料时，通过蚀刻工艺形成的第一电极rfe1和第二电极rfe2可以处于非晶形状态中。

参照图21，可以通过执行用于加热衬底sub的烘烤工艺来结晶第一电极rfe1和第二电极rfe2，并且可以附加地蚀刻第一基础电极rfe3a和第二基础电极rfe4a以形成第三电极rfe3和第四电极rfe4。

可以蚀刻第一导电层bmt1以形成第一电极rfe1和第二电极rfe2，并且可以蚀刻第二导电层bmt2以形成第一基础电极rfe3a和第二基础电极rfe4a。此后，可以执行用于加热衬底sub的烘烤工艺。可通过在200℃或更高的温度下加热衬底sub来执行烘烤工艺，但加热温度不限于此，并且加热温度可为300℃或更高。

通过这种方式，非晶形的第一电极rfe1和第二电极rfe2可以结晶。与非晶形电极相比，因为结晶的第一电极rfe1和第二电极rfe2具有改善的电子传导特性，所以可以改善电子迁移率。此外，结晶的第一电极rfe1和第二电极rfe2可以不在稍后描述的蚀刻工艺中被蚀刻。

可以通过烘烤工艺来结晶第一电极rfe1和第二电极rfe2，并且可以通过另外的蚀刻工艺(例如，第二蚀刻工艺)另外地蚀刻第一基础电极rfe3a和第二基础电极rfe4a。在这种情况下，位于第一基础电极rfe3a和第二基础电极rfe4a上的光刻胶层可以与在第一蚀刻工艺中使用的光刻胶层相同。例如，在第一蚀刻工艺之后，不去除光刻胶层，并且可以执行第二蚀刻工艺。

如上所述，结晶的第一电极rfe1和第二电极rfe2不被蚀刻，并且仅蚀刻第一基础电极rfe3a和第二基础电极rfe4a，使得可以形成第三电极rfe3和第四电极rfe4。第三电极rfe3和第四电极rfe4可以沿着第一方向dr1以第二距离w2彼此隔开。第二距离w2可以大于第一电极rfe1和第二电极rfe2之间的第一距离w1。

第一电极rfe1和第二电极rfe2可以以第一距离w1彼此隔开，并且第三电极rfe3和第四电极rfe4可以以第二距离w2彼此隔开。因此，可以在第一电极rfe1和第二电极rfe2与第三电极rfe3和第四电极rfe4之间产生台阶。这些台阶可以限制稍后将描述的发光元件ld可以定位的空间。

参照图22，可以形成第一绝缘层ins1。可以在衬底sub的整个表面上形成第一绝缘层ins1。第一绝缘层ins1可以整体覆盖位于衬底sub上的组件。例如，第一绝缘层ins1可以覆盖第一电极rfe1至第四电极rfe4。如上所述，第一绝缘层ins1可以包括无机材料或有机材料。

第一绝缘层ins1可以形成为对应于第一电极rfe1和第二电极rfe2与第三电极rfe3和第四电极rfe4之间的台阶的形状，并且发光元件区域lda可以设置在第一电极rfe1和第三电极rfe3之间的第一台阶与第二电极rfe2和第四电极rfe4之间的第二台阶之间。

参照图23，可以去除第一绝缘层ins1的至少一部分。可以通过干法蚀刻工艺去除第一绝缘层ins1的至少一部分，使得可以在第一绝缘层ins1中设置第一开口op1和第二开口op2。

从其去除第一绝缘层ins1的至少一部分的区域可以与稍后设置的第五电极cte1接触第一电极rfe1的区域重叠。例如，可以执行用于蚀刻位于第五电极cte1要连接到第一电极rfe1的区域中的第一绝缘层ins1的工艺。在一些实施方式中，从其去除第一绝缘层ins1的至少一部分的区域可以与稍后设置的第六电极cte2接触第二电极rfe2的区域重叠。例如，可以执行用于蚀刻位于第六电极cte2要连接到第二电极rfe2的区域中的第一绝缘层ins1的工艺。

参照图24，可以去除第三电极rfe3和第四电极rfe4中的每一个的至少一部分。可以去除第三电极rfe3的至少一部分，使得第一开口op1可以包括在第三电极rfe3中。可以去除第四电极rfe4的至少一部分，使得第二开口op2可以包括在第四电极rfe4中。

可以与用于形成像素电极的切割工艺同时执行去除第三电极rfe3和第四电极rfe4中的每一个的至少一部分的工艺。

在该步骤中，从其去除第三电极rfe3的区域可以与形成在第一绝缘层ins1中的第一开口op1的位置重叠。在该步骤中，从其去除第四电极rfe4的区域可以与形成在第一绝缘层ins1中的第二开口op2的位置重叠。

例如，在该步骤中，可以执行用于蚀刻第三电极rfe3和第四电极rfe4的工艺。在这种情况下，位于未形成第一开口op1和第二开口op2的区域中的层(例如，其中未形成第一开口op1的第三电极rfe3)可以被第一绝缘层ins1覆盖，并且可以不通过蚀刻工艺去除。

根据该步骤，可以在第一绝缘层ins1和第三电极rfe3中设置第一开口op1，并且可以在第一绝缘层ins1和第四电极rfe4中设置第二开口op2。参照图25，可以在第一绝缘层ins1上对准发光元件ld。在对准发光元件ld之前，发光元件ld可以以混合在溶液中的状态提供。可以通过喷墨印刷方法将包括发光元件ld的溶液排放到第一绝缘层ins1上。

在这种情况下，可以将第一对准电压施加到第一电极rfe1和第三电极rfe3，并且可以将第二对准电压施加到第二电极rfe2和第四电极rfe4。例如，第一对准电压和第二对准电压中的一个可以是ac电压，并且另一个可以是dc电压(或接地电压)。根据第一对准电压和第二对准电压之间的电势差，溶液中的发光元件ld可以在第一电极rfe1和第二电极rfe2之间(或者在第三电极rfe3和第四电极rfe4之间)对准。

在对准工艺中，可以将发光元件ld对准的位置限制于设置在第一电极rfe1和第三电极rfe3的第一台阶与第二电极rfe2和第四电极rfe4的第二台阶之间的发光元件区域lda。通过这种方式，可以制造发光元件ld在精确位置处对准的显示设备。

在一个或多个实施方式中，发光元件ld的长度wld可以大于第一电极rfe1和第二电极rfe2之间的第一距离w1，并且可以小于第三电极rfe3和第四电极rfe4之间的第二距离w2。因此，第一电极rfe1的至少一部分和第二电极rfe2的至少一部分可以分别在第三方向dr3上与发光元件ld重叠，并且第三电极rfe3和第四电极rfe4可以在第三方向dr3上不与发光元件ld重叠。

此后，参考图26，可以布置第五电极cte1和第六电极cte2。在这种情况下，第五电极cte1可以通过形成在第一绝缘层ins1和第三电极rfe3中的第一开口op1连接到第一电极rfe1。第六电极cte2可以通过形成在第一绝缘层ins1和第四电极rfe4中的第二开口op2连接到第二电极rfe2。此外，在布置第五电极cte1之后，在布置第六电极cte2之前，第二绝缘层ins2可以定位成覆盖第五电极cte1。此后，虽然未在图中示出，但是第三绝缘层ins3可以位于第二绝缘层ins2和第六电极cte2的整个表面上。因此，可以制造根据图12和图13的实施方式的像素pxl和包括像素pxl的显示设备。

接下来，将连同在图14和图15中描述的实施方式一起参考图27来描述根据本公开的另一实施方式的制造显示设备的方法。

如图27中所示，可以通过在第一绝缘层ins1上进一步形成第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2来制造像素pxl。

例如，在第一电极rfe1、第二电极rfe2、第三电极rfe3和第四电极rfe4上形成第一绝缘层ins1之后，可以在对准发光元件ld之前形成第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2。

第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2可以在第一绝缘层ins1上沿着第一方向dr1彼此隔开，并且可以覆盖第一绝缘层ins1的至少一部分。

根据本实施方式，第一绝缘层ins1中产生的台阶的高度可以通过第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2进一步增加。例如，发光元件ld所处的凹槽(或发光元件区域lda)的高度可以增加，并且发光元件ld所处的区域可以进一步限制在第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2之间。因此，可以更有效地防止其中发光元件ld定位得更靠近任一侧的偏心缺陷，并且可以改善显示设备的可靠性。

第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2可以是包括有机材料的有机绝缘层或包括无机材料的无机绝缘层。当第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2由有机绝缘层制成时，可以简化显示设备的制造工艺。

在对准发光元件ld之前，可以另外执行用于形成图8中所示的第一绝缘层ins1的第一开口op1和第二开口op2的干法蚀刻工艺。可以在形成第一开口op1和第二开口op2的工艺中并行(例如，同时)形成第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2。例如，当第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2包括有机绝缘层时，可以不需要用于形成第一绝缘图案insp1和第二绝缘图案insp2的单独的光刻工艺或蚀刻工艺。因此，可简化显示设备的制造工艺且可降低显示设备的制造成本。

此后，虽然未在图中示出，但是可以另外执行用于定位第五电极cte1、第六电极cte2、第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3的工艺。因此，可以制造根据图14和图15的实施方式的像素pxl和包括像素pxl的显示设备。

接下来，将连同参考图16和图17描述的实施方式一起参考图28和图29来描述根据本公开的又一实施方式的制造显示设备的方法。

参考图28，可以在衬底sub上形成第一堤bnk1、第二堤bnk2、第一电极rfe1至第四电极rfe4以及第一绝缘层ins1。

之后，可执行干法蚀刻工艺以在第一绝缘层ins1和第三电极rfe3中设置第一开口op1，并在第一绝缘层ins1和第四电极rfe4中设置第二开口op2。因此，第一电极rfe1可以通过第一开口op1暴露，并且第二电极rfe2可以通过第二开口op2暴露。

在这种情况下，根据本实施方式(例如，参见图28)，第一开口op1可以形成为不与第一堤bnk1重叠，并且第二开口op2可以形成为不与第二堤bnk2重叠。例如，第一开口op1可以位于第一堤bnk1和发光元件ld之间，并且第二开口op2可以位于第二堤bnk2和发光元件ld之间。

参照图29，可以形成第五电极cte1和第六电极cte2。在这种情况下，第五电极cte1和第一电极rfe1连接的区域可以与第一开口op1重叠。此外，第六电极cte2和第二电极rfe2连接的区域可以与第二开口op2重叠。第五电极cte1可以通过不与第一堤bnk1重叠的第一开口op1连接到第一电极rfe1，并且第六电极cte2可以通过不与第二堤bnk2重叠的第二开口op2连接到第二电极rfe2。

此后，可以定位第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3。因此，可以制造根据图16和图17的实施方式的像素pxl和包括像素pxl的显示设备。

接下来，将连同参考图16和图18描述的实施方式一起参考图30和图31来描述根据本公开的又一实施方式的制造显示设备的方法。

参照图30，可以在衬底sub上形成第一电极rfe1至第四电极rfe4和第一绝缘层ins1。此后，可以在第一绝缘层ins1上定位第一堤bnk1和第二堤bnk2。与图28和图29中所示的实施方式不同，根据图30和图31中所示的实施方式，第一堤bnk1和第二堤bnk2可以位于第一绝缘层ins1上。

在定位第一堤bnk1和第二堤bnk2之后，可以在第一绝缘层ins1和第三电极rfe3中形成第一开口op1，并且可以在第一绝缘层ins1和第四电极rfe4中形成第二开口op2。

然而，本公开不限于此。根据一些实施方式，在第一绝缘层ins1、第三电极rfe3和第四电极rfe4中的每一个中形成第一开口op1和第二开口op2之后，可以布置第一堤bnk1和第二堤bnk2。在这种情况下，第一开口op1可以位于第一堤bnk1和发光元件ld之间，并且第二开口op2可以位于第二堤bnk2和发光元件ld之间。例如，根据本实施方式(例如，参见图30至图31)，第一堤bnk1和第二堤bnk2可以位于第一绝缘层ins1上，但是第一开口op1可以位于发光元件ld和第一堤bnk1之间，并且第二开口op2可以位于发光元件ld和第二堤bnk2之间。

此后，参考图31，第五电极cte1可以通过第一开口op1接触第一电极rfe1，并且第六电极cte2可以通过第二开口op2接触第二电极rfe2。在一个或多个实施方式中，通过设置第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3，可以制造根据图16和图18的实施方式的像素pxl和包括像素pxl的显示设备。

根据本公开的一个或多个实施方式，通过将发光元件布置在精确位置中，可以提供具有改善的可靠性的显示设备及制造其的方法。

根据本公开的另一个实施方式，可以提供具有改善的电信号的可靠性的显示设备及制造其的方法。

本公开的方面不限于上述实施方式，并且本领域普通技术人员将从本公开和附图清楚地理解未提及的方面。

以上描述仅仅是对本公开的技术精神的说明，并且本公开所属领域的普通技术人员将能够在不脱离本公开的基本特征的情况下进行各种修改和改变。因此，上述本公开的实施方式可以单独实现或彼此组合实现。

因此，在本公开中公开的实施方式不旨在限制本公开的技术精神，而是旨在解释技术精神。本公开的技术精神的范围不受这些实施方式的限制。本公开的保护范围应当由所附权利要求来解释，并且在与其等同的范围内的所有技术精神应当被解释为包括在本公开的范围内。