介质滤波器的制作方法

本发明涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种介质滤波器。

背景技术：

滤波器是一种无线通信中不可或缺的频率选择器件，以陶瓷为载体的介质滤波器以其紧凑的体积和优良的性能有着越来越广的应用前景。

中国发明专利cn201980001851.9公开了一种陶瓷介质滤波器，所述陶瓷介质滤波器的容性耦合方式是利用双盲孔结构加载te102模式来实现。通过该方式实现容性耦合结构简单，易于实现，但因为工作于te102模式的谐振器本身仍存在te101模式且te101模式的谐振频率较te102模式更低，所以该陶瓷介质滤波器的通带低频会产生寄生谐波，从而影响滤波器在低频的抑制性能。特别是当陶瓷介质滤波器有至少两个工作于te102模式的谐振器时，这些谐振器各自的te101模式会在通带低频产生至少两个寄生谐波，当它们频率接近时谐波相互叠加，严重影响低频的抑制性能。虽然通过调整该谐振器的双盲孔的间距可以一定程度来调整两个模式的谐振频率间隔，但间距的改变不仅同时影响两个模式的频率，而且会改变邻近的耦合量，所以设计时局限较大，对谐波频率的调节量也十分有限。

综上可知，现有技术在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。

技术实现要素：

针对上述的缺陷，本发明的目的在于提供一种介质滤波器，其能够大幅改善低频抑制性能，并且结构简单，易于实现。

为了实现上述目的，本发明提供一种介质滤波器，包括至少一个工作于te102模式的第一谐振器和至少一个工作于te101模式的第二谐振器；

所述第一谐振器的顶面和底面分别包括对称的顶面中心和底面中心；

所述第一谐振器的顶面关于所述顶面中心对称设有一对第一调谐盲孔；

所述第一谐振器的底面在所述底面中心设有底部盲孔；和/或

所述第一谐振器设有贯穿顶面和底面的通孔，且所述通孔位于所述一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上。

根据本发明所述的介质滤波器，所述介质滤波器包括一个所述第一谐振器和至少两个所述第二谐振器，所述第一谐振器的底面在所述底面中心设有所述底部盲孔。

根据本发明所述的介质滤波器，所述介质滤波器包括两个所述第一谐振器和至少两个所述第二谐振器，其中一个所述第一谐振器的底面在所述底面中心设有所述底部盲孔，另一个所述第一谐振器设有贯穿其顶面和底面的所述通孔，且所述通孔位于所述一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上。

根据本发明所述的介质滤波器，所述介质滤波器包括两个所述第一谐振器和至少两个所述第二谐振器，其中一个所述第一谐振器设有贯穿其顶面和底面的所述通孔，且所述通孔位于所述一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上。

根据本发明所述的介质滤波器，所述第一谐振器的所述底部盲孔的深度增加，加载te101模式的谐振频率降低，并且与加载te102模式的谐振频率的间隔增大；和/或

所述第一谐振器的所述通孔与所述顶面中心或所述底面中心的距离减小，加载te101模式的谐振频率升高，并且与加载te102模式的谐振频率的间隔减小。

根据本发明所述的介质滤波器，所述第一谐振器的所述顶面中心为所述第一谐振器的顶面的平面中心或预定中心；

所述第一谐振器的所述底面中心为所述第一谐振器的底面的平面中心或预定中心。

根据本发明所述的介质滤波器，所述第二谐振器的顶面和底面分别包括对称的顶面中心和底面中心；

所述第二谐振器的顶面在所述顶面中心设有一个第二调谐盲孔，所述第一调谐盲孔的深度大于所述第二调谐盲孔的深度。

根据本发明所述的介质滤波器，所述第一谐振器通过调整所述第一调谐盲孔的直径、深度和/或间距，使加载te102模式的谐振频率处于预定的滤波器通带频率附近；和/或

所述第二谐振器通过调整所述第二调谐盲孔的直径、深度和/或间距，使加载te101模式的谐振频率处于预定的滤波器通带频率附近。

根据本发明所述的介质滤波器，所述第二谐振器的所述顶面中心为所述第二谐振器的顶面的平面中心或预定中心；

所述第二谐振器的所述底面中心为所述第二谐振器的底面的平面中心或预定中心。

根据本发明所述的介质滤波器，所述介质滤波器包括至少两个所述第二谐振器，其中两个所述第二谐振器的底面在所述底面中心分别有一个输入端口盲孔和一个输出端口盲孔，所述输入端口盲孔用于输入信号，所述输出端口盲孔用于输出信号。

根据本发明所述的介质滤波器，所述输入端口盲孔和所述输出端口盲孔的周围分别设有由非金属材料制成的隔离环。

根据本发明所述的介质滤波器，所述介质滤波器包括陶瓷介质块主体，所述陶瓷介质块主体上设有至少一个隔离通槽和/或隔离通孔，所述隔离通槽和/或所述隔离通孔将所述陶瓷介质块主体分割为至少一个所述第一谐振器和至少一个所述第二谐振器；所述第一谐振器和所述第二谐振器之间通过所述陶瓷介质块主体的介质连接段实现耦合。

根据本发明所述的介质滤波器，所述第一谐振器和所述第二谐振器的表面包覆有由金属材料制成的电镀层。

本发明介质滤波器包括工作于te102模式的第一谐振器和工作于te101模式的第二谐振器，利用加载te101和加载te102两种谐振模式的电磁场分布差异，在第一谐振器中增加一个底部盲孔和/或一个通孔，其能够在对加载te102模式频率影响较小的情况下，降低或升高加载te101模式的频率，从而实现对低频寄生谐波的灵活调节。优选地，当第一谐振器的底面在底面中心设置底部盲孔时，随着底部盲孔的深度增加，加载te101模式的谐振频率降低，与加载te102模式的谐振频率间隔加大，从而使低频的寄生谐波远离工作通带；而当在第一谐振器设置贯穿顶面和底面的通孔，且所述通孔位于一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上时，随着所述通孔与中心的距离减小，加载te101模式的谐振频率升高，与加载te102模式的谐振频率间隔缩小，从而能够有效改善采用te102模式容性耦合的介质滤波器的低频谐波，特别是可避免存在至少两个寄生te101模式的低频谐波频率相近，相互叠加的导致低频抑制加剧恶化的情况。借此，本发明能够大幅改善介质滤波器的低频抑制性能，并且结构简单，易于实现，进一步提升了设计灵活度和适应性。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的第一谐振器设置底部盲孔的结构示意图；

图2是本发明第一实施例提供的加载te101模式的第一谐振器的电场分布示意图；

图3是本发明第一实施例提供的加载te102模式的第一谐振器的电场分布示意图；

图4是本发明第一实施例提供的加载te101模式和te102模式的第一谐振器的谐振频率与盲孔深度的关系图；

图5是本发明第一实施例提供的加载te101模式和te102模式的第一谐振器的品质因素q与盲孔深度的关系图；

图6是本发明第二实施例提供的第一谐振器设置通孔的结构示意图；

图7是本发明第二实施例提供的加载te101模式和te102模式的第一谐振器的谐振频率与盲孔深度的关系图；

图8是本发明第二实施例提供的加载te101模式和te102模式的第一谐振器的品质因素q与盲孔深度的关系图；

图9为本发明第三实施例提供的介质滤波器的正反面结构示意图；

图10为本发明第三实施例提供的介质滤波器的频率响应曲线对比图；

图11为本发明第四实施例提供的介质滤波器的正反面结构示意图；

图12为本发明第四实施例提供的介质滤波器的频率响应曲线对比图。

附图标记：

介质滤波器100；第一谐振器10；第二谐振器20；

第一调谐盲孔11；底部盲孔12；通孔13；

第二调谐盲孔21；输入端口盲孔22；输出端口盲孔22；

隔离环30；陶瓷介质块主体40；隔离通槽41；

隔离通孔42。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

需要说明的，本说明书中针对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的引用，指的是描述的该实施例可包括特定的特征、结构或特性，但是不是每个实施例必须包含这些特定特征、结构或特性。此外，这样的表述并非指的是同一个实施例。进一步，在结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，不管有没有明确的描述，已经表明将这样的特征、结构或特性结合到其它实施例中是在本领域技术人员的知识范围内的。

此外，在说明书及后续的权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件或部件，所属领域中具有通常知识者应可理解，制造商可以用不同的名词或术语来称呼同一个组件或部件。本说明书及后续的权利要求并不以名称的差异来作为区分组件或部件的方式，而是以组件或部件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及后续的权利要求书中所提及的“包括”和“包含”为一开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。以外，“连接”一词在此系包含任何直接及间接的电性连接手段。间接的电性连接手段包括通过其它装置进行连接。

图1～图12示出了本发明介质滤波器的结构，所述介质滤波器100优选以陶瓷为载体，包括至少一个工作于te102模式的第一谐振器10和至少一个工作于te101模式的第二谐振器20，介质滤波器100通过加载te102模式的第一谐振器10来实现的容性耦合。本发明利用加载te101和加载te102两种谐振模式的电磁场分布差异，在工作于te102模式的第一谐振器10中增加一个底部盲孔12和/或一个通孔13，来实现对低频寄生谐波的灵活调节。

如图1和图6所示，所述第一谐振器10的顶面和底面分别包括对称的顶面中心和底面中心。优选的是，第一谐振器10的顶面中心为第一谐振器10的顶面的平面中心或预定中心等，所述预定中心是指预先设定的中心，该预定中心可以是顶面上任意的点。第一谐振器10的底面中心为第一谐振器10的底面的平面中心或预定中心等，所述预定中心是指预先设定的中心，该预定中心可以是底面上任意的点。第一谐振器10的顶面关于顶面中心对称设有一对第一调谐盲孔11。由于加载te101模式较加载te102模式的谐振频率更低，当第一谐振器10集成在介质滤波器100中时，加载te101模式会在通带低频产生寄生谐波。

如图1所示的第一实施例中，所述第一谐振器10的底面在底面中心设有底部盲孔12。从图2和图3的电场分布示意图中可发现，加载te101和加载te102模式的电磁场分布在底部盲孔12附近有较大差别。在加载te101模式下底部盲孔12的底部的电场较强，方向垂直于底部盲孔12的底面；而在加载te102模式下底部盲孔12的底部的电场很弱，方向平行于底部盲孔12的底面。可见，新增的底部盲孔12对加载te101模式的谐振频率影响较大，而对加载te102模式的谐振频率基本没有影响。

优选的是，所述第一谐振器10的底部盲孔12的深度增加，加载te101模式的谐振频率降低，并且与加载te102模式的谐振频率的间隔增大。如图4所示，随着底部盲孔12的深度的增加，加载te101模式的谐振频率下降了近500mhz，而加载te102模式的谐振频率仅下降了约10mhz。本实施例中第一谐振器10的高度为6mm，底部盲孔12的深度等于3mm时为第一谐振器10整体高度的一半。当然，第一谐振器10的高度可以根据实际需要设定，并不受任何限制。如图5所示，底部盲孔12的加入对谐振器的品质因素q值影响较小，说明底部盲孔12的引入基本不影响介质滤波器100的插入损耗等通带性能。

优选的是，所述第一谐振器10引入的底部盲孔12的截面形状包括但不限于圆形、方形等形状，可选地，本实施例将底部盲孔12的截面形状呈圆形设置，以提高底部盲孔12的加工便利性，并易于对底部盲孔12的加工精度进行保障。

优选的是，所述第一谐振器10通过调整一对第一调谐盲孔11的直径、深度和/或间距，可以使加载te102模式的谐振频率处于预定所需的滤波器通带频率附近。第一调谐盲孔11用于产生电容加载，使得第一谐振器10工作于te102模式。第一调谐盲孔11呈盲孔设置，一方面，可以留出调谐余量，另一方面，可通过改变第一调谐盲孔11的直径、深度和/或间距，调节第一调谐盲孔11的谐振频率。第一调谐盲孔11的截面形状包括但不限于圆形、方形等形状，可选地，本实施例将第一调谐盲孔11的截面形状呈圆形设置，以提高第一调谐盲孔11的加工便利性，并易于对第一调谐盲孔11的加工精度进行保障。

优选的是，第一谐振器10的表面包覆有由金属材料制成的电镀层。本实施例采用导电率较高的铜或银制成电镀层，可进一步减少介质滤波器100的插入损耗，进而提升介质滤波器100的性能。

针对现有介质滤波器的te102模式容性耦合的设计局限，本发明第一实施例中介质滤波器100对工作于te102模式的第一谐振器10的结构进行优化，提出在所述第一谐振器10增加一个底部盲孔12来调整其te101模式频率，由于加载te101和加载te102两种谐振模式的电磁场分布差异，在第一谐振器10设置底部盲孔12，能够在对加载te102模式频率影响较小的情况下降低te101模式的谐振频率，使得加载te101模式的谐振频率与加载te102模式频率的间隔加大，从而使低频的寄生谐波远离工作通带，实现对介质滤波器100的低频寄生谐波频率的调节，提升介质滤波器100在低频的抑制性能，并且结构简单，易于实现。

如图6所示的第二实施例中，所述第一谐振器10设有贯穿顶面和底面的通孔13，且通孔13位于一对第一调谐盲孔11之间的连线对应的中垂线上。图6与图1所示的第一谐振器10的差别在于：将设置于底部中心处的底部盲孔12替换为设置于成对第一调谐盲孔11的连线的中垂线上的通孔13，由于加载te101和加载te102两种模式在该中垂线上的电磁场分布差异，新增的通孔13对加载te101模式的谐振频率影响较大，而对加载te102模式的谐振频率基本没有影响。具体而言，通孔13的引入能够将加载te101模式的调谐频率升高，而对加载te102模式的调谐频率的升高影响相对较小。

优选的是，所述第一谐振器10引入的通孔13与顶面中心或底面中心的距离减小，加载te101模式的谐振频率升高，并且与加载te102模式的谐振频率的间隔减小。如图7所示，随着通孔13在一对第一调谐盲孔11的连线对应的中垂线上平移，当通孔13与中心(即顶面中心或底面中心)距离减小时，te101模式的谐振频率和te102模式的谐振频率的间隔不断缩小。但与前述增加底部盲孔12有别的是，如图8所示，随着通孔13与中心距离减小，两个模式的品质因素q也会有一定程度下降。因此可知，引入通孔13的方法一般用于将低频寄生谐波向高频方向移动到特定频段，或避免多个低频谐波相互叠加。实际应用中尽量增大通孔13与中心的距离来避免其对第一谐振器10的品质因素q的影响。

优选的是，所述第一谐振器10引入的通孔13的截面形状包括但不限于圆形、方形等形状，可选地，本实施例将通孔13的截面形状呈圆形设置，以提高通孔13的加工便利性，并易于对通孔13的加工精度进行保障。

针对现有介质滤波器的te102模式容性耦合的设计局限，本发明第二实施例中介质滤波器100对工作于te102模式的第一谐振器10的结构进行优化，提出在第一谐振器10增加通孔13来调整其te101模式频率，由于加载te101和加载te102两种谐振模式的电磁场分布差异，在第一谐振器10设置通孔13，能够在对加载te102模式频率影响较小的情况下升高te101模式的谐振频率，从而可有效改善采用te102模式容性耦合的介质滤波器100的低频谐波，特别是对于存在至少两个寄生te101模式的低频谐波频率相近，相互叠加的导致低频抑制加剧恶化的情况，并且结构简单，易于实现。

优选的是，所述介质滤波器100包括陶瓷介质块主体40，陶瓷介质块主体40上设有至少一个隔离通槽41和/或隔离通孔42，所述隔离通槽41和/或隔离通孔42将陶瓷介质块主体40分割为至少一个第一谐振器10和至少一个第二谐振器20。第一谐振器10和第二谐振器20之间通过陶瓷介质块主体40的介质连接段实现耦合。本发明陶瓷介质块主体40优选呈矩形块结构，当然在其他实施例中也可根据需要而采用其他任意形状。

优选的是，所述介质滤波器100包括一个第一谐振器10和至少两个第二谐振器20，第一谐振器10的底面在底面中心设有底部盲孔12。

如图9所示的第三实施例中，所述介质滤波器100为六阶介质滤波器，设计通带频段为3.4～3.6ghz。图9中介质滤波器100包含陶瓷介质块主体40，所述陶瓷介质块主体40由多个隔离通槽41和一个隔离通孔42分割为六个谐振器，其中五个为工作于加载te101模式的第二谐振器20，另有一个工作于加载te102模式的第一谐振器10。其中，第一谐振器10至少与一第二谐振器20容性耦合，并至少与一第二谐振器20感性耦合，任一第二谐振器20至少与其余第二谐振器20其中之一感性耦合。第一谐振器10的顶面关于顶面中心对称设有一对第一调谐盲孔11。第一谐振器10的底面在底面中心设有底部盲孔12，通过调整底部盲孔12的深度来降低第一谐振器10加载te101模式的频率，从而使低频的寄生谐波远离工作通带。

优选的是，所述第二谐振器20的顶面和底面分别包括对称的顶面中心和底面中心。所述第二谐振器20的顶面中心为第二谐振器20的顶面的平面中心或预定中心等，所述预定中心是指预先设定的中心，该预定中心可以是顶面上任意的点。第二谐振器20的底面中心为第二谐振器20的底面的平面中心或预定中心等，所述预定中心是指预先设定的中心，该预定中心可以是底面上任意的点。各所述第二谐振器20的顶面在顶面中心设有一个第二调谐盲孔21，第一调谐盲孔11的深度大于第二调谐盲孔21的深度，使第一谐振器10工作于加载的te102模式下，从而与相邻谐振器产生容性耦合。

优选的是，所述第二谐振器20通过调整第二调谐盲孔21的直径、深度和/或间距，使加载te101模式的谐振频率处于预定的滤波器通带频率附近，即各第二谐振器20通过调整各自第二调谐盲孔21的深度来调节各第二谐振器20的加载量从而实现对各自频率的调节。第二调谐盲孔21用于产生电容加载，使得第二谐振器20工作于te101模式。第二调谐盲孔21呈盲孔设置，一方面，可以留出调谐余量，另一方面，可通过改变第二调谐盲孔21的直径、深度和/或间距，调节第二调谐盲孔21的谐振频率。进一步地，第二调谐盲孔21的截面形状包括但不限于圆形、方形等形状，可选地，本实施例将第二调谐盲孔21的截面形状呈圆形设置，以提高第二调谐盲孔21的加工便利性，并易于对第二调谐盲孔21的加工精度进行保障。

优选的是，所述第一谐振器10和第二谐振器20之间通过陶瓷介质块主体40的介质连接段实现耦合。即一个第一谐振器10和五个第二谐振器20被隔离通槽41和隔离通孔42分割后，第一谐振器10和各第二谐振器20之间通过陶瓷介质块主体40上剩余的介质连接段形成相互间的耦合。

优选的是，所述介质滤波器100包括至少两个第二谐振器20，其中两个第二谐振器20的底面在底面中心分别有一个输入端口盲孔22和一个输出端口盲孔22，输入端口盲孔22用于输入信号，输出端口盲孔22用于输出信号。更好的是，输入端口盲孔22和输出端口盲孔22的周围分别设有由非金属材料制成的隔离环30，用于将输入端口盲孔22和输出端口盲孔22与其他表面镀层分割。

优选的是，所述陶瓷介质块主体40除隔离环30外的表面均包覆有由金属材料制成的电镀层。本实施例采用导电率较高的铜或银制成电镀层，可进一步减少介质滤波器100的插入损耗，进而提升介质滤波器100的性能。

图10为本发明第三实施例提供的介质滤波器引入底部盲孔前后的频率响应曲线对比图，从图中可见，在加载te102模式的第一谐振器10的底部增设底部盲孔12前后，介质滤波器100在工作通带附近的频率响应曲线基本没有变化，而低频的寄生谐波从原来的2.95ghz变为了2.78ghz，不仅距离工作通带的间距更远，而且谐波的幅度也降低了约10db，对低频段的抑制性能起到较大的改善作用。

优选的是，所述介质滤波器100包括两个第一谐振器10和至少两个第二谐振器20，其中一个第一谐振器10的底面在底面中心设有底部盲孔12，另一个第一谐振器10设有贯穿其顶面和底面的通孔13，且通孔13位于一对第一调谐盲孔11的连线对应的中垂线上。

如图11所示的第四实施例中，所述介质滤波器100为八阶介质滤波器，设计通带频段为2.515～2.675ghz。除了工作频率和阶数的差异外，该第四实施例与第三实施例的最大区别在于其包含有两个工作于te102模式的第一谐振器10，分别位于两个四极子的交叉耦合结构中以便在介质滤波器100的工作通带两侧分别生成两个传输零点，因此在通带的低频存在两个各自te101模式带来的寄生谐波。

具体而言，图11中介质滤波器100包含陶瓷介质块主体40，所述陶瓷介质块主体40由多个隔离通槽41和多个隔离通孔42分割为八个谐振器，其中六个为工作于加载te101模式的第二谐振器20，另有两个工作于加载te102模式的第一谐振器10，两个第一谐振器10的顶面关于顶面中心均对称设有一对第一调谐盲孔11。其中，任一第一谐振器10至少与一第二谐振器20容性耦合，并至少与一第二谐振器20感性耦合，任一第二谐振器20至少与其余第二谐振器20其中之一感性耦合。本实施例中，左下角的第一谐振器10的底面在底面中心设有底部盲孔12，通过调整底部盲孔12的深度来降低第一谐振器10加载te101模式的频率，从而使低频的寄生谐波远离工作通带。右上角的第一谐振器10设有贯穿其顶面和底面的通孔13，且通孔13位于其一对第一调谐盲孔11的连线对应的中垂线上，通孔13的引入能够将右上角的第一谐振器10加载te101模式的调谐频率升高，从而解决两个第一谐振器10所产生的两个寄生谐波相互叠加，严重影响低频的抑制性能的问题。

图12为本发明第四实施例提供的介质滤波器引入底部盲孔和通孔前后的频率响应曲线对比图，原设计未引入本发明的增设底部盲孔12和通孔13，由于两个寄生谐波的频率相近，在很大程度上形成相互叠加，对2.05～2.1ghz频段的抑制性能较大。根据本发明方法，在左下角的第一谐振器10的底面中心增设底部盲孔12来降低第一谐振器10中加载te101模式的频率，使最低频的寄生谐波频率进一步下降约100mhz；同时在右下角的谐振器10中一对第一调谐盲孔11的连线对应的中垂线上引入通孔13来升高第一谐振器10加载te101模式频率，使另一寄生谐波频率升高约40mhz，使两寄生谐波间距增大，相互叠加效应减弱，整体谐波幅度降低近20db，从而有效提升了低频的抑制性能。

本发明第四实施例中利用加载te101和加载te102两种谐振模式的电磁场分布差异，两个第一谐振器10分别设置底部盲孔12和通孔13，能够在对加载te102模式频率影响较小的情况下降低或升高加载te101模式的频率。当其中一个第一谐振器10在底部中心增设底部盲孔12时，随着底部盲孔12的深度增加，加载te101模式的频率变低，与加载te102模式频率间隔加大；而当另一个第一谐振器10中在一对第一调谐盲孔11的连线对应的中垂线上引入通孔13时，随着该通孔13与中心的距离减小，加载te101模式的频率升高，与加载te102模式频率间隔缩小。从而实现对滤波器的低频寄生谐波频率的调节，并解决两个寄生te101模式的低频谐波频率相近，相互叠加的导致低频抑制加剧恶化的情况，利用本发明结构可以把谐波频率分开，大幅改善低频抑制性能，结构简单，易于实现，从而提升了设计灵活度和适应性。

在本发明第五实施例中，所述介质滤波器100包括两个第一谐振器10和至少两个第二谐振器20，其中一个第一谐振器10设有贯穿其顶面和底面的通孔13，且通孔13位于一对第一调谐盲孔11的连线对应的中垂线上。本发明第五实施例中介质滤波器100对工作于te102模式的第一谐振器10的结构进行优化，提出在第一谐振器10增加通孔13来调整其te101模式频率，由于加载te101和加载te102两种谐振模式的电磁场分布差异，在第一谐振器10设置通孔13，能够在对加载te102模式频率影响较小的情况下升高te101模式的谐振频率，可解决存在至少两个寄生te101模式的低频谐波频率相近，相互叠加的导致低频抑制加剧恶化的情况，从而实现对低频寄生谐波的抑制。

优选的是，本发明介质滤波器100中的各第一谐振器10和各第二谐振器20一体成型。基于上述设置，一方面，可在一定程度上提高介质滤波器100的生产便利性，即提高介质滤波器100的生产效率，利于其批量生产；另一方面，可降低各第一谐振器10和各第二谐振器20相互之间的加工误差，从而对各第一谐振器10和各第二谐振器20相互之间的位置精度进行了保障，利于实现对各第一谐振器10和各第二谐振器20相互之间的耦合量进行精确控制，即利于对介质滤波器100的制造精度进行保障。

综上所述，本发明介质滤波器包括工作于te102模式的第一谐振器和工作于te101模式的第二谐振器，利用加载te101和加载te102两种谐振模式的电磁场分布差异，在第一谐振器中增加一个底部盲孔和/或一个通孔，其能够在对加载te102模式频率影响较小的情况下，降低或升高加载te101模式的频率，从而实现对低频寄生谐波的灵活调节。优选地，当第一谐振器的底面在底面中心设置底部盲孔时，随着底部盲孔的深度增加，加载te101模式的谐振频率降低，与加载te102模式的谐振频率间隔加大，从而使低频的寄生谐波远离工作通带；而当在第一谐振器设置贯穿顶面和底面的通孔，且所述通孔位于一对第一调谐盲孔的连线对应的中垂线上时，随着所述通孔与中心的距离减小，加载te101模式的谐振频率升高，与加载te102模式的谐振频率间隔缩小，从而能够有效改善采用te102模式容性耦合的介质滤波器的低频谐波，特别是可避免存在至少两个寄生te101模式的低频谐波频率相近，相互叠加的导致低频抑制加剧恶化的情况。借此，本发明能够大幅改善介质滤波器的低频抑制性能，并且结构简单，易于实现，进一步提升了设计灵活度和适应性。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。