1.一种平面型vdmos器件，其特征在于，包括衬底、外延层、第一栅介质层、栅极、体区、源区、接触体和深体区；
所述外延层层叠设置于所述衬底上，所述第一栅介质间隔所述外延层与所述栅极，所述体区设置于所述外延层中，所述源区、所述深体区与所述接触体均设置于所述体区中；
其中，所述体区的上表面从所述外延层中露出，所述源区与所述接触体从所述体区中露出，所述接触体接触所述源区侧边设置，所述深体区设置于所述源区与所述接触体下方，包裹所述接触体并与所述接触区和所述源区接触；
所述源区中的掺杂类型为第一掺杂类型，所述接触体为多晶硅接触体且其掺杂类型为与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型，所述体区和所述深体区的掺杂类型均为第二掺杂类型，所述接触体与深体区中的掺杂浓度均高于所述体区。
2.根据权利要求1所述的平面型vdmos器件，其特征在于，所述接触体嵌入所述体区的深度大于所述源区嵌入所述体区的深度。
3.根据权利要求2所述的平面型vdmos器件，其特征在于，所述接触体嵌入所述体区的深度为2μm～3μm。
4.根据权利要求2所述的平面型vdmos器件，其特征在于，所述体区的厚度为d，所述接触体嵌入所述体区的深度≤80％d。
5.根据权利要求1～4任一项所述的平面型vdmos器件，其特征在于，所述第一栅介质层的厚度为
6.根据权利要求5所述的平面型vdmos器件，其特征在于，还包括第一金属层和包覆所述栅极的第二栅介质层，所述第一金属层整体覆盖所述第二栅介质层、所述源区和所述接触体，且所述第一金属层接触所述源区与所述接触体。
7.根据权利要求1～4任一项所述的平面型vdmos器件，其特征在于，还包括第二金属层，所述第二金属层设置于所述衬底层远离所述外延层的一侧表面上，所述接触体中的掺杂浓度低于所述源区中的掺杂浓度。
8.一种平面型vdmos器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在设置于衬底上的外延层上制备图案化的第一栅介质层和栅极，栅极形成于第一栅介质层上；
对所述第一栅介质层之间的外延层进行体区注入及热驱入处理，在所述外延层中形成掺杂类型为第二掺杂类型的体区；
在所述体区表面形成暴露源区区域的源区光刻胶，并在所述体区表面的所述源区区域进行源区注入，去除所述源区光刻胶并进行热驱入处理，制备源区；
制备暴露接触体区域的接触体光刻胶，并刻蚀所述体区表面的所述接触体区域，形成接触体沟槽，去除所述接触体光刻胶并在所述接触体沟槽内沉积掺杂类型为第二掺杂类型的多晶硅，制备接触体；
加热所述接触体，使所述接触体内的掺杂元素向所述体区内扩散，形成深体区。
9.根据权利要求8所述的平面型vdmos器件的制作方法，其特征在于，在进行体区注入处理的过程中，注入能量为50kev～130kev，注入剂量为1×1013个/cm2～9×1013个/cm2；和/或
在进行源区注入的过程中，注入能量为30kev～100kev，注入剂量为5×1015个/cm2～1×1016个/cm2。
10.根据权利要求8或9所述的平面型vdmos器件的制作方法，其特征在于，所述接触体光刻胶的图形与所述源区光刻胶的图形相反。