技术特征：
1.一种发光二极管，其包括：衬底；衬底上的外延结构，包括在衬底上由下至上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极和第二电极，其中所述第一电极电连接至第一半导体层，所述第二电极电连接至第二半导体层；所述第一电极至少包括第一焊盘电极，所述第二电极至少包括第二焊盘电极和第二接触电极，第二接触电极位于第二半导体层之上，所述第二接触电极至少两个，其中一个第二接触电极具有条状部分；绝缘层，位于所述第二半导体层之上，并覆盖所述第二接触电极，所述第二焊盘电极形成在所述绝缘层上，且设置有贯穿所述绝缘层的第一通孔和第二通孔；所述第二焊盘电极通过所述第一通孔与所述具有条状部分的第二接触电极电连接，通过所述第二通孔与其它的第二接触电极电连接；从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：所述发光二极管具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一短边、第一长边、第二短边和第二长边，所述的第一短边相对于第一长边和第二长边更短；第一焊盘电极相对于第二焊盘电极更靠近第一短边；所述第一通孔与第一短边的距离小于第二通孔与第一短边的距离，所述第一通孔与第一长边的距离小于第二通孔与第一长边的距离，所述的条状部分与发光二极管表面几何中心具有一定的最小间距，所述的最小间距大于0。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述其中一个第二接触电极包括点状部分和条状部分，所述第一通孔位于所述第二接触电极的点状部分上，所述的第二接触电极的条状部分形状是直线或者是曲线或者是不同延申方向的直线组合或者是直线和曲线组合。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：定义一条中心线平行于第一长边和第二长边，且位于第一长边和第二长边之间的中间位置；所述第一通孔位于中心线与第一长边之间，并且第一通孔与第一短边之间的距离大于第一通孔与第二短边之间的距离，所述最小间距位于第一长边和第二长边之间。4.根据权利要求3所述的发光二级管，其特征在于：从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：所述第二接触电极的条状部分点状部分开始延申出去，延申方向是：先逐渐靠近第一长边和第一短边，再靠近第二长边和第一短边。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：所述第二接触电极的条状部分自点状部分开始延申出去，延申方向是:先平行于第一长边延申，再弯曲靠近第二长边和第一短边。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：所述第二接触电极的条状部分平行于第一长边延申至末端。
7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第一通孔和第二通孔均位于中心线与第一长边之间；所述第二通孔与中心线之间的最短距离小于第一通孔与中心线之间的最短距离。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：定义一条中心线平行且等距地位于第一长边和第二长边之间的中间位置；所述第一通孔位于中心线与第一长边之间，第二通孔就位于中心线上或者第一通孔和第二通孔位于中心线的两侧。9.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极的条状部分弯曲时的弯曲点与第一长边的距离为发光二极管本体第一短边尺寸的0～1/3，所述第二接触电极的末端与第一长边的距离为发光二极管第一短边尺寸的1/3～2/3。10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：所述一个第二接触电极的条状部分与发光二极管表面几何中心的最小间距大于等于25μm。11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述条状部分与发光二极管表面几何中心的最小间距大于等于35μm。12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二接触电极的条状部分长度为所述发光二极管本体第一长边的30％～60％。13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一通孔和第二通孔的孔径小于所述第一短边长度的一半。14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：第一电极包括第一焊盘电极和第一接触电极；所述第一焊盘电极形成在所述绝缘层上，且所述绝缘层具有贯穿的第三通孔，所述第一焊盘电极通过所述第三通孔与所述第一接触电极电连接。15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极自所述第三通孔下方由第一焊盘电极向第二焊盘电极方向延伸，且与所述第二焊盘电极在竖直面上的投影最短距离大于零。16.根据权利要求15所述的发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极与所述第二焊盘电极的在竖直面上的投影最短距离为5～50μm。17.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，所述第一接触电极包括一条状结构，所述第一接触电极的条状结构位于所述外延结构的边缘区域。18.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一接触电极的条状结构的长度为发光二极管本体第一长边长度的1/5～2/5。19.根据权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管本体的长度为8mil～45mil，宽度为3mil～8mil。20.根据权利要求1
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18任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极之间的最短距离为60～300μm。21.根据权利要求1
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18任一项所述的发光二极管，其特征在于，从外延结构的远离所述衬底的一侧俯视所述发光二极管：
所述第一焊盘电极和第二焊盘电极面积之和与发光二极管本体的面积比不小于1/2。22.根据权利要求1
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18任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第一长边和第一短边的长度比例至少为2：1。23.根据权利要求19所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管本体的长度为20mil，宽度为6mil时，所述第一接触电极条状部分的长度为120μm～180μm，所述第二接触电极条状部分的长度为180μm～300μm。24.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述具有条状部分的第二接触电极为一个，其余的第二接触电极为点状。25.一种发光模块，其特征在于，采用如权利要求1
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24任一项所述的发光二极管。26.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求25所述的发光模块。
技术总结
本发明涉及发光二极管制造技术领域，特别涉及一种发光二极管、光电模块及显示装置。本发明通过控制发光二极管第二接触电极的条状部分与发光二极管表面几何中心的最小间距，既扩大顶针作业窗口，避免顶针顶破接触电极凸起区域而容易顶破导致芯片异常的问题，又通过设置第二焊盘电极上通过的位置，避免了因接触电极进行变化导致的电流变化而引起的发光二极管发光不均匀的问题。管发光不均匀的问题。管发光不均匀的问题。
技术研发人员：何安和 林素慧 曾江斌 卢超 黄敏 张中英
受保护的技术使用者：厦门三安光电有限公司
技术研发日：2021.04.29
技术公布日：2021/9/6