显示装置和制造显示装置的方法与流程

1.实施例涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。


背景技术：

2.显示装置可以根据输入信号显示图像。
3.显示装置可以包括发射用于形成图像的光的发光元件，并且可以包括覆盖发光元件的封装层。封装层可以保护发光元件免受杂质影响。当封装层损坏时，杂质可能流入发光元件中并且可能损坏发光元件。


技术实现要素：

4.实施例可以涉及一种封装层不被损坏的显示装置。
5.实施例可以涉及一种可以防止损坏显示装置的封装层的制造显示装置的方法。
6.根据实施例的一种显示装置可以包括下述元件：基底，显示图像的像素区域和透射外部光的透射区域限定在所述基底上；第一电极，所述第一电极在所述基底上设置在所述像素区域中；居间层，所述居间层在所述第一电极上设置在所述像素区域中并且包括发射层和至少一个公共层；第二电极，所述第二电极在所述居间层上设置在所述像素区域中；表面控制层，所述表面控制层设置在位于所述居间层上的所述第二电极和所述透射区域之间并且包括氟化合物；以及封装层，所述封装层在所述像素区域和所述透射区域中设置在所述第二电极和所述表面控制层上。
7.所述第二电极可以与所述表面控制层不重叠。
8.所述第二电极可以仅与所述表面控制层的边缘重叠。
9.所述显示装置还可以包括聚集颗粒，所述聚集颗粒设置在所述表面控制层和所封装层之间并且包括与所述第二电极相同的材料。
10.在截面图中，所述表面控制层可以平行于所述基底。
11.在截面图中，所述表面控制层可以相对于所述基底倾斜。
12.在平面图中，所述表面控制层可以围绕所述透射区域。
13.所述氟化合物可以包括二氟亚甲基基团、三氟甲基基团和氟硅烷中的至少一种。
14.所述第二电极可以包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、锂(li)、钙(ca)、铟(in)和镱(yb)中的至少一种。
15.所述表面控制层的表面能可以大于0mj/m2并且小于或等于大约30mj/m2。
16.所述显示装置还可以包括封盖层，所述封盖层在所述像素区域中设置在所述第二电极和所述封装层之间。
17.所述至少一个公共层、所述表面控制层以及所述封盖层可以分别具有与所述透射区域重叠的第一开口、第二开口和第三开口，并且可以由所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口限定透射窗。
18.所述封装层可以包括第一无机封装层、设置在所述第一无机封装层上的有机封装
层以及设置在所述有机封装层上的第二无机封装层。
19.所述发射层可以与所述第一电极重叠。
20.所述至少一个公共层可以包括第一公共层，所述第一公共层设置在所述第一电极和所述发射层之间；和第二公共层，所述第二公共层设置在所述发射层和所述第二电极之间。
21.根据实施例的一种制造显示装置的方法可以包括下述步骤：在显示图像的像素区域中在基底上形成第一电极；在所述像素区域中以及在透射外部光的透射区域中在所述第一电极上形成居间层，所述居间层包括发射层和至少一个公共层；在所述透射区域中在所述居间层上形成表面控制层；在所述像素区域中在所述居间层上形成第二电极，所述第二电极与所述表面控制层相邻；去除所述居间层和所述表面控制层的与所述透射区域重叠的部分以形成透射窗；以及在所述像素区域和所述透射区域中在所述表面控制层和所述第二电极上形成封装层。
22.可以通过用激光照射去除所述居间层和所述表面控制层的所述部分。
23.可以将所述激光照射到所述表面控制层内部。
24.所述方法还可以包括：在去除所述居间层和所述表面控制层的所述部分之前，在所述表面控制层和所述第二电极上形成封盖层，并且所述封盖层的与所述透射区域重叠的一部分可以与所述居间层和所述表面控制层的所述部分一起被去除。
25.所述表面控制层可以通过气相沉积、湿法涂覆或丝网印刷形成。
26.实施例可以涉及一种显示装置。所述显示装置可以包括：第一电极、第二电极、发射层、中间层以及第一封装层。所述第二电极可以与所述第一电极重叠。所述发射层可以设置在所述第一电极和所述第二电极之间，可以与所述第一电极重叠，并且可以包括发光材料。所述中间层可以直接接触所述第二电极，可以与所述第一电极和所述发射层中的每一个间隔开，并且可以包括氟化合物。所述第一封装层的第一部分可以与所述发射层重叠。所述中间层可以位于所述第二电极和所述第一封装层的第二部分之间。
27.在所述中间层的厚度方向上，所述第二电极可以与所述中间层不重叠。
28.在所述中间层的厚度方向上，所述第二电极可以与所述中间层的边缘重叠，与所述中间层的中心部分不重叠。
29.所述显示装置可以包括聚集颗粒，所述聚集颗粒设置在所述中间层和所述第一封装层之间并且包括与所述第二电极相同的材料。
30.所述中间层的最大面可以平行于所述发射层的最大面。
31.所述中间层的最大面可以相对于所述发射层的最大面是斜的。
32.所述显示装置可以包括基底。所述第二电极可以与所述基底的一部分不重叠。在所述显示装置的平面图中，所述中间层可以围绕所述基底的所述部分。
33.所述氟化合物可以包括二氟亚甲基基团、三氟甲基基团和氟硅烷中的至少一种。
34.所述第二电极可以包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、锂(li)、钙(ca)、铟(in)和镱(yb)中的至少一种。
35.所述中间层的表面能可以大于0mj/m2并且小于或等于30mj/m2。
36.所述显示装置可以包括封盖层，所述封盖层设置在所述第二电极和所述第一封装层之间并且与所述发射层重叠。
37.所述显示装置可以包括公共层和基底。所述公共层可以直接接触所述发射层。所述公共层、所述中间层和所述封盖层可以分别具有暴露所述基底的相同部分的第一开口、第二开口和第三开口。
38.所述显示装置可以包括第二封装层和设置在所述第一封装层和所述第二封装层之间的有机封装层。所述第一封装层和所述第二封装层中的至少一个可以由无机材料形成。
39.所述中间层可以直接接触所述第一封装层的所述第二部分。
40.所述显示装置可以包括下述元件：第一公共层，所述第一公共层设置在所述第一电极和所述发射层之间；和第二公共层，所述第二公共层设置在所述发射层和所述第二电极之间。
41.实施例可以涉及一种制造显示装置的方法。所述方法可以包括下述步骤：形成第一电极；形成发射层，所述发射层与所述第一电极重叠并且包括发光材料；形成中间材料层，所述中间材料层与所述第一电极和所述发射层中的每一个间隔开并且包括氟化合物；形成第二电极，所述第二电极直接接触所述中间材料层；部分地去除所述中间材料层以形成包括暴露侧的中间层；以及形成第一封装层，所述第一封装层与所述发射层重叠并且直接接触所述中间层的所述暴露侧。
42.可以通过激光部分地去除所述中间材料层以暴露所述中间层的所述暴露侧。
43.可以在所述中间材料层的周边之内照射所述激光。
44.所述方法还可以包括：在部分地去除所述中间材料层之前，在所述中间材料层和所述第二电极上形成封盖材料层。在部分地去除所述中间材料层时或者就在去除所述中间材料层之前，可以部分地去除所述封盖材料层以形成封盖层。
45.所述中间材料层可以通过气相沉积、湿法涂覆或丝网印刷形成。
46.根据实施例的一种显示装置可以包括设置在第二电极和透射区域之间并且包括氟化合物的表面控制层(或中间层)，使得所述封装层可以不被所述第二电极的端部上的毛刺损坏。
47.在制造根据实施例的显示装置的方法中，可以去除居间层和表面控制层(中间层)的与基底的透射区域重叠的部分，以形成透射窗，使得没有可能在第二电极的一端上产生明显的毛刺，或者可以使来自所述第二电极的散射颗粒最小化。有利地，可以不损坏所述显示装置的封装层。
附图说明
48.图1是示出根据实施例的显示装置的一部分的平面图。
49.图2是示出根据实施例的图1中的第一区域的平面图。
50.图3是示出根据实施例的图1中的第二区域的平面图。
51.图4是示出根据实施例的沿着图2中的线i
‑
i'截取的显示装置的截面图。
52.图5是示出根据实施例的图4中的表面控制层和第二电极的平面图。
53.图6是示出根据实施例的显示装置的截面图。
54.图7是示出根据实施例的显示装置的截面图。
55.图8是示出根据实施例的显示装置的截面图。
56.图9、图10、图11、图12、图13、图14和图15是示出根据一个或多个实施例的在制造显示装置的方法中形成的结构的图。
具体实施方式
57.参照附图描述示例实施例。尽管可以使用术语“第一”、“第二”等描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。在不脱离一个或多个实施例的教导的情况下，第一元件可以被命名为第二元件。将元件描述为“第一”元件可以不需要或暗示第二元件或其它元件的存在。术语“第一”、“第二”等可以用于区分不同的元件类型或集合。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别代表“第一类型(或第一集合)”、“第二类型(或第二集合)”等。
58.术语“连接”可以意指“电学连接”或“不通过中间元件电学连接”。术语“绝缘”可以意指“电学绝缘”或“电学隔离”。术语“导电”可以意指“电学导电”。术语“层”可以意指“构件”。术语“接触”可以意指“直接接触”。术语“表面控制层”可以意指“中间层(intervening layer)”。
59.图1是示出根据实施例的显示装置100的一部分的平面图。
60.参照图1，显示装置100可以包括第一区域a1和第二区域a2。第一区域a1和第二区域a2中的每一个可以是用于显示图像的显示区域。第一区域a1可以包括透射外部光的透射区域。因为第一区域a1包括透射区域，所以第一区域a1的透射率可以大于第二区域a2的透射率。第一区域a1可以在显示图像(的一部分)的同时透射入射到第一区域a1中的外部光。
61.第一区域a1和第二区域a2可以彼此相邻。第二区域a2可以围绕第一区域a1的至少一部分。例如，在显示装置100的平面图中，第一区域a1可以设置在显示区域100的内部并且与显示装置100的边缘间隔开，并且第二区域a2可以基本围绕第一区域a1。
62.在平面图中，第一区域a1可以具有圆形形状。在显示装置100的平面图中，第一区域a1可以具有各种多边形形状中的一种或多种。
63.功能模块300可以设置在显示装置100的后表面上。在平面图中，功能模块300可以设置在第一区域a1中。功能模块300可以接收通过第一区域a1透射的外部光。
64.功能模块300可以包括下述中的至少一种：用于捕获(或识别)定位在显示装置100的前表面上的物体的图像的照相机模块、用于检测用户的面部的面部识别传感器模块、用于检测用户的眼睛的瞳孔识别传感器、用于确定显示装置100的运动的加速度传感器模块和/或地磁传感器模块、用于检测显示装置100的前表面是否靠近的接近传感器模块和/或红外传感器模块、以及用于测量外部亮度程度的照度传感器模块。
65.图2是示出根据实施例的图1中的第一区域a1的平面图。图3是示出根据实施例的图1中的第二区域a2的平面图。
66.参照图1至图3，第一区域a1可以包括第一像素区域pa1、透射区域ta和第一周围区域(surrounding area)sa1；第二区域a2可以包括第二像素区域pa2和第二周围区域sa2。第一像素区域pa1和第二像素区域pa2中的每一个可以包括用于发射光的像素。
67.第一像素区域pa1可以包括发射具有不同颜色的光的第一子像素区域sra1、sga1和sba1。第二像素区域pa2可以包括发射具有不同颜色的光的第二子像素区域sra2、sga2和sba2。第一子像素区域sra1、sga1和sba1可以包括发射红光的第一红色像素区域sra1、发射
绿光的第一绿色像素区域sga1和发射蓝光的第一蓝色像素区域sba1。第二子像素区域sra2、sga2和sba2可以包括发射红光的第二红色像素区域sra2、至少一个发射绿光的第二绿色像素区域sga2和发射蓝光的第二蓝色像素区域sba2。
68.透射区域ta可以透射入射到显示装置100中的外部光。因为第一区域a1包括透射外部光的透射区域ta，所以设置在显示装置100的后表面上的与第一区域a1对应的功能模块300可以通过透射区域ta检测或识别定位在显示装置100的前表面上的物体或用户。第一周围区域sa1可以围绕第一像素区域pa1和透射区域ta。第二周围区域sa2可以围绕第二像素区域pa2。第一周围区域sa1和第二周围区域sa2中的每一个可以不发射光，并且可以基本不透射外部光。
69.因为第一区域a1包括透射区域ta，所以每单位面积的第一子像素区域sra1、sga1和sba1的数量可以小于每单位面积的第二子像素区域sra2、sga2和sba2的数量。第一区域a1的分辨率可以小于第二区域a2的分辨率。
70.第一子像素区域sra1、sga1和sba1的布置或结构可以不同于第二子像素区域sra2、sga2和sba2的布置或结构。例如，在显示装置100的平面图中，第一子像素区域sra1、sga1和sba1可以布置为条纹方式，边缘平行于显示装置100的边缘，并且在显示装置100的平面图中，第二子像素区域sra2、sga2和sba2可以布置为pentile(tm)，边缘相对于显示装置100的边缘是斜的。第一像素区域pa1可以包括一个第一红色像素区域sra1、一个第一绿色像素区域sga1和一个第一蓝色像素区域sba1。第二像素区域pa2可以包括一个第二红色像素区域sra2、两个第二绿色像素区域sga2和一个第二蓝色像素区域sba2。
71.在平面图中，透射区域ta可以具有各种形状中的至少一种。如图2中所示，在平面图中透射区域ta可以具有八角形形状。在平面图中透射区域ta可以具有六角形形状或圆形形状等。
72.图4是示出根据实施例的沿着图2中的线i
‑
i'截取的显示装置100的截面图。图5是示出根据实施例的图4中的表面控制层210和第二电极220的平面图。
73.第二区域a2的第二像素区域pa2和第二周围区域sa2的截面结构可以与第一区域a1的第一像素区域pa1和第一周围区域sa1的截面结构基本相同或相似。相应地，第一区域a1的描述可以基本适用于第二区域a2。
74.参照图2、图3、图4和图5，显示装置100可以包括基底110，多个半导体或导电层120、140、161和162，多个无机绝缘层130和150，平坦化层170，第一电极180，像素限定层190，居间层(intermediate layer)200，表面控制层210，第二电极220，封盖层230和封装层240。
75.基底110可以是透明绝缘基底。例如，基底110可以由玻璃、石英或塑料等形成。基底110可以包括与显示装置100的像素区域、透射区域和周围区域对应的像素区域、透射区域和周围区域。
76.半导体或导电层120、140、161和162位于基底110上的不同层中。半导体或导电层120、140、161和162可以包括有源层120、栅极电极140、源极电极161和漏极电极162。半导体或导电层120、140、161和162可以设置在第一像素区域pa1、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和/或第二周围区域sa2中。在如图4所示的实施例中，半导体或导电层120、140、161和162设置在第一像素区域pa1中。
77.无机绝缘层130和150可以执行半导体或导电层120、140、161和162之间的绝缘，并且可以设置在基底110上。无机绝缘层130和150可以包括栅极绝缘层130和层间绝缘层150。
78.有源层120可以设置在基底110上。有源层120可以由非晶硅、多晶硅或氧化物半导体等形成。有源层120可以包括源极区、漏极区以及设置在源极区和漏极区之间的沟道区。可以在源极区和漏极区中掺杂p型或n型杂质，并且可以在沟道区中掺杂与源极区和漏极区的杂质不同类型的杂质。
79.栅极绝缘层130可以设置在有源层120上。栅极绝缘层130可以覆盖基底110上的有源层120。栅极绝缘层130可以使栅极电极140与有源层120绝缘。栅极绝缘层130可以由诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料形成。
80.在实施例中，栅极绝缘层130可以设置在第一像素区域pa1、透射区域ta、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和第二周围区域sa2中。如图4中所示，在第一区域a1中，栅极绝缘层130可以设置在第一像素区域pa1、透射区域ta和第一周围区域sa1中。类似地，在第二区域a2中，栅极绝缘层130可以设置在第二像素区域pa2、透射区域ta和第二周围区域sa2中。在另一实施例中，栅极绝缘层130可以设置在第一像素区域pa1、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和第二周围区域sa2中，并且可以不设置在透射区域ta中。
81.栅极电极140可以设置在栅极绝缘层130上。栅极电极140可以与有源层120的沟道区重叠。栅极电极140可以由诸如金属或合金等的导电材料形成。例如，栅极电极140可以由钼(mo)或铜(cu)等形成。
82.层间绝缘层150可以设置在栅极电极140上。层间绝缘层150可以覆盖在栅极绝缘层130上的栅极电极140。层间绝缘层150可以使源极电极161和漏极电极162与栅极电极140绝缘。层间绝缘层150可以由诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料形成。
83.在如图4中所示的实施例中，层间绝缘层150可以设置在第一像素区域pa1、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和第二周围区域sa2中，并且可以不设置在透射区域ta中。在另一实施例中，层间绝缘层150可以设置在第一像素区域pa1、透射区域ta、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和第二周围区域sa2中。
84.源极电极161和漏极电极162可以设置在层间绝缘层150上。源极电极161可以连接到有源层120的源极区，并且漏极电极162可以连接到有源层120的漏极区。源极电极161和漏极电极162可以由诸如金属或合金等的导电材料形成。例如，源极电极161和漏极电极162可以由钼(mo)或铜(cu)等形成。有源层120、栅极电极140、源极电极161和漏极电极162可以形成晶体管tr。晶体管tr可以设置在第一像素区域pa1和第二像素区域pa2中的每一个中。
85.平坦化层170可以设置在源极电极161和漏极电极162上。平坦化层170可以覆盖源极电极161和漏极电极162的突出超过层间绝缘层150的部分。平坦化层170可以保护晶体管tr，并且可以在晶体管tr上方提供平坦化表面。平坦化层170可以由诸如聚酰亚胺(pi：polyimide)等的有机绝缘材料形成。平坦化层170可以设置在第一像素区域pa1、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和第二周围区域sa2中，并且可以不设置在透射区域ta中。
86.第一电极180可以设置在平坦化层170上。第一电极180可以连接到源极电极161或漏极电极162。第一电极180可以设置在第一像素区域pa1和第二像素区域pa2中的每一个中。第一电极180可以由诸如金属或透明导电氧化物等的导电材料形成。
87.像素限定层190可以设置在第一电极180上。像素限定层190可以包括像素开口，像
素开口暴露第一电极180的中心部分从而限定第一像素区域pa1或第二像素区域pa2。像素限定层190可以将第一电极180的边缘与第二电极220间隔开，从而防止在第一电极180的边缘和第二电极220之间的潜在电弧。像素限定层190可以由诸如聚酰亚胺(pi)等的有机绝缘材料形成。像素限定层190可以设置在第一周围区域sa1和第二周围区域sa2中，并且可以不设置在第一像素区域pa1、透射区域ta和/或第二像素区域pa2中。
88.居间层200可以设置在第一电极180和像素限定层190上。居间层200可以包括发射层202以及至少一个公共层201和/或203。居间层200可以包括第一公共层201、发射层202和第二公共层203。
89.第一公共层201可以设置在第一电极180和像素限定层190上。第一公共层201可以具有单层结构或多层结构。第一公共层201可以包括空穴注入层和/或空穴传输层。第一公共层201还可以包括在空穴注入层和/或空穴传输层上的其它功能层。第一公共层201可以设置在第一像素区域pa1、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和第二周围区域sa2中，并且可以不设置在透射区域ta中。
90.发射层202可以设置在第一公共层201上。发射层202可以与第一电极180重叠。发射层202可以设置在第一像素区域pa1和第二像素区域pa2中的每一个中，并且可以不设置在透射区域ta、第一周围区域sa1和第二周围区域sa2中。发射层202可以包括有机发光材料和量子点中的至少一种。
91.有机发光材料可以包括低分子有机化合物或高分子有机化合物。例如，低分子有机化合物可以包括铜酞菁(cupc：copper phthalocyanine)、二苯基联苯胺(npd：n,n'
‑
二苯基联苯胺、n,n'
‑
diphenylbenzidine)和三羟基喹啉铝(alq3：三
‑
(8
‑
羟基喹啉)铝、tris
‑
(8
‑
hydroxyquinoline)aluminum)等中的至少一种。高分子有机化合物可以包括聚乙撑二氧噻吩(pedot：聚(3,4
‑
乙撑二氧噻吩)、poly(3,4
‑
ethylenedioxythiophene))、聚苯胺(pani：polyaniline)、聚苯撑乙烯撑(ppv：polyphenylenevinylene)和聚芴(pf：polyfluorene)等。
92.量子点可以包括核，该核包括下述中的至少一种：ii
‑
vi族化合物、iii
‑
v族化合物、iv
‑
vi族化合物、iv族元素、iv族化合物以及这些化合物中的一些的组合。量子点可以具有核
‑
壳结构，该核
‑
壳结构包括核和围绕核的壳。壳可以防止核的化学变性，并且可以充当用于保持半导体特性的保护层以及充当用于向量子点赋予电泳特性的充电层。
93.第二公共层203可以设置在第一公共层201和发射层202上。第二公共层203可以具有单层结构或多层结构。第二公共层203可以包括电子传输层和/或电子注入层。第二公共层203还可以包括在电子传输层和/或电子注入层上的其它功能层。第二公共层203可以设置在第一像素区域pa1、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和第二周围区域sa2中，并且可以不设置在透射区域ta中。
94.第二电极220可以设置在居间层200上。第二电极220可以与第一电极180相对，居间层200设置在第一电极180和第二电极220之间。第二电极220可以设置在第一像素区域pa1、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和第二周围区域sa2中，并且可以不设置在透射区域ta中。
95.第二电极220可以包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、锂(li)、钙(ca)、铟(in)和镱(yb)中的至少一种。第一电极180、居间层200和第二电极220可以形成发光元件el。发光元件el
可以设置在第一像素区域pa1和第二像素区域pa2中的每一个中。
96.表面控制层210可以设置在居间层200上并且设置在第二电极220和透射区域ta之间。表面控制层210可以设置在第一周围区域sa1和第二周围区域sa2中，并且可以不设置在第一像素区域pa1、透射区域ta和第二像素区域pa2中。因为表面控制层210设置在第二电极220和透射区域ta之间，所以第二电极220可以与透射区域ta间隔开。
97.在基底110的厚度方向上，第二电极220可以与表面控制层210不重叠。第二电极220的侧表面220s可以接触表面控制层210的侧表面210s。由于第二电极220与表面控制层210不重叠，因此第二电极220的侧表面220s可以与透射区域ta间隔开。
98.在显示装置100的截面图(例如，图4)中，表面控制层210可以平行于基底110延伸。
99.在显示装置100的平面图(例如，图5)中，表面控制层210可以围绕透射区域ta。在显示装置100的平面图中，第二电极220可以围绕表面控制层210。当透射区域ta在平面图中具有八角形形状时，表面控制层210可以在平面图中具有围绕透射区域ta的八角形环形形状。
100.表面控制层210可以包括一种或多种氟(f)化合物。氟化合物可以包括二氟亚甲基基团(difluoromethylene group)、三氟甲基基团(trifluoromethyl group)和氟硅烷(fluorosilane)中的至少一种。
101.在室温下，表面控制层210的表面张力可以大于0mj/m2并且小于或等于大约30mj/m2。因为表面控制层210具有在上述范围内的表面张力，所以第二电极220和表面控制层210之间的粘附力可以小于第二电极220和居间层200之间的粘附力。
102.第二电极220可以通过金属自图案化方法形成。特别地，当在居间层200上已经形成表面控制层210之后在居间层200上形成第二电极220时，鉴于第二电极220和表面控制层210之间的相对低的粘附力，第二电极220可以仅形成在居间层200的不被表面控制层210覆盖的一部分上。有利地，可以在没有额外图案化工艺的情况下形成图案化的第二电极220。
103.封盖层230可以设置在表面控制层210和第二电极220上。封盖层230可以保护发光元件el，并且可以帮助从发光元件el发射的光被有效地发射。封盖层230可以包括诸如n,n'
‑
二(1
‑
萘基)
‑
n,n'
‑
二苯基[1,1'
‑
联苯基]
‑
4,4'
‑
二胺(α
‑
npd：n,n'
‑
bis(1
‑
naphthyl)
‑
n,n'
‑
diphenyl[1,1'
‑
biphenyl]
‑
4,4'
‑
diamine)、n,n'
‑
二(萘
‑1‑
基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
联苯胺(npb：n,n'
‑
di(naphthalene
‑1‑
yl)
‑
n,n'
‑
diphenyl
‑
benzidine)、n,n'
‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
[1,1'
‑
联苯基]
‑
4,4'
‑
二胺(tpd：n,n'
‑
bis(3
‑
methylphenyl)
‑
n,n'
‑
diphenyl
‑
[1,1
‑
biphenyl]
‑
4,4'
‑
diamine)、4,4',4
”‑
三(3
‑
甲基苯基苯氨基)三苯胺(m
‑
mtdata：4,4',4
”‑
tris(3
‑
methylphenylphenylamino)triphenylamine)、alq3、cupc等的有机材料中的至少一种和/或诸如lif、mgf2、caf2等的无机材料中的至少一种。封盖层230可以设置在第一像素区域pa1、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和第二周围区域sa2中，并且可以不设置在透射区域ta中。
[0104]
显示装置100可以包括与透射区域ta重叠的透射窗tw。透射窗tw可以由显示装置100的元件的开口限定，该开口与透射区域ta重合。栅极绝缘层130、层间绝缘层150、平坦化层170、像素限定层190、居间层200、表面控制层210和封盖层230中的至少一个可以具有与透射区域ta重合的开口。
[0105]
至少一个公共层201和/或203、表面控制层210以及封盖层230可以分别包括与透
射区域ta重叠的第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3。至少一个公共层201和/或203的第一开口op1、表面控制层210的第二开口op2以及封盖层230的第三开口op3可以形成透射窗tw。
[0106]
当各层堆叠在透射区域ta中时，在相邻层之间的界面处反射的外部光的反射率可能增加。根据实施例的显示装置100可以在透射区域ta处包括透射窗tw，使得可以减少透射区域ta中的相邻层之间的界面的数量。有利地，可以降低在相邻层之间的界面处反射的外部光的反射率。
[0107]
封装层240可以设置在封盖层230上。封装层240可以包括至少一个无机封装层241和/或243以及至少一个有机封装层242。
[0108]
封装层240的与第一像素区域pa1、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和第二周围区域sa2重叠的一部分可以设置在发光元件el上，可以阻挡来自外部的杂质不流入发光元件el中，并且可以保护发光元件el免受外部冲击。封装层240的与透射区域ta重叠的一部分可以填充透射窗tw。封装层240可以具有遍及第一像素区域pa1、透射区域ta、第一周围区域sa1、第二像素区域pa2和第二周围区域sa2的平坦化上表面。
[0109]
封装层240可以包括覆盖封盖层230并且沿着透射窗tw形成的第一无机封装层241、设置在第一无机封装层241上的有机封装层242以及设置在有机封装层242上的第二无机封装层243。第一无机封装层241和第二无机封装层243可以减少或基本阻止诸如氧气、湿气等的杂质流入发光元件el中。有机封装层242可以改善封装层240的密封特性，可以减轻第一无机封装层241和第二无机封装层243的内部应力，可以补偿第一无机封装层241和第二无机封装层243的不足，并且可以向第二无机封装层243提供平坦化上表面。
[0110]
图6是示出根据实施例的显示装置101的截面图。除了第二电极220的结构之外，参照图6描述的显示装置101的元件可以与参照图4描述的显示装置100的元件基本相同或相似。
[0111]
参照图6，第二电极220可以与表面控制层210的边缘(第一部分)重叠并且可以与表面控制层210的中心部分(第二部分)不重叠。例如，第二电极220可以与表面控制层210的外边缘重叠并且可以与表面控制层210的中心部分和内边缘不重叠。表面控制层210的外边缘是表面控制层210的远离透射区域ta的边缘，表面控制层210的内边缘是表面控制层210的与外边缘相对的靠近透射区域ta的边缘，并且表面控制层210的中心部分是位于表面控制层210的外边缘和内边缘之间的部分。第二电极220的侧部的下表面220l可以接触表面控制层210的侧部的上表面210u。因为第二电极220仅与表面控制层210的边缘重叠，所以第二电极220的侧表面可以与透射区域ta间隔开。
[0112]
图7是示出根据实施例的显示装置102的截面图。除了聚集颗粒225之外，参照图7描述的显示装置102的元件可以与参照图4描述的显示装置100的元件基本相同或相似。
[0113]
参照图7，显示装置102可以包括设置在表面控制层210和封盖层230之间的聚集颗粒225。聚集颗粒225可以包括与第二电极220的材料基本相同的材料。例如，聚集颗粒225可以包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、锂(li)、钙(ca)、铟(in)和镱(yb)中的至少一种。当通过金属自图案化方法形成第二电极220时，形成第二电极220的材料可以聚集，并且可以作为聚集颗粒225保留在表面控制层210上。
[0114]
图8是示出根据实施例的显示装置103的截面图。除了表面控制层210、第二电极
220等的结构之外，参照图8描述的显示装置103的元件可以与参照图4描述的显示装置100的元件基本相同或相似。
[0115]
参照图8，在截面图中，表面控制层210可以相对于基底110倾斜/是斜的。在截面图中，表面控制层210可以在与基底110的延伸方向不同的(并且相对于基底110的延伸方向是斜的)方向上延伸。表面控制层210可以设置在居间层200的倾斜侧壁上，倾斜侧壁与位于下方的基底110的表面形成锐角，并且相应地，在截面图中表面控制层210的延伸方向可以与基底110的延伸方向形成锐角。
[0116]
图9、图10、图11、图12、图13、图14和图15是示出根据一个或多个实施例的在制造显示装置100、101、102和103的方法中形成的结构的图。在下面的方法描述中，元件与用于形成该元件的层可以使用相同的元件名称和附图标记。
[0117]
总体而言，在实施例中，制造显示装置的方法可以包括下述步骤：形成第一电极；形成发射层，发射层与第一电极重叠并且包括发光材料；形成中间材料层，中间材料层与第一电极和发射层中的每一个间隔开并且包括氟化合物；形成第二电极，第二电极直接接触中间材料层；部分地去除中间材料层以形成包括暴露侧的中间层；以及形成第一封装层，第一封装层与发射层重叠并且直接接触中间层的暴露侧。可以通过激光部分地去除中间材料层以暴露中间层的暴露侧。可以在中间材料层的周边之内照射激光。该方法还可以包括：在部分地去除中间材料层之前，在中间材料层和第二电极上形成封盖材料层。在部分地去除中间材料层时或者就在去除中间材料层之前，可以部分地去除封盖材料层以形成封盖层。
[0118]
参照图9和图10，可以在形成有第一电极180和居间层200的基底110上形成表面控制层(中间材料层)210。
[0119]
可以在基底110上顺序地形成有源层120、栅极绝缘层130、栅极电极140、层间绝缘层150、源极电极161和漏极电极162、平坦化层170、第一电极180以及像素限定层190。有源层120、栅极电极140、源极电极161和漏极电极162可以形成晶体管tr。可以在像素区域pa(例如，包括子像素区域sra、sga和sba)、透射区域ta和周围区域sa中形成栅极绝缘层130。可以在像素区域pa和周围区域sa中形成有源层120、栅极电极140、层间绝缘层150、源极电极161和漏极电极162、平坦化层170以及第一电极180。可以在周围区域sa中形成像素限定层190。
[0120]
随后，可以在第一电极180和像素限定层190上形成居间层200。可以顺序地形成第一公共层201、发射层202和第二公共层203以形成居间层200。可以在像素区域pa、透射区域ta和周围区域sa中形成第一公共层201和第二公共层203。可以在像素区域pa中形成发射层202。
[0121]
随后，可以在透射区域ta中在居间层200上形成表面控制层210。可以在周围区域sa的与透射区域ta相邻的一部分中形成表面控制层210。相应地，在平面图中，表面控制层210的面积可以大于透射区域ta的面积。在平面图中，透射区域ta可以位于表面控制层210的内部。
[0122]
可以通过诸如化学气相沉积(cvd)或物理气相沉积(pvd)的气相沉积、湿法涂覆或丝网印刷形成表面控制层210。
[0123]
可以在设置在栅极绝缘层130上的居间层200的平坦化表面上形成表面控制层210(见例如图4、图6和图7中的显示装置100、101和102)。也可以在设置在平坦化层170和像素
限定层190上的居间层200的倾斜表面上形成表面控制层210(见例如图8中的显示装置103)。
[0124]
参照图11和图12，可以在居间层200上形成与表面控制层210相邻的第二电极220。
[0125]
可以在居间层200的不被表面控制层210覆盖的一部分上形成第二电极220。第一电极180、居间层200和第二电极220可以形成发光元件el。可以在像素区域pa和与像素区域pa相邻的周围区域sa的一部分中形成第二电极220。可以通过金属自图案化方法形成第二电极220。特别地，鉴于第二电极220和表面控制层210之间的相对低的粘附力，可以仅在居间层200的不被表面控制层210覆盖的一部分上形成第二电极220。可以在没有额外的图案化工艺情况下形成图案化的第二电极220。
[0126]
在基底110的厚度方向上，第二电极220可以与表面控制层210不重叠(见例如图4中的显示装置100)。第二电极220可以与表面控制层210的边缘重叠(见例如图6中的显示装置101)。在通过金属自图案化形成第二电极220的工艺中，形成第二电极220的材料可以聚集，并且可以作为聚集颗粒225保留在表面控制层210上(见例如图7中的显示装置102)。
[0127]
参照图13，可以在表面控制层210和第二电极220上形成封盖层(封盖材料层)230。可以在像素区域pa、透射区域ta和周围区域sa中形成封盖层230。
[0128]
参照图14，可以去除居间层200、表面控制层210和封盖层230的与透射区域ta重叠的部分以形成透射窗tw。
[0129]
可以通过激光的照射去除居间层200、表面控制层210和封盖层230的与透射区域ta重叠的部分。可以在居间层200(例如，第一公共层201和第二公共层203)、表面控制层210和封盖层230的与透射区域ta重合的部分中分别形成第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3，并且可以由第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3限定透射窗tw。
[0130]
可以将激光照射到表面控制层210的内侧。相应地，在平面图中可以在表面控制层210的内部形成透射窗tw。可以不将激光照射到第二电极220。
[0131]
可以从封盖层230上方照射激光以形成透射窗tw。可以从基底110的下方照射激光以形成透射窗tw。
[0132]
参照图15，可以在封盖层230上形成封装层240。可以在显示区域pa、透射区域ta和周围区域sa中的每一个中顺序地形成第一无机封装层241、有机封装层242和第二无机封装层243以形成封装层240，由此得到显示装置100(例如图4中的显示装置100)。
[0133]
如果在透射区域ta中不形成表面控制层210，并且如果照射激光以部分地去除在像素区域pa、透射区域ta和周围区域sa中形成的第二电极220，则激光可能在第二电极220的端部/边缘部分上产生毛刺(burr)，并且在部分地去除第二电极220的工艺中可能产生散射颗粒。结果，在封盖层230上形成封装层240的工艺中，第二电极220的毛刺可能损坏封装层240的第一无机封装层241，并且散射颗粒可能造成污染。在实施例中，可以在透射区域ta中形成表面控制层210，并且在平面图中可以在表面控制层210的周边之内照射激光(其中，表面控制层210的周边由在图13中示出的表面控制层210的两个相对边缘代表)，使得在第二电极220的端部/边缘部分上可以不产生毛刺，和/或从第二电极220可以不产生明显的散射颗粒。有利地，可以不损坏封装层240的第一无机封装层241。
[0134]
根据一个或多个实施例的显示装置可以被包括在计算机、笔记本计算机、移动电话、智能电话、智能板、便携式多媒体播放器(pmp)、个人数字助理(pda)或mp3播放器等中。
[0135]
尽管已经参照附图描述了示例实施例，但是在不脱离在下述权利要求中限定的范围的情况下，可以修改和改变示例实施例。