技术特征：
1.一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构，其特征在于，包括衬底硅(8)，衬底硅(8)上设置有掺杂层，掺杂层上表面四周沉淀有凸出设置的场氧化层(2)；所述场氧化层(2)内侧的掺杂层上表面覆盖栅氧化层(6)；所述栅氧化层(6)覆盖的掺杂层上表面四周设置有嵌入掺杂层的环状第一接触电极，上表面中部设置有两个条状第二接触电极，分别对应嵌入掺杂层的两个掺杂区；所述栅氧化层(6)上表面沉积有多晶硅栅极(7)；所述多晶硅栅极(7)两端分别与环状第一接触电极的对应栅氧化层(6)区域重叠设置。2.根据权利要求1所述一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构，其特征在于，所述掺杂层中包括间隔设置的p阱(1)和n阱(5)；p阱(1)和n阱(5)接触界面形成pn结，所述多晶硅栅极(7)沿pn结方向设置。3.根据权利要求2所述一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构，其特征在于，所述多晶硅栅极(7)位于两个条状第二接触电极之间，并覆盖对应p阱(1)和n阱(5)之间的pn结。4.根据权利要求2所述一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构，其特征在于，所述条状第二接触电极平行于p阱(1)和n阱(5)之间的pn结设置。5.根据权利要求1所述一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构，其特征在于，所述多晶硅栅极(7)一侧与一个条状第二接触电极的对应栅氧化层(6)区域相邻设置，另一侧与另一个条状第二接触电极的对应栅氧化层(6)区域间隔设置。6.根据权利要求1所述一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构，其特征在于，所述栅氧化层(6)的厚度为50nm
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100nm。7.根据权利要求1所述一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构，其特征在于，所述掺杂层包括依次设置的p阱(1)、n阱(5)和p阱(1)，环状第一接触电极为p型源漏接触电极(3)；两个条状第二接触电极为分别设置在n阱(5)和一个p阱(1)的n型源漏接触电极(4)。8.根据权利要求1所述一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构，其特征在于，所述掺杂层包括依次设置的n阱(5)、p阱(1)和n阱(5)，环状第一接触电极为n型源漏接触电极(4)，两个条状第二接触电极为分别设置在p阱(1)和一个n阱(5)的p型源漏接触电极(3)。9.一种抗总剂量辐射加固ldmos器件的制备方法，其特征在于，基于权利要求1
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8所示任意一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构，包括以下步骤：衬底硅(8)表面生长离子注入预氧层，对其光刻并退火，完成阱掺杂，形成掺杂层；掺杂层上表面生长垫氧化层并淀积屏蔽氮化硅，光刻形成场氧化窗口；去除表面氮化硅及有源区氧化层；在场氧化窗口内的边缘处光刻掺杂层形环状第一接触电极，在场氧化窗口内部光刻掺杂层形成条状第二接触电极，并完成源漏杂质注入及去胶，退火完成源漏掺杂；在场氧化窗口内生长栅氧化层(6)，并在生长栅氧化层(6)上淀积多晶硅，光刻形成多晶硅栅极(7)；完成抗总剂量辐射加固ldmos器件的制备。10.根据权利要求9所述一种抗总剂量辐射加固ldmos器件的制备方法，其特征在于，当衬底硅(8)为n型硅则先光刻形成n阱窗口并完成n型硼杂质注入及去胶，再进行光刻形成p阱窗口并完成p型硼杂质注入及去胶；当衬底硅(8)为p型硅，则光刻形成p阱窗口并完成p型硼杂质注入及去胶，再进行光刻形成n阱窗口并完成n型硼杂质注入及去胶。
技术总结
本发明公开一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法，在衬底硅上间隔设置掺杂层，在掺杂层上端面的边部设置有部分嵌入的场氧化层，能有效提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离，同时能够减小多晶硅栅极与硅衬底之间的寄生电容；场氧化层内侧紧邻设置嵌入沟道的环状第一接触电极，且场氧化层内侧沉淀栅氧化层；环状第一接触电极上表面设置平整条状的多晶硅栅极，多晶硅栅极两端补分别与环状第一接触电极的对应栅氧化层区域重叠设置，多晶条形带界定了有源区的边界，可挡住注入的离子，注入离子的区域形成有源区。注入离子的区域形成有源区。注入离子的区域形成有源区。
技术研发人员：王成熙 杜欣荣 王清波 赵杰 卓青青 温富刚
受保护的技术使用者：西安微电子技术研究所
技术研发日：2021.06.15
技术公布日：2021/9/17