技术特征：
1.一种磊晶半导体结构，其特征在于，包括：基板，具有相对的第一表面与第二表面；半导体层，形成于所述第一表面上；以及平衡结构，形成于所述第二表面上，用以平衡所述基板上的热应力，其中所述平衡结构由多个非连续性颗粒物质组成。2.根据权利要求1所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述多个非连续性颗粒物质随机分布于所述第二表面上。3.根据权利要求1所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述多个非连续性颗粒物质于所述第二表面上的分布密度介于0.001个/微米平方至10个/微米平方之间。4.根据权利要求1所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述多个非连续性颗粒物质于所述第二表面上的表面覆盖率介于0.5％至15％之间。5.根据权利要求1所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述第二表面上至少划分为第一区域以及第二区域，所述第一区域环绕所述第二区，且所述多个非连续性颗粒物质在所述第一区域以及所述第二区域具有不同的表面覆盖率。6.根据权利要求5所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述多个非连续性颗粒物质在所述第一区域内的表面覆盖率大于所述多个非连续性颗粒物质在所述第二区域内的表面覆盖率。7.根据权利要求5所述的磊晶半导体结构，其特征在于，还包括:第三区域，位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域，且所述多个非连续性颗粒物质在所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域内分别具有不同的表面覆盖率。8.根据权利要求7所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述多个非连续性颗粒物质在所述第三区域内的表面覆盖率大于所述多个非连续性颗粒物质在所述第一区域与所述第二区域内的表面覆盖率。9.根据权利要求1所述的磊晶半导体结构，其特征在于，每一所述非连续性颗粒物质的尺寸介于1纳米至3微米之间。10.根据权利要求1所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述基板的厚度与每一所述非连续性颗粒物质的尺寸的比值介于160至1400000之间。11.根据权利要求1所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述第二表面为凹凸表面，且所述第二表面的粗糙度与每一所述非连续性颗粒物质的尺寸的比值介于0.1至3000之间。12.根据权利要求1所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述平衡结构的热导系数大于等于所述基板的热导系数。13.根据权利要求12所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述平衡结构的热导系数与所述基板的热导系数的比值大于等于1且小于等于30。14.根据权利要求1所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述平衡结构的材料包括半导体材料或化合物半导体材料。15.根据权利要求14所述的磊晶半导体结构，其特征在于，所述平衡结构的材料相同于所述半导体层的材料。16.一种磊晶基板，适于一半导体层的生成，其特征在于，包括：
基板，具有相对的第一表面与第二表面；以及平衡结构，形成于所述第二表面上，用以平衡所述基板上的热应力，其中所述平衡结构由多个非连续性颗粒物质组成。
技术总结
本发明提供一种磊晶半导体结构，包括基板、半导体层以及平衡结构。基板具有相对的第一表面与第二表面。半导体层形成于第一表面上。平衡结构形成于第二表面上，用以平衡基板上的热应力，且平衡结构由多个非连续性颗粒物质组成。另提供一种磊晶基板。质组成。另提供一种磊晶基板。质组成。另提供一种磊晶基板。
技术研发人员：费远婷 陈佶亨
受保护的技术使用者：錼创显示科技股份有限公司
技术研发日：2021.06.17
技术公布日：2021/9/17