技术特征：
1.一种浅沟槽隔离能力测试结构，其特征在于，包括：第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区均被限定在衬底中，所述第一有源区和所述第二有源区均呈梳状结构且交错设置，所述梳状结构包括柄部和多个齿部，所述第一有源区或所述第二有源区的多个齿部中的相邻两个齿部之间形成u型开口；浅沟槽隔离结构，位于所述第一有源区的齿部和与所述第一有源区的齿部相邻的所述第二有源区的齿部之间，所述浅沟槽隔离结构用于隔离所述第一有源区和所述第二有源区；第一金属插塞和第二金属插塞，所述第一金属插塞和所述第二金属插塞分别设置在第一有源区梳状结构的柄部和第二有源区梳状结构的柄部，所述第一金属插塞和所述第二金属插塞用于进行浅沟槽隔离能力测试。2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离能力测试结构，其特征在于，所述衬底中形成有深阱层，所述深阱层的离子掺杂类型为p型离子时，所述第一有源区的离子注入类型为p型离子，所述第二有源区的离子注入类型为n型离子。3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离能力测试结构，其特征在于，所述衬底中形成有深阱层，所述深阱层的离子掺杂类型为n型离子时，所述第一有源区的离子注入类型为n型离子，所述第二有源区的离子注入类型为p型离子。4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离能力测试结构，其特征在于，所述第一有源区梳状结构的柄部和所述第二有源区梳状结构的柄部平行设置，所述第一有源区梳状结构的多个齿部均与所述第一有源区梳状结构的柄部垂直设置，所述第二有源区梳状结构的多个齿部均与所述第二有源区梳状结构的柄部垂直设置。5.一种基于如权利要求1所述的浅沟槽隔离能力测试结构的测试方法，其特征在于，包括：s1，在设置于第一有源区梳状结构的柄部上的第一金属插塞和设置于第二有源区梳状结构的柄部上的第二金属插塞之间加一第一预设电压；s2，检测所述第一有源区与所述第二有源区之间的浅沟槽隔离结构的电性能参数，并根据所述电性能参数对所述浅沟槽隔离结构的隔离能力进行检测。6.如权利要求5所述的浅沟槽隔离能力测试结构的测试方法，其特征在于，所述电性能参数包括所述浅沟槽隔离结构的工作电流和击穿电压。7.如权利要求6所述的浅沟槽隔离能力测试结构的测试方法，其特征在于，所述步骤s2中根据所述电性能参数对所述浅沟槽隔离结构的隔离能力进行检测包括：s21，当所述浅沟槽隔离结构的工作电流大于预设的击穿电流时，判断所述浅沟槽隔离结构的隔离能力失效。8.如权利要求6所述的浅沟槽隔离能力测试结构的测试方法，其特征在于，所述步骤s2中根据所述电性能参数对所述浅沟槽隔离结构的隔离能力进行检测还包括：s31，当所述浅沟槽隔离结构的工作电流小于预设的击穿电流时，在所述第一预设电压的基础上以均匀步进增加电压直至所述浅沟槽隔离结构击穿或达到最大电压；s32，当施加在所述浅沟槽隔离结构的工作电压达到最大电压时，所述浅沟槽隔离结构未击穿，则对所述浅沟槽隔离结构的工作参数进行设置调整，得到调整后的最大电压，并以所述均匀步进增加电压至所述调整后的最大电压；
s33，若所述浅沟槽隔离结构仍未击穿，则重复s32，若所述浅沟槽隔离结构击穿，则获取当前位置所述浅沟槽隔离结构击穿的实际击穿电压，并将所述实际击穿电压与预设击穿电压进行比较；s34，若所述实际击穿电压小于所述预设击穿电压，则判断当前位置所述浅沟槽隔离结构的隔离能力失效；s35，否则，判断当前位置所述浅沟槽隔离结构的隔离能力有效。9.如权利要求5所述的浅沟槽隔离能力测试结构的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：s41，在设置于第一有源区梳状结构的柄部上的第一金属插塞和设置于第二有源区梳状结构的柄部上的第二金属插塞之间依次分别施加第三预设电压、第四预设电压和第五预设电压；s42，分别获取所述浅沟槽隔离结构击穿时的所述第三预设电压、所述第四预设电压和所述第五预设电压的持续时长，并根据多个所述持续时长形成韦伯分布，以及根据所述韦伯分布得到0.1％失效概率下的失效寿命；s43，若0.1％失效概率下的所述失效寿命小于预设寿命，判断所述浅沟槽隔离结构本征缺陷不符合标准；s44，否则，判断所述浅沟槽隔离结构的本征缺陷符合标准。
技术总结
本发明提供了一种浅沟槽隔离能力测试结构及其测试方法，应用于半导体领域。在本发明实施例中，在衬底中限定呈梳状结构的第一有源区和第二有源区，并使第一有源区的多个齿部与第二有源区的多个齿部交错设置，从而在第一有源区的齿部和与第一有源区的齿部相邻的第二有源区的齿部之间形成浅沟槽隔离结构，然后在第一有源区梳状结构的柄部和第二有源区梳状结构的柄部上形成第一金属插塞和第二金属插塞，再通过所述第一金属插塞和所述第二金属插塞对所述浅沟槽隔离结构进行浅沟槽隔离能力测试，从而可快速地实现浅沟槽隔离能力检测，并能有效节省客户晶圆损失。并能有效节省客户晶圆损失。并能有效节省客户晶圆损失。
技术研发人员：徐敏 朱月芹 陈雷刚
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2021.06.29
技术公布日：2021/10/8