技术特征：
1.一种高功率小发散角单横模单波长半导体激光器，其特征在于：包括片体，所述片体底部和顶部表面均覆盖有电极层；所述片体包括中心腔以及对称设置在中心腔左右两侧的pt布拉格反射光栅区，所述pt布拉格反射光栅区包括由下往上依次叠加的p型掺杂inalgaas/inp光栅层、inalgaas量子阱qws有源层和n型ingaasp/inp光栅层，所述中心腔内由下往上依次叠加有n型掺杂inp层、非掺杂inp层和p型掺杂inp层。2.根据权利要求1所述高功率小发散角单横模单波长半导体激光器，其特征在于：所述pt布拉格反射光栅区内，下层的p型掺杂ingaasp/inp光栅层的光栅周期与上层的n型ingaasp/inp光栅层光栅周期交错半个周期。3.根据权利要求1所述高功率小发散角单横模单波长半导体激光器，其特征在于：所述中心腔内非掺杂inp层厚度大于p型掺杂inp层、n型掺杂inp层的厚度。4.一种高功率小发散角单横模单波长半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先采用电子束曝光制备光掩膜版，并利用干法刻蚀工艺对inp衬底进行刻蚀，对下层光栅填充inalgaas并进行掺杂，形成下层的p型掺杂inalgaas/inp光栅层，并在该层上面生长一层inp层；然后进行中间有源层inalgaas量子阱外延生长，再进行上层ingaasp层生长，同样利用光掩模和干法刻蚀工艺对ingaasp层进行刻蚀形成光栅，但光栅周期与下层的p型inalgaas层交错半个周期，用inp填充ingaasp光栅层，完成pt布拉格反射光栅三层结构制备；在所述三层结构上中心位置对中心腔进行刻蚀，再对中心腔填充n型掺杂inp层，再生长非掺杂inp层，再填充p型掺杂inp层，最后在pt布拉格反射光栅区、中心腔的下底面及上顶面覆盖电极层，形成最终器件。5.根据权利要求1所述高功率小发散角单横模单波长半导体激光器，其特征在于：在两侧的光栅区，上层n型掺杂的ingaasp/inp光栅的带隙要大于qws层的带隙，qws层的带隙要大于下层p型掺杂的inalgaas/inp光栅的带隙。6.根据权利要求1所述高功率小发散角单横模单波长半导体激光器，其特征在于：器件下侧电极为正极，上侧电极为负极。
技术总结
一种高功率小发散角单横模单波长半导体激光器及制备方法，包括片体，所述片体底部和顶部表面均覆盖有电极层；所述片体包括中心腔以及对称设置在中心腔左右两侧的PT布拉格反射光栅区。本发明的有益效果是：该结构将电注入分散在两侧的布拉格反射光栅区，注入面积较传统激光器大，不仅减小了器件的输入电阻和热效应，实现较高的能量转换效率，而且较大的注入面积更有利于散热。入面积更有利于散热。入面积更有利于散热。
技术研发人员：彭瑞宏 李俣
受保护的技术使用者：李俣
技术研发日：2021.08.20
技术公布日：2021/12/27