技术特征：
1.一种双面微透镜阵列制备方法，其特征在于：选用蓝宝石玻璃透镜，并进行以下制备步骤：s1将蓝宝石玻璃透镜一面进行抛光，并在抛光表面上通过等离子体化学气相沉积200nm厚的sio2膜，处理温度为300℃；s2旋涂700nm厚的正光刻胶，并且采用掩模版进行投影曝光，再使用步进光刻机投影曝光，曝光波长365nm，曝光时间290ms；s3将正光刻胶位置显影50秒形成纳米孔，再通过等离子体蚀刻将图案转移到sio2膜上，持续1分钟；s4将强酸混合物加热至270℃后用来蚀刻蓝宝石，蚀刻时间为6分钟，然后通过氧等离子体蚀刻去除sio2掩膜；s5对蓝宝石玻璃透镜的另一面重复s1
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s4操作，完成双面制备；s6使用激光将具有纳米阵列的蓝宝石玻璃透镜切割划分成正方体单元，并通过使用含氟聚合物密封剂封装在深紫外led上以形成密封结构。2.根据权利要求1所述双面微透镜阵列制备方法，其特征在于：所述s3中，等离子体蚀刻在cf4与o2的混合气氛中进行。3.根据权利要求2所述双面微透镜阵列制备方法，其特征在于：所述强酸混合物为98％浓硫酸和84％浓磷酸溶液混合物，两种强酸的体积比为3：1。4.一种深紫外led封装装置，其特征在于：包括陶瓷基座、紫外led芯片以及权利要求3所述蓝宝石玻璃透镜，所述陶瓷基座设有凹槽，所述紫外led芯片通过金锡共晶倒装焊接在凹槽中，紫外led芯片的正负极与所述凹槽底面之间至少有两层金属层；所述凹槽边缘设有阶梯形结构，所述蓝宝石玻璃透镜安装于阶梯形结构上，并完全覆盖凹槽。5.根据权利要求4所述深紫外led封装装置，其特征在于：所述凹槽与所述蓝宝石玻璃透镜形成的密闭空间中填充有保护性气体。6.根据权利要求5所述深紫外led封装装置，其特征在于：所述蓝宝石玻璃透镜的立方体单元朝向紫外led芯片一面的透镜曲率半径为27nm，相对的一面的透镜曲率半径为22nm。7.根据权利要求6所述深紫外led封装装置，其特征在于：所述紫外led芯片的光线主波长为260nm。8.根据权利要求7所述深紫外led封装装置，其特征在于：所述立方体单元的透镜厚度为12nm。9.根据权利要求8所述深紫外led封装装置，其特征在于：所述紫外led芯片的外形尺寸为1mm x 1mm，底部为对称电极。10.根据权利要求9所述深紫外led封装装置，其特征在于：所述陶瓷基座为氮化铝陶瓷基座。
技术总结
本发明涉及紫外LED制备领域，更具体地，涉及一种双面微透镜阵列制备方法，采用该制备方法在蓝宝石玻璃透镜的上下表面制作均匀、大面积且易于控制的微透镜阵列，基于几何光学的折射原理，光在两种透明介质交界处，将向折射率高的区域弯折。材料的折射率越高，入射光发生折射的能力越强。通过这个原理，将一个完整的激光波前在空间上分成许多微小的部分，每一部分被相应的小透镜聚焦在焦平面上，光斑进行重叠，从而实现在特定区域将光均匀化。将该蓝宝石玻璃透镜应用在紫外LED封装装置上，降低深紫外LED封装光学窗口
技术研发人员：何苗 高炯健 熊德平
受保护的技术使用者：广东工业大学
技术研发日：2021.08.26
技术公布日：2021/11/29