量子点基板的制作方法及量子点基板与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种量子点基板的制作方法及量子点基板。


背景技术：

2.量子点(quantum dot，qd)是一种纳米级半导体材料，具有量子效应；在电或者光的激发下可以发射不同色彩的荧光。量子点显示技术的色域可以达到ntsc色域的110％，因此量子点材料可以赋予显示器更宽广的色域，使得终端显示拥有更靓丽的色彩表现。
3.目前量子点层的加工方法主要为光刻法和喷墨打印法，光刻法是将量子点分散于光刻胶中，然后涂覆于基板上，再通过曝光显影获得图案化的量子点层，量子点的表面化学环境复杂，光刻胶中包含多种高分子材料，高分子材料对量子点影响很大，容易导致量子点的发光效率低和稳定性差的问题；而采用喷墨打印法制作量子点层具有精度低以及重复性差的问题。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种量子点基板的制作方法及量子点基板，可以解决量子点层的发光效率低、稳定性差、精度低以及重复性差的技术问题。
5.本技术实施例提供一种量子点基板的制作方法，包括以下步骤：
6.在所述第一基板或所述第二基板上布置框胶，所述第一基板的一侧设有多个凹槽，所述凹槽的底部设有第一电极，所述第二基板的一侧设有第二电极；
7.在所述框胶的内侧添加具有量子点的量子点溶液；
8.通过所述框胶将所述第一基板和所述第二基板粘接在一起，所述第一基板、所述第二基板和所述框胶围合形成反应腔，所述反应腔内设有所述第一电极、所述第二电极和所述量子点溶液；
9.对所述第一电极和所述第二电极施加电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电场，所述电场使所述量子点沉积于所述第一电极，从而在所述第一电极上形成量子点层。
10.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一基板的制作步骤具体包括：
11.在第一衬底上形成挡墙，所述挡墙围合出多个所述凹槽；
12.在所述凹槽内形成所述第一电极，从而得到所述第一基板。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述第一衬底上形成挡墙之前，所述第一基板的制作步骤还包括：在所述第一衬底上形成线路层；
14.后续形成的所述第一电极电性连接于所述线路层；
15.对所述第一电极施加电压的步骤为：通过所述线路层对所述第一电极施加电压。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，所述线路层包括多个走线，一个或多个所述第一电极电性连接于同一所述走线。
17.可选的，在本技术的一些实施例中，所述线路层包括扫描线、与所述扫描线绝缘且
相交设置的数据线以及设于所述扫描线和数据线相交处的薄膜晶体管，所述扫描线电性连接于所述薄膜晶体管的栅极，所述数据线电性连接于所述薄膜晶体管的源极，所述第一电极电性连接于所述薄膜晶体管的漏极。
18.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述凹槽内形成所述第一电极之后，所述第一基板的制作步骤具体还包括：在所述挡墙上形成间隔物；
19.通过所述框胶将所述第一基板和所述第二基板粘接在一起后，所述间隔物的远离所述挡墙的一侧抵接于所述第二电极。
20.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述凹槽内形成所述第一电极之前，所述第一基板的制作步骤具体还包括：至少在所述挡墙上形成无机绝缘层；
21.后续形成的所述间隔物设于所述无机绝缘层上。
22.可选的，在本技术的一些实施例中，所述量子点溶液包括含量为0.01wt％～80wt％的量子点组合物和含量为20wt％～99.9wt％溶剂，其中，所述量子点组合物包括所述量子点和配体。
23.可选的，在本技术的一些实施例中，对所述第一电极和所述第二电极施加电压时，所述第一电极和所述第二电极的电场强度为5
×
105伏/米～4
×
107伏/米。
24.本技术实施例还提供一种量子点基板，采用如上所述的量子点基板的制作方法制得，所述量子点基板包括第一基板、设于所述第一基板上的第一电极以及设于所述第一电极上的量子点层。
25.本技术实施例提供一种量子点基板的制作方法及量子点基板，在第一基板或第二基板上布置框胶，在框胶的内侧添加量子点溶液，通过框胶将第一基板和第二基板粘接在一起，使得第一基板、第二基板和框胶共同围合形成反应腔，反应腔内设有第一电极、第二电极和量子点溶液，即第一电极和第二电极之间设有量子点溶液，如此设置，对第一电极和第二电极施加电压后，可以通过电泳沉积的方式在第一电极上形成量子点层，相比于光刻法制作量子点层，本技术的量子点溶液不需要用到光刻胶，因此不会导致量子点的发光效率低和稳定性差的问题；
26.此外，第一基板上设有凹槽，第一电极设于凹槽的底部，凹槽对量子点的沉积方向和量子点层的形状具有限定作用，有利于量子点层沿厚度方向逐渐生长，可以保证量子单层的厚度均匀，且能提高量子点层的图案化精度，保证同一批制作的量子点层的厚度和形状一致，相比于采用喷墨打印法制作量子点层，本技术的量子点层的制作精度高，重复性高；
27.由此可见，本技术可以解决量子点层的发光效率低、稳定性差、精度低以及重复性差的技术问题，有利于大面积制作量子点层。
附图说明
28.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
29.图1是本技术实施例提供的量子点基板的制作方法的流程示意图；
30.图2是本技术实施例提供的在第一电极和第二电极之间添加量子点溶液并对第一电极和第二电极施加电压的示意图；
31.图3是本技术实施例提供的在第一电极上形成量子点层的剖视结构示意图；
32.图4是本技术实施例提供的在第一衬底上依次形成线路层和挡墙的剖视结构示意图；
33.图5是本技术实施例提供的在凹槽内形成第一电极的剖视结构示意图；
34.图6是本技术实施例提供的第一衬底和第一种线路层的层叠结构示意图；
35.图7是本技术实施例提供的第一衬底和第二种线路层的层叠结构示意图；
36.图8是本技术实施例提供的在挡墙上形成间隔物的剖视结构示意图。
具体实施方式
37.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
38.本技术实施例提供一种量子点基板的制作方法及量子点基板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本技术的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。用语第一、第二、第三等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。本发明的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
39.请参阅图1，同时结合图2和图3，本技术实施例提供一种量子点基板的制作方法，包括以下步骤：
40.步骤b1、在第一基板100或第二基板200上布置框胶300，第一基板100的一侧设有多个凹槽131，凹槽131的底部设有第一电极150，第二基板200的一侧设有第二电极210；
41.步骤b2、在框胶300的内侧添加具有量子点的量子点溶液500，具体可以但不限于通过直接滴加或者打印工艺在框胶300的内侧添加量子点溶液500；
42.步骤b3、通过框胶300将第一基板100和第二基板200粘接在一起，第一基板100、第二基板200和框胶300围合形成反应腔400，反应腔400内设有第一电极150、第二电极210和量子点溶液500；
43.步骤b4、对第一电极150和第二电极210施加电压，使得第一电极150和第二电极210之间形成电场，电场使量子点沉积于第一电极150，从而在第一电极150上形成量子点层170。
44.本技术实施例的量子点基板的制作方法具有以下有益效果：
45.(1)通过在第一基板100或第二基板200上布置框胶300，在框胶300的内侧添加量
子点溶液500，通过框胶300将第一基板100和第二基板200粘接在一起，使得第一基板100、第二基板200和框胶300共同围合形成反应腔400，反应腔400内设有第一电极150、第二电极210和量子点溶液500，即第一电极150和第二电极210之间设有量子点溶液500，如此设置，对第一电极150和第二电极210施加电压后，可以通过电泳沉积的方式在第一电极150上形成量子点层170，相比于光刻法制作量子点层170，本技术的量子点溶液500不需要用到光刻胶，因此不会导致量子点的发光效率低和稳定性差的问题，本技术所制得的量子点层170具有发光效率高和稳定性高的优点；
46.(2)本技术实施例中，第一基板100上设有凹槽131，第一电极150设于凹槽131的底部，凹槽131对量子点的沉积方向和量子点层170的形状具有限定作用，有利于量子点层170沿厚度方向逐渐生长，可以保证量子单层的厚度均匀，且能提高量子点层170的图案化精度，保证同一批制作的量子点层170的厚度和形状一致，相比于采用喷墨打印法制作量子点层170，本技术的量子点层170的制作精度高，重复性高；
47.由此可见，也即本技术可以解决量子点层170的发光效率低、稳定性差、精度低以及重复性差的技术问题，有利于大面积制作量子点层170。
48.具体的，在本技术实施例的步骤b1中，第一基板100的制作步骤具体包括：
49.b11、如图4所示，在第一衬底110上形成挡墙130，挡墙130围合出多个凹槽131；
50.b12、如图5所示，在凹槽131内形成第一电极150，从而得到第一基板100。本实施例中，可以在第一衬底110上设置多个凹槽131，每个凹槽131的底部均设有第一电极150，如此设置，以便于后续一次性在多个第一电极150上形成量子点层170，大大提高了制作效率。当然，根据实际情况的选择和具体需求，第一衬底110上也可以设置一个凹槽131，在此不做唯一限定。
51.可选的，挡墙130的高度可以为3微米～100微米，例如，挡墙130的高度可以为3微米、5微米、10微米、15微米、20微米、25微米、30微米、35微米、40微米、45微米、50微米、55微米、60微米、65微米、70微米、75微米、80微米、85微米、90微米、95微米或100微米，此高度范围下的挡墙130对量子点的沉积方向和量子点层170的形状具有很好的限定作用，并且，此高度范围下的挡墙130还具有较好地机械强度，可以很好地维持第一基板100和第二基板200之间的间距。
52.具体的，在本技术实施例的步骤b11中，可以先在第一衬底110上整面涂布一层挡墙材料，然后对挡墙材料进行图案化处理，具体可以但不限于通过光刻工艺或者离子束刻蚀工艺来对挡墙材料进行图案化处理，从而获得上述挡墙130。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，也可以通过点胶工艺、打印工艺、模印工艺来制作挡墙130，在此不做唯一限定。
53.可选的，挡墙材料可以为有机光固化材料、有机热固化材料或者无机材料，其中，有机光固化材料可以选自丙烯酸酯类化合物，丙烯酸酯类化合物具体可以包括丙烯酸甲酯类化合物、丙烯酸乙酯类化合物和丙烯酸丙酯类化合物中的一种或多种；有机热固化材料可以选自环氧树脂类化合物，环氧树脂类化合物具体可以包括丁烯环氧树脂和环戊二烯环氧树脂中的至少一种；无机材料可以选自氧化硅、氮化硅或氧氮化硅中的一种或多种。
54.具体的，在本技术实施例的步骤b11之前，即在第一衬底110上形成挡墙130之前，第一基板100的制作步骤具体还包括：
55.b10、在第一衬底110上形成线路层120；
56.在后续步骤b11中，挡墙130形成于线路层120上；
57.在后续步骤b12中，形成的第一电极150电性连接于线路层120；
58.在后续步骤b4中，对第一电极150施加电压的步骤为：通过线路层120对第一电极150施加电压。
59.本技术实施例中，通过在第一衬底110上设置线路层120，以便于后续对第一电极150施加电压，特别是当第一衬底110上设有多个第一电极150时，可以通过线路层120可以一次性对多个第一电极150施加电压，操作简便。
60.具体的，在上述步骤b10中，如图4至图6所示，线路层120包括多个走线121，后续形成于凹槽131内的第一电极150电性连接于走线121，具体来说，一个或多个第一电极150电性连接于同一走线121，以便于后续通过走线121对第一电极150施加电压。在此实施例中，采用上述第一基板100制得的量子点基板可以为量子点彩膜基板。需要说明的是，图6中的虚线框区域为后续凹槽131和第一电极150的形成区域，通过将第一电极150设置在虚线框区域，使得第一电极150与走线121搭接，从而实现第一电极150和走线121之间的电性连接。
61.具体的，在上述步骤b10中，如图4、图5和图7所示，线路层120包括至少一条扫描线122、与扫描线122绝缘且相交设置的至少一条数据线123以及设于扫描线122和数据线123相交处的至少一个薄膜晶体管124，扫描线122电性连接于对应的薄膜晶体管124的栅极，数据线123电性连接于对应的薄膜晶体管124的源极，第一电极150电性连接于对应的薄膜晶体管124的漏极。此结构下，在后续电泳沉积过程中，通过对指定的扫描线122和数据线123通电，可以对指定的第一电极150施加电压，从而在指定的第一电极150上沉积量子点材料。在此实施例中，采用上述第一基板100制得的量子点基板可以为有机发光二极管基板。
62.具体的，在本技术实施例的步骤b12之前，即在凹槽131内形成第一电极150之后，第一基板100的制作步骤具体还包括：
63.b13、如图2和图8所示，在挡墙130上形成间隔物160；
64.在后续步骤b3中，通过框胶300将第一基板100和第二基板200粘接在一起后，间隔物160的远离挡墙130的一侧抵接于第二电极210。
65.本技术实施例中，通过在挡墙130上设置间隔物160，间隔物160的上下两端分别抵接于第二电极210和挡墙130，因此，间隔物160可以用于维持第一基板100和第二基板200之间的间距，使得量子点溶液500可以在第一基板100和第二基板200之间流动。
66.具体的，在本技术实施例的步骤b13中，可以先整面涂布一层间隔物材料，然后对间隔物材料进行图案化处理，具体可以但不限于通过光刻工艺或者离子束刻蚀工艺来对间隔物材料进行图案化处理，从而获得上述间隔物160。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，也可以通过点胶工艺、打印工艺、模印工艺来制作间隔物160，在此不做唯一限定。
67.可选的，间隔物材料可以为有机光固化材料、有机热固化材料或者无机材料，其中，有机光固化材料可以选自丙烯酸酯类化合物，丙烯酸酯类化合物具体可以包括丙烯酸甲酯类化合物、丙烯酸乙酯类化合物和丙烯酸丙酯类化合物中的一种或多种；有机热固化材料可以选自环氧树脂类化合物，环氧树脂类化合物具体可以包括丁烯环氧树脂和环戊二烯环氧树脂中的至少一种；无机材料可以选自氧化硅、氮化硅或氧氮化硅中的一种或多种。
68.具体的，在本技术实施例的步骤b12之前，在凹槽131内形成第一电极150之前，第一基板100的制作步骤具体还包括：如图5所示，至少在挡墙130上形成无机绝缘层140；如此设置，使得后续步骤13中形成间隔物160设于无机绝缘层140上，由于间隔物160在挡墙130上的黏附能力较弱，间隔物160不能很好地固定在挡墙130上，因此，通过在挡墙130上形成无机绝缘层140，再将间隔物160对应设置在挡墙130上方的无机绝缘层140上，间隔物160可以很好地固定在无机绝缘层140，有效提高间隔物160的可靠性，防止间隔物160移位。
69.可选地，无机绝缘层140的材料可以选自氧化硅、氮化硅或氧氮化硅中的一种或多种。
70.本技术实施例中，如图5所示，在凹槽131的底部和挡墙130上均设置一层无机绝缘层140，此结构下，无机绝缘层140是整面覆盖形成的，可以减少无机绝缘层140的图案化制程，大大简化了制程。
71.具体的，在本技术实施例的步骤b1中，可以通过涂布工艺在第一基板100或第二基板200上布置框胶300，其中，涂布工艺中，框胶300可以一次涂布形成，也可以分两次、三次、四次或者更多次形成，涂布头中框胶300挤出压力为300兆帕～750兆帕，涂布速度为40毫米/秒～120毫米/秒；例如，涂布头中框胶300挤出压力可以为300兆帕、325兆帕、350兆帕、375兆帕、400兆帕、425兆帕、450兆帕、475兆帕、500兆帕、525兆帕、550兆帕、575兆帕、600兆帕、625兆帕、650兆帕、675兆帕、700兆帕、725兆帕或750兆帕，涂布速度可以为40毫米/秒、50毫米/秒、60毫米/秒、70毫米/秒、80毫米/秒、90毫米/秒、100毫米/秒、110毫米/秒、120毫米/秒。
72.具体地，在本技术实施例的步骤b2中，量子点溶液500包括含量为0.01wt％～80wt％的量子点材料和含量为20wt％～99.9wt％溶剂，其中，量子点材料包括量子点和配体。此配比下，可以保证量子点材料在溶剂中的分散程度，保证量子点在溶剂中分散良好且不会团聚，使得量子点稳定分散在溶剂中。
73.可选的，本技术实施例的量子点溶液500中，量子点材料的含量可以为0.01wt％、0.05wt％、1wt％、5wt％、10wt％、15wt％、20wt％、25wt％、30wt％、35wt％、40wt％、45wt％、50wt％、55wt％、60wt％、65wt％、70wt％、75wt％或80wt％，溶剂的含量可以为20wt％、25wt％、30wt％、35wt％、40wt％、45wt％、50wt％、55wt％、60wt％、65wt％、70wt％、75wt％、80wt％、85wt％、90wt％、95wt％、99.9wt％，99.95wt％或99wt％，保证量子点材料在溶剂中分散良好且不会团聚，使得量子点材料稳定分散在溶剂中。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，量子点溶液500中的量子点材料和溶剂的配比可以做适当调整，在此不做唯一限定。
74.具体的，在上述量子点材料中，配体的含量为0.5wt％～10wt％，即配体的质量占量子点材料的总质量的百分比含量为0.5％～10％，此配比下，既能保证量子点的稳定性，又能避免配体过剩的情况发生。
75.可选的，在上述量子点材料中，配体的含量为0.5wt％、1wt％、1.5wt％、2wt％、2.5wt％、3wt％、3.5wt％、4wt％、4.5wt％、5wt％、5.5wt％、6wt％、6.5wt％、7wt％、7.5wt％、8wt％、8.5wt％、9wt％、9.5wt％或10wt％。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，量子点材料中的配体的含量可以做适当调整，在此不做唯一限定。
76.具体的，量子点可以通过热注入法制得，具体来说，可以将前驱体注入温度为100
摄氏度
‑
500摄氏度的反应液中反应，然后通过离心干燥获得量子点。量子点由iv、ii
‑
vi，iv
‑
vi或iii
‑
v族元素组成，具体而言，量子点主要由iva、ⅱb
‑ⅵ
a、ⅲa
‑ⅴ
a、iva
‑
via族元素构成，例如，当量子点包括iva族元素构成时，量子点可以包括碳量子点、硅量子点或锗量子点；当量子点包括ⅱb
‑ⅵ
a族元素构成时，量子点具体可以包括硒化镉量子点、硫化锌量子点或硫化镉量子点；当量子点包括ⅲa
‑ⅴ
a族元素构成时，量子点具体可以包括磷化铟量子点、砷化镓量子点或砷化铟量子点；当量子点包括iva
‑
via族元素构成时，量子点具体可以包括硫化铅量子点、硒化铅量子点或碲化铅量子点，根据实际情况的选择和具体需求，量子点的具体材料可以做适当修改。
77.具体的，溶剂可以选自水、醇类化合物、醚类化合物、酯类化合物和烷类化合物，其中，溶剂可以为乙醇、乙醚、醋酸乙酯或正辛烷，当然，根据实际情况的选择和具体需求，溶剂可以做适当修改，例如，溶剂也可以为水、丙二醇甲醚醋酸酯(2
‑
acetoxy
‑1‑
methoxypropane，pgmea)或其它化合物，在此不做唯一限定。
78.具体的，配体可以防止量子点聚集，使得量子点均匀分散在溶剂中，从而将量子点的粒子的大小控制在纳米级别，本实施例中，配体选自丙二醇衍生物、硫代硫醇化合物、硫代羧酸化合物以及包含酯基和硫醇基的化合物中的一种或多种，根据实际情况的选择和具体需求，配体的具体材料可以做适当修改，在此不做唯一限定。
79.具体的，量子点溶液500的制作步骤为：将量子点、配体和溶剂混合后进行机械搅拌，使得量子点和配体分散于溶剂中，从而得到量子点溶液500；其中，搅拌时的溶剂的温度控制在10摄氏度～100摄氏度，搅拌的转速为10rpm～1500rpm，搅拌时间为1分钟～1440分钟。
80.可选的，在本技术实施例中，将量子点、配体和溶剂混合后进行机械搅拌，搅拌时的温度可以为10摄氏度、20摄氏度、30摄氏度、45摄氏度、60摄氏度、70摄氏度、80摄氏度、90摄氏度或者100摄氏度；搅拌时的转速可以为10rpm、50rpm、100rpm、200rpm、300rpm、400rpm、500rpm、600rpm、700rpm、800rpm、900rpm、1000rpm、1100rpm、1200rpm、1300rpm、1400rpm或1500rpm；搅拌的时间可以为1min、10min、100min、200min、300min、400min、500min、600min、700min、800min、900min、1000min、1200min或1440min。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，将量子点、配体和溶剂混合后进行机械搅拌的具体参数可以做适当调整，在此不做唯一限定。
81.具体的，在上述步骤b13中，量子点溶液500中的量子点的浓度对量子点进行电泳沉积的效率有很大的影响，若量子点溶液500中的量子点的浓度较大，则量子点进行电泳沉积的速度较快，难以控制的量子点层170的膜厚；若量子点溶液500中的量子点的浓度较小，则量子点进行电泳沉积的速度较慢，这无疑会降低量子点进行电泳沉积的效率。为了解决上述问题，将量子点溶液500中的量子点的浓度控制在1毫克/毫升～350毫克/毫升，如此设置，既有利于控制量子点层170的膜厚，又能保证量子点进行电泳沉积的速度，提高量子点进行电泳沉积的效率，以便于制备形貌良好的量子点层170。
82.可选的，本技术实施例中，量子点溶液500中的量子点的浓度可以为1毫克/毫升、5毫克/毫升、10毫克/毫升、15毫克/毫升、20毫克/毫升、25毫克/毫升、50毫克/毫升、75毫克/毫升、100毫克/毫升、125毫克/毫升、150毫克/毫升、175毫克/毫升、180毫克/毫升、185毫克/毫升、190毫克/毫升、195毫克/毫升、200毫克/毫升、210毫克/毫升、220毫克/毫升、230
毫克/毫升、240毫克/毫升、250毫克/毫升、260毫克/毫升、270毫克/毫升、280毫克/毫升、290毫克/毫升或300毫克/毫升，上述浓度均能够很好地促进量子点进行电泳沉积，以便于制备良好形貌的量子点层170。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，量子点溶液500中的量子点的浓度可以做适当调整，在此不做唯一限定。
83.具体的，在本技术实施例的步骤b3中，通过框胶300将第一基板100和第二基板200粘接在一起的步骤具体包括：
84.步骤b31、在真空条件下，将第一基板100和第二基板200进行贴合，第一基板100、第二基板200和框胶300围合形成反应腔400，反应腔400内设有第一电极150、第二电极210和量子点溶液500；
85.步骤b32、对框胶300进行固化，从而使得第一基板100和第二基板200粘接在一起。
86.具体的，在本技术实施例的步骤b32中，可以通过热固化的方式对框胶300进行固化，其中，热固化的温度为50摄氏度～200摄氏度，热固化的时间为0.5小时～5小时；例如，热固化的温度可以为50摄氏度、60摄氏度、70摄氏度、80摄氏度、90摄氏度、100摄氏度、110摄氏度、120摄氏度、130摄氏度、140摄氏度、150摄氏度、160摄氏度、170摄氏度、180摄氏度、190摄氏度或200摄氏度，热固化的时间可以为0.5小时、1小时、1.5小时、2小时、2.5小时、3小时、3.5小时、4小时、4.5小时或5小时，根据实际情况的选择和具体需求，热固化的温度和时间可以做适当调整，在此不做唯一限定。
87.具体的，在本技术实施例的步骤b32中，可以通过光固化的方式对框胶300进行固化，具体来说，可以采用紫外光对框胶300进行固化，光固化的时间可以为30秒～600秒，框胶300的积光量可以为4000毫焦/平方厘米～28000毫焦/平方厘米；具体来说，光固化的时间可以为30秒、60秒、90秒、120秒、150秒、180秒、210秒、240秒、270秒、300秒、330秒、360秒、390秒、420秒、450秒、480秒、510秒、540秒、570秒或600秒，框胶300的积光量可以为4000毫焦/平方厘米、6000毫焦/平方厘米、8000毫焦/平方厘米、10000毫焦/平方厘米、12000毫焦/平方厘米、14000毫焦/平方厘米、16000毫焦/平方厘米、18000毫焦/平方厘米、20000毫焦/平方厘米、22000毫焦/平方厘米、24000毫焦/平方厘米、26000毫焦/平方厘米或28000毫焦/平方厘米，根据实际情况的选择和具体需求，框胶300的光固化时间和积光量可以做适当调整，在此不做唯一限定。
88.具体的，在上述步骤b4中，通过对第一电极150和第二电极210施加电压，第一电极150所施加的电压的极性与第二电极210所施加的电压的极性相反，使得第一电极150和第二电极210之间形成用于电泳沉积的电场，其中，第一电极150和第二电极210之间的电场强度为5
×
105伏/米～4
×
107伏/米，使得量子点在电场作用下沿特定方向运动至第一电极150并最终沉积在第一电极150。
89.可选的，在上述步骤b4中，第一电极150和第二电极210之间的电场强度可以为5
×
105伏/米、1
×
106伏/米、5
×
106伏/米、1
×
107伏/米、2
×
107伏/米、3
×
107伏/米或4
×
107伏/米，根据实际情况的选择和具体需求，第一电极150和第二电极210之间的电场强度可以做适当调整，在此不做唯一限定。
90.具体的，在上述步骤b4中，在进行电泳沉积时，量子点溶液500的温度控制在10摄氏度～100摄氏度，从而使得电泳沉积能够正常进行。可选的，在上述步骤b4中，量子点溶液500的温度可以为10摄氏度、15摄氏度、20摄氏度、25摄氏度、30摄氏度、35摄氏度、40摄氏
度、45摄氏度、50摄氏度、55摄氏度、60摄氏度、65摄氏度、70摄氏度、75摄氏度、80摄氏度、85摄氏度、90摄氏度、95摄氏度或100摄氏度，根据实际情况的选择和具体需求，量子点溶液500的温度可以做适当调整，在此不做唯一限定。
91.具体的，在上述步骤b4中，电泳沉积的时间控制在为1秒～3600秒，例如，进行电泳沉积的时间为1秒、10秒、50秒、100秒、150秒、200秒、250秒、300秒、350秒、400秒、450秒、500秒、550秒、600秒、650秒、700秒、750秒、800秒、850秒、900秒、850秒、1000秒、1050秒、1100秒、1150秒、1200秒、1250秒、1300秒、1350秒、1400秒、1450秒、1500秒、1550秒、1600秒、1650秒、1700秒、1750秒、1800秒、1850秒、1900秒、1950秒、2000秒、2100秒、2200秒、2300秒、2400秒、2500秒、2600秒、2700秒、2800秒、2900秒、3000秒、3100秒、3200秒、3300秒、3400秒、3500秒或3600秒，根据实际情况的选择和具体需求，电泳沉积的时间可以做适当调整，在此不做唯一限定。
92.具体的，采用本技术实施例的量子点基板的制作方法在第一电极150上制作量子点层170，通过调整量子点溶液500中的量子点的浓度、第一电极150和第二电极210之间的电场强度、电泳沉积时量子点溶液500的温度等参数，可以调节量子点层170的厚度，量子点层170的厚度为10纳米
‑
5微米。
93.可选的，本技术实施例的量子点基板中，量子点层170的厚度可以为10纳米、50纳米、100纳米、150纳米、200纳米、250纳米、300纳米、350纳米、400纳米、450纳米、500纳米、550纳米、600纳米、650纳米、700纳米、750纳米、800纳米、850纳米、900纳米、950纳米、1微米、1.1微米、1.2微米、1.3微米、1.4微米、1.5微米、1.6微米、1.7微米、1.8微米、1.9微米、2微米、2.1微米、2.2微米、2.3微米、2.4微米、2.5微米、2.6微米、2.7微米、2.8微米、2.9微米、3微米、3.1微米、3.2微米、3.3微米、3.4微米、3.5微米、3.6微米、3.7微米、3.8微米、3.9微米、4微米、4.1微米、4.2微米、4.3微米、4.4微米、4.5微米、4.6微米、4.7微米、4.8微米、4.9微米或5微米，根据实际情况的选择和具体需求，量子点层170的厚度可以做适当调整，在此不做唯一限定。
94.具体的，如图1和图3所示，在上述步骤b4后，具体的，本技术实施例的量子点基板的制作方法，包括以下步骤：
95.步骤b5、去除第一基板100、框胶300和剩余的量子点溶液500，对第一基板100和量子点层170进行清洗处理，对量子点层170进行加热固化，得到量子点基板。在去除第一基板100、框胶300和剩余的量子点溶液500后，第一基板100和量子点层170上仍然会有未沉积和残留的量子点；当采用本技术实施例所制得的量子点基板制作电子器件(发光二极管显示面板、有机发光二极管显示面板等)时，需要在第一基板100或量子点层170上形成其他层结构，由于未沉积和残留的量子点无法很好地附着在量子点层170和第一基板100的表面，后续在量子点基板上加工形成的层结构容易剥落，造成电子器件的不良，因此，本技术对第一基板100和量子点层170进行清洗处理，然后对量子点层170进行加热固化，使得量子点层170稳定地附着在第一电极150的表面，避免后续在量子点基板上加工制作的层结构容易剥落的情况发生。
96.具体的，在上述步骤b5中，对第一基板100和量子点层170进行清洗处理的步骤具体为：采用对应量子点溶液500中所对应的溶剂对第一基板100和量子点层170进行清洗，具体来说，可以溶剂对第一基板100和量子点层170进行冲淋或浸洗，从而除去第一基板100和
量子点层170上的未沉积和残留的量子点。
97.可选的，采用对应量子点溶液500中所对应的溶剂对第一基板100和量子点层170进行清洗的次数为1～3次，每次清洗的时间为1秒～60秒，例如，每次清洗的时间可以为1秒、5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒、45秒、50秒、55秒或60秒；且清洗时所采用的溶剂的温度为10摄氏度～90摄氏度，例如，清洗时所采用的溶剂的温度可以为10摄氏度、15摄氏度、20摄氏度、25摄氏度、30摄氏度、35摄氏度、40摄氏度、45摄氏度、50摄氏度、55摄氏度、60摄氏度、65摄氏度、70摄氏度、75摄氏度、80摄氏度、85摄氏度或90摄氏度，从而将第一基板100和量子点层170上的未沉积和残留的量子点清除干净。
98.可选的，在上述步骤b5中，对量子点层170进行加热固化的温度为25摄氏度～200摄氏度，具体可以但不限于通过将第一基板100及其上的量子点层170放置于热台上加热。在此实施例中，对量子点层170进行加热固化的温度可以为25摄氏度、30摄氏度、35摄氏度、40摄氏度、45摄氏度、50摄氏度、55摄氏度、60摄氏度、65摄氏度、70摄氏度、75摄氏度、80摄氏度、85摄氏度、90摄氏度、95摄氏度、100摄氏度、105摄氏度、110摄氏度、115摄氏度、120摄氏度、125摄氏度、130摄氏度、135摄氏度、140摄氏度、145摄氏度、150摄氏度、155摄氏度、160摄氏度、165摄氏度、170摄氏度、175摄氏度、180摄氏度、185摄氏度、190摄氏度、195摄氏度或200摄氏度，根据实际情况的选择和具体需求，对量子点层170进行加热固化的温度可以做适当调整，在此不做唯一限定。
99.可选的，在上述步骤b5中，对量子点层170进行加热固化的时间可以为10秒
‑
1800秒，例如，对量子点层170进行加热固化的时间为10秒、50秒、100秒、150秒、200秒、250秒、300秒、350秒、400秒、450秒、500秒、550秒、600秒、650秒、700秒、750秒、800秒、850秒、900秒、950秒、1000秒、1050秒、1100秒、1150秒、1200秒、1250秒、1300秒、1350秒、1400秒、1450秒、1500秒、1550秒、1600秒、1650秒、1700秒、1750秒或者1800秒，根据实际情况的选择和具体需求，对量子点层170进行加热固化的时间可以做适当调整，在此不做唯一限定。
100.本技术实施例还提供一种量子点基板，采用如上所述的量子点基板的制作方法制得，量子点基板包括第一基板100、设于所述第一基板100上的第一电极150以及设于第一电极150上的量子点层170。由于本实施例提供的量子点基板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此同样具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
101.以上对本技术实施例所提供的一种量子点基板的制作方法及量子点基板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。