技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；第一深阱层，设置在所述衬底内部；第二深阱层，设置在所述第一深阱层上；过渡区，设置在所述第二深阱层上；沟槽隔离区，设置在所述衬底顶部；栅极结构，设置在所述衬底的上表面，且所述栅极结构覆盖部分所述过渡区；第一掺杂区，设置在所述栅极结构的一侧，以形成源极；以及第二掺杂区，设置在所述栅极结构背离所述第一掺杂区的一侧，以形成漏极；其中，所述栅极结构在所述衬底上的正投影与所述沟槽隔离区在所述衬底上的正投影部分重合。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述沟槽隔离区还包括第一沟槽隔离区和第二沟槽隔离区，且所述第二沟槽隔离区的宽度小于所述第一沟槽隔离区宽度的一半。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于：所述第二沟槽隔离区至所述栅极结构的距离大于所述第一沟槽隔离区至所述栅极结构的距离。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于：所述第二掺杂区设置在所述第一沟槽隔离区和所述第二沟槽隔离区之间。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构还包括第一阱区和第二阱区，其中所述第一阱区、所述第二阱区相对于所述过渡区的中心轴线对称。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于：所述第一阱区设置在所述第一深阱层上，且所述第一阱区与所述第二深阱层的侧壁接触。7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于：所述第二阱区设置在所述第二深阱层上，且所述第二阱区与所述过渡区的侧壁接触。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于：所述第一深阱层和所述第一阱区包裹所述第二深阱层和所述第二阱区。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于：所述第一阱区的离子掺杂类型和所述第二阱区的离子掺杂类型相反。10.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；形成沟槽隔离区于所述衬底顶部；形成第一深阱层于所述衬底内部；形成第二深阱层于所述第一深阱层上；形成过渡区于所述第二深阱层上；形成栅极结构于所述衬底的上表面，且所述栅极结构覆盖部分所述过渡区；形成第一掺杂区于所述栅极结构的一侧；以及形成第二掺杂区于所述栅极结构背离所述第一掺杂区的一侧；其中，所述栅极结构在所述衬底上的正投影与所述沟槽隔离区在所述衬底上的正投影部分重合。
技术总结
本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：衬底，第一深阱层设置在所述衬底内部。第二深阱层设置在所述第一深阱层上。过渡区设置在所述第二深阱层上。沟槽隔离区设置在所述衬底顶部。栅极结构，设置在所述衬底的上表面，且所述栅极结构覆盖部分所述过渡区。第一掺杂区，设置在所述栅极结构的一侧，以形成源极。以及第二掺杂区，设置在所述栅极结构背离所述第一掺杂区的一侧，以形成漏极。其中，所述栅极结构在所述衬底上的正投影与所述沟槽隔离区在所述衬底上的正投影部分重合。本发明提出的半导体结构及其制造方法，可以提高器件的耐压性。性。性。
技术研发人员：谢烈翔 李庆民 林滔天 葛成海
受保护的技术使用者：晶芯成（北京）科技有限公司
技术研发日：2021.09.26
技术公布日：2021/10/29