技术特征：
1.一种sonos存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有浅槽隔离结构及有源区，所述浅槽隔离结构用于隔离所述有源区，至少部分所述浅槽隔离结构顶面的高度低于所述有源区顶面的高度；ono层，位于所述衬底上且顺形覆盖所述浅槽隔离结构及所述有源区；栅极多晶硅层，位于所述ono层上。2.如权利要求1所述的一种sonos存储器，其特征在于，所述有源区顶面呈波浪形、锯齿形或方波形。3.如权利要求1所述的一种sonos存储器，其特征在于，所述浅槽隔离结构顶面与所述有源区顶面的高度差为4.如权利要求1所述的一种sonos存储器，其特征在于，所述ono层中靠近所述有源区的氧化层的厚度小于2nm。5.如权利要求1所述的一种sonos存储器，其特征在于，所述栅极多晶硅层为选择栅和/或存储栅的栅极多晶硅层。6.一种sonos存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有浅槽隔离结构及有源区，所述浅槽隔离结构用于隔离所述有源区，所述浅槽隔离结构顶面的高度低于所述有源区顶面的高度；在所述衬底上形成ono层，所述ono层顺形覆盖所述浅槽隔离结构及所述有源区；在所述ono层上形成栅极多晶硅层。7.如权利要求6所述的一种sonos存储器的制备方法，其特征在于，形成所述浅槽隔离结构及所述有源区的步骤包括：在所述衬底内形成所述浅槽隔离结构；对所述浅槽隔离结构两侧的所述衬底进行离子注入以形成所述有源区；刻蚀以去除至少部分所述浅槽隔离结构的部分高度。8.如权利要求7所述的一种sonos存储器的制备方法，其特征在于，通过湿法刻蚀工艺刻蚀所述浅槽隔离结构。9.如权利要求7所述的一种sonos存储器的制备方法，其特征在于，刻蚀以去除至少部分所述浅槽隔离结构的部分高度之后，形成所述ono层之前，还包括：刻蚀所述有源区的顶面，以使所述有源区的顶面呈波浪形、锯齿形或方波形。10.如权利要求9所述的一种sonos存储器的制备方法，其特征在于，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺刻蚀所述有源区。
技术总结
在本发明提供的一种SONOS存储器及其制备方法中，包括：衬底，所述衬底内具有浅槽隔离结构及有源区，所述浅槽隔离结构用于隔离所述有源区，至少部分所述浅槽隔离结构顶面的高度低于所述有源区顶面的高度，所述有源区顶面呈波浪形、锯齿形或方波形；ONO层，位于所述衬底上且顺形覆盖所述浅槽隔离结构及所述有源区；栅极多晶硅层，位于所述ONO层上。通过使部分所述浅槽隔离结构的高度低于所述有源区的高度使所述有源区的部分侧壁裸露，或增加所述有源区上表面的面积，以增加所述ONO层与所述有源区的有效接触面积，进而增强SONOS存储器存储电荷的能力，提高SONOS存储器的电压阈值。提高SONOS存储器的电压阈值。提高SONOS存储器的电压阈值。
技术研发人员：翟海涛 蔡彬 章晶 黄冠群
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2021.12.28
技术公布日：2022/4/8