有机发光二极管显示屏及显示装置的制作方法

1.本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管显示屏及显示装置。


背景技术：

2.现有的有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示屏采用电流驱动，由于像素驱动电压(elvdd)走线自身存在电阻分压，电流经过像素驱动电压走线的时候产生电源压降，即存在电阻效应。
3.如图1所示，图1是现有技术中的有机发光二极管显示屏的驱动电路的结构示意图，由于像素驱动电压走线电阻串联分压，根据r＝ρl/s公式可知，相对a点处的起点电位，像素驱动电压走线阻抗值随长度值l增加而增加，a点右侧的电压压降(ir-drop)程度逐渐增加，越往右电压值越低，显示屏的亮度越低，因此，造成有机发光二极管显示屏的画面显示亮度均一性不佳。
4.由此可见，现有技术中的有机发光二极管显示屏存在亮度均一性不佳的问题。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种有机发光二极管显示屏及显示装置，能够解决现有有机发光二极管显示屏存在亮度均一性不佳的问题。
6.本实用新型提供如下技术方案：
7.第一方面，本实用新型实施例提供了一种有机发光二极管显示屏，包括依次层叠设置的基板、像素电极层及薄膜晶体管层，所述像素电极层分别与所述薄膜晶体管层上的多个薄膜晶体管电性连接。
8.根据本实用新型公开的一种具体实施方式，有机发光二极管显示屏还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层分别设置于所述像素电极层的两侧，所述第一绝缘层、所述像素电极层及所述第二绝缘层设置于所述基板和所述薄膜晶体管层之间。
9.根据本实用新型公开的一种具体实施方式，所述第二绝缘层设置于所述像素电极层靠近所述薄膜晶体管层的一侧，所述薄膜晶体管层包括源极层，所述第二绝缘层设置有通孔，所述源极层穿过所述通孔与所述像素电极层电性连接。
10.根据本实用新型公开的一种具体实施方式，所述第二绝缘层的材质为sio
x
。
11.根据本实用新型公开的一种具体实施方式，所述像素电极层的大小与所述基板的大小相同。
12.根据本实用新型公开的一种具体实施方式，所述像素电极层的材质为ti/al/ti。
13.根据本实用新型公开的一种具体实施方式，所述像素电极层通过物理气相沉积、化学气相沉积、金属镀膜中的任一种方式形成。
14.根据本实用新型公开的一种具体实施方式，所述薄膜晶体管为n沟道薄膜晶体管或p沟道薄膜晶体管。
15.根据本实用新型公开的一种具体实施方式，有机发光二极管显示屏还包括玻璃层，所述玻璃层设置于所述基板背离所述像素电极层的一侧。
16.第二方面，本实用新型实施例提供了一种显示装置，包括如第一方面所述的有机发光二极管显示屏。
17.本实用新型的实施例具有如下优点：
18.本实用新型提供的有机发光二极管显示屏，将像素电极层设置为平面结构，实现了像素驱动电路线路与薄膜晶体管点面连接，有效降低电压幅值差异，提高了有机发光二极管显示屏的亮度均一性。
19.为使本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。
附图说明
20.为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
21.图1示出了现有技术中的有机发光二极管的驱动电路的结构示意图；
22.图2示出了本实用新型实施例提供的第一种有机发光二极管显示屏的结构示意图；
23.图3示出了本实用新型实施例提供的有机发光二极管显示屏的驱动电路的结构示意图；
24.图4示出了本实用新型实施例提供的第二种有机发光二极管显示屏的结构示意图。
25.主要元件符号说明：
26.100-有机发光二极管显示屏；110-基板；120-像素电极层；130-薄膜晶体管层；131-薄膜晶体管；132-源极层；140-第一绝缘层；150-第二绝缘层；151-通孔；160-玻璃层。
具体实施方式
27.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
28.需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
29.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
30.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
31.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在模板的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
32.现有的有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示面板，采用电流驱动，由于像素驱动电压(elvdd)走线自身存在电阻分压，电流经过像素驱动电压走线的时候产生电源压降，即存在电阻效应。
33.如图1所示，图1是现有技术中的有机发光二极管显示屏的驱动电路的结构示意图，由于像素驱动电压走线电阻串联分压，根据r＝ρl/s公式可知，相对a点处的起点电位，像素驱动电压走线阻抗值随长度值l增加而增加，a点右侧的电压压降(ir-drop)程度逐渐增加，越往右电压值越低，显示屏的亮度越低，因此，造成有机发光二极管显示屏的画面显示亮度均一性不佳。
34.申请人在付出了创造性劳动后，得到了本实用新型的方案，即将像素电极层设置为平面结构，实现了像素驱动电路线路与薄膜晶体管点面连接，提高了有机发光二极管显示屏的亮度均一性。下面将结合附图阐述本实用新型的方案。
35.实施例1
36.请参阅图2，图2为本实用新型实施例提供的第一种有机发光二极管显示屏的结构示意图，如图2所示，有机发光二极管显示屏100包括依次层叠设置的基板110、像素电极层120及薄膜晶体管层130，像素电极层120分别与薄膜晶体管层130上的多个薄膜晶体管131电性连接。
37.具体的，薄膜晶体管131的驱动电压经由像素电极层120提供。请一并参阅图3，图3为本实施例提供的有机发光二极管显示屏的驱动电路的结构示意图的结构示意图，本实施例提供的有机发光二极管显示屏的驱动电路可以等效为将电阻并联。电阻并联的方式有利于降低阻抗，将像素电极层120设置在基板110与薄膜晶体管层130之间，且像素电极层120为整面的形式，实现了像素电极层120与薄膜晶体管131点面连接，提高了有机发光二极管显示屏的亮度均一性。
38.优选地，像素电极层120的大小与基板110的大小相同。
39.在加工的过程中，在基板110的表面形成一整层的像素电极层120，即像素电极层120的大小与基板110的大小相同，无需再进行蚀刻等工艺，使得加工过程简单，同时实现了像素电极层120面积最大化。
40.可以理解的是，像素电极层120的大小与基板110的大小也可以不相同。
41.像素电极层120的材质可以为ti/al/ti。ti/al/ti是一种复合材料，常被用于显示技术中。
42.优选地，像素电极层120可以通过物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、金属镀膜(metal deposition)中的任一种方式形成，本实用新型对此不作限制。
43.物理气相沉积技术是在真空条件下，采用物理方法，将材料源即固体或液体表面气化成气态原子、分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有特殊功能的薄膜的技术。化学气相沉积技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。金属镀膜技术一般在真空下进行，是在基体表面沉积金属薄膜的技术。
44.薄膜晶体管131为n沟道薄膜晶体管或p沟道薄膜晶体管，本实用新型对此不作限制。
45.可选的，有机发光二极管显示屏100还包括玻璃层160，玻璃层160设置于基板110背离像素电极层120的一侧。
46.玻璃层160的设置，用于为有机发光二极管显示屏100中的其他结构提供保护作用。
47.本实用新型提供的有机发光二极管显示屏，将像素电极层设置为平面结构，实现了像素驱动电路线路与薄膜晶体管点面连接，有效降低电压幅值差异，提高了有机发光二极管显示屏的亮度均一性。
48.实施例2
49.请参阅图4，图4为本实用新型实施例提供的第二种有机发光二极管显示屏的结构示意图，如图4所示，有机发光二极管显示屏100包括依次层叠设置的基板110、像素电极层120及薄膜晶体管层130，像素电极层120分别与薄膜晶体管层130上的多个薄膜晶体管131电性连接。
50.具体的，薄膜晶体管131的驱动电压经由像素电极层120提供。请一并参阅图3，图3为本实施例提供的有机发光二极管显示屏的驱动电路的结构示意图的结构示意图，本实施例提供的有机发光二极管显示屏的驱动电路可以等效为将电阻并联。电阻并联的方式有利于降低阻抗，将像素电极层120设置在基板110与薄膜晶体管层130之间，且像素电极层120为整面的形式，实现了像素电极层120与薄膜晶体管131点面连接，提高了有机发光二极管显示屏的亮度均一性。
51.可以理解的是，基板110与像素电极层120之间、像素电极层120与薄膜晶体管层130之间，还可以设置其他结构，具体的，根据需求进行设定。
52.在本实施例中，有机发光二极管显示屏100还包括第一绝缘层140和第二绝缘层150，第一绝缘层140和第二绝缘层150分别设置于像素电极层120的两侧，第一绝缘层140、像素电极层120及第二绝缘层150设置于基板110和薄膜晶体管层130之间。
53.第一绝缘层140及第二绝缘层150的设置，使得像素电极层120与其他结构之间实现了绝缘，保证了像素电极层120的独立工作。
54.可以理解的是，基板110与第一绝缘层140之间、第二绝缘层150与薄膜晶体管层
130之间，还可以设置其他结构，具体的，根据需求进行设定，本实用新型对此不作限制。
55.具体的，第二绝缘层150设置于像素电极层120靠近薄膜晶体管层130的一侧，薄膜晶体管层130包括源极层132，第二绝缘层150设置有通孔151，源极层132穿过通孔151与像素电极层120电性连接，进而实现经由像素电极层120为薄膜晶体管131提供驱动电压。
56.优选地，第二绝缘层150的材质为sio
x
。
57.具体的，sio
x
，即硅氧化物，硅氧化物的绝缘性可以作为保护膜使得受保护的结构免受周围环境杂质的污染，由硅氧化物构成的薄膜具有良好的硬度、光学性能、介电性质、耐磨及抗蚀等特性。
58.优选地，像素电极层120的大小与基板110的大小相同。
59.在加工的过程中，在基板110的表面形成一整层的像素电极层120，即像素电极层120的大小与基板110的大小相同，无需再进行蚀刻等工艺，使得加工过程简单，同时实现了像素电极层120面积最大化。
60.可以理解的是，像素电极层120的大小与基板110的大小也可以不相同。
61.像素电极层120的材质可以为ti/al/ti。ti/al/ti是一种复合材料，常被用于显示技术中。
62.优选地，第一绝缘层140、像素电极层120及第二绝缘层150可以通过物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、金属镀膜(metal deposition)中的任一种方式形成，本实用新型对此不作限制。
63.物理气相沉积技术是在真空条件下，采用物理方法，将材料源即固体或液体表面气化成气态原子、分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有特殊功能的薄膜的技术。化学气相沉积技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。金属镀膜技术一般在真空下进行，是在基体表面沉积金属薄膜的技术。
64.薄膜晶体管131为n沟道薄膜晶体管或p沟道薄膜晶体管，本实用新型对此不作限制。
65.有机发光二极管显示屏100还包括玻璃层160，玻璃层160设置于基板110背离像素电极层120的一侧。
66.玻璃层160的设置，用于为有机发光二极管显示屏100中的其他结构提供保护作用。
67.实施例3
68.本实施例提供了一种显示装置，包括实施例1-2的有机发光二极管显示屏，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
69.在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。
70.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
71.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本
实用新型的保护范围。