技术特征：
1.一种异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池包括基体片、设置在基体片顶表面和底表面上的电极，其特征在于：基体片包括：单晶硅衬底层；两组本征非晶硅层，两组本征非晶硅层包括设置在单晶硅衬底层顶侧的第一组本征非晶硅层和设置在单晶硅衬底层底侧的第二组本征非晶硅层；p型掺杂层，所述p型掺杂层设置在所述第一组本征非晶硅层的顶侧；n型掺杂层，所述n型掺杂层设置在所述第二组本征非晶硅层的底侧；透光导电层，所述透光导电层分别设置在所述的p型掺杂层顶侧和所述n型掺杂层的底侧，所述电极设置在所述透光导电层的表面上；所述p型掺杂层为从所述第一组本征非晶硅层的顶侧指向电极方向的叠层结构，包括第一p型掺杂层，所述第一p型掺杂层与所述第一组本征非晶硅层接触，所述第一p型掺杂层为含三甲基硼气体沉积而成的整体层状结构，所述第一p型掺杂层上至少设置两层含三甲基硼和乙硼烷气体沉积形成的硼掺杂浓度递增的整体层状结构。2.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述p型掺杂层包括从所述第一组本征非晶硅层的顶侧指向电极方向依次排布的以下三层结构：第一p型掺杂层，所述第一p型掺杂层为含有三甲基硼气体沉积而成的硼轻掺杂整体层状结构；第二p型掺杂层，所述第二p型掺杂层为含有三甲基硼和乙硼烷气体沉积而成的硼轻掺杂整体层状结构；第三p型掺杂层，所述第三p型掺杂层为含有三甲基硼和乙硼烷气体沉积而成的硼重掺杂整体层状结构。3.根据权利要求2所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一p型掺杂层、第二p型掺杂层和第三p型掺杂层的厚度分别为2～10nm；所述p型掺杂层的厚度为10～20nm。4.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一组本征非晶硅层包括从所述单晶硅衬底层顶侧指向电极方向依次排布的以下三层结构：第一本征非晶硅层，第二本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层均为硅烷气体沉积形成的整体层状钝化结构，所述第二本征非晶硅层的致密性比所述第一本征非晶硅层高，第三本征非晶硅层，所述第三本征非晶硅层为含硅烷和氢气气体沉积的叠层钝化层。5.根据权利要求4所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述第三本征非晶硅层为包括从所述第二本征非晶硅层顶侧指向电极方向致密性依次增大的至少三层整体层状钝化结构。6.根据权利要求4所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述第二组本征非晶硅层包括从所述单晶硅衬底层底侧指向电极方向依次排布的以下两层结构：第四本征非晶硅层，第五本征非晶硅层，所述第四本征非晶硅层和第五本征非晶硅层均为含硅烷气体沉积形成的整体层状钝化结构，所述第五本征非晶硅层的致密性比所述第四本征非晶硅层高。7.根据权利要求6所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、第三本征非晶硅层、第四本征非晶硅层和第五本征非晶硅层的厚度
分别为0.5～5nm。8.根据权利要求1
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7任一项所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述n型掺杂层的厚度为5～10nm；所述透光导电层的厚度为90～110nm。9.根据权利要求8所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述单晶硅衬底层为n型单晶硅衬底层。
技术总结
本实用新型属于晶体硅太阳能电池领域，涉及一种异质结太阳能电池。针对现有技术中异质结太阳能电池P型掺杂层热稳定性差导致B原子容易扩散进入非晶硅本征层、纯乙硼烷气体掺杂形成的P型掺杂层光学禁带宽度低、高浓度乙硼烷气体掺杂导致掺硼非晶硅的缺陷态密度和发射极复合电流密度增加等P型掺杂层设计不完善的技术问题。本方案提供了一种异质结太阳能电池，通过将P型掺杂层设计成叠层结构，包括设置的与本征非晶硅层接触的含三甲基硼气体沉积的第一P型掺杂层，以及至少设置两层含三甲基硼和乙硼烷气体沉积的硼掺杂浓度递增的整体层状结构，制备步骤简单，成本低廉，得到的异质结太阳能电池性能优异。结太阳能电池性能优异。结太阳能电池性能优异。
技术研发人员：薛建锋 王金 余义 王永洁 苏世杰
受保护的技术使用者：通威太阳能（安徽）有限公司
技术研发日：2021.05.11
技术公布日：2021/11/2