技术特征：
1.一种晶圆的先进封装结构，其特征在于，所述先进封装结构包括晶圆和绝缘材料层；所述晶圆包括硅层、功能层、功能层对应的钝化层以及封装条；所述功能层设置于所述硅层的上表面；所述功能层对应的钝化层设置于所述功能层的上表面；所述封装条设置于所述功能层中并且围绕所述功能层中的内部电路设置，用于保护所述功能层中的内部电路；所述绝缘材料层围绕所述功能层的切割截断面设置；所述功能层的切割截断面到所述封装条的距离不小于5um并且不大于20um；所述硅层的边缘为台阶结构，所述台阶结构包括第一表面和第二表面，所述第一表面上方设置有所述绝缘材料层，所述第二表面上方设置有所述功能层；所述第二表面为平面，所述第一表面为弧面或者平面。2.根据权利要求1所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述第一表面的最低点与第二表面的距离不小于3um并且不大于5um。3.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述功能层对应的钝化层的上表面与所述第一表面的最低点的距离不小于15um并且不大于20um。4.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述功能层的切割截断面到所述封装条的距离不小于5um并且不大于10um。5.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述功能层的切割截断面到所述封装条的距离等于5um。6.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述台阶结构的第一表面的长度不小于15um，并且不大于45um。7.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述台阶结构的第一表面的长度为35um。8.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，所述先进封装结构还包括第一封装钝化层；所述第一封装钝化层设置于所述功能层对应的钝化层的上表面；所述绝缘材料层与所述第一封装钝化层一体化设置。9.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，所述先进封装结构还包括第一封装钝化层和第二封装钝化层，所述第二封装钝化层设置于所述功能层对应的钝化层的上表面，所述第一封装钝化层设置于所述第二封装钝化层的上表面；所述绝缘材料层与所述第二封装钝化层一体化设置，或者所述绝缘材料层与所述第一封装钝化层一体化设置。10.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，所述绝缘材料层为树脂层；所述功能层对应的钝化层包含二氧化硅。11.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，所述先进封装结构还包括封装线路层、封装焊盘和封装锡球；所述封装线路层与所述硅层连接；所述封装焊盘设置于所述晶圆上方，用于连接所述封装线路层和所述封装锡球。12.一种晶圆的先进封装结构，其特征在于，所述先进封装结构包括第一晶圆、第二晶圆和绝缘材料层；所述第一晶圆和所述第二晶圆分别包括硅层、功能层、功能层对应的钝化
层以及封装条；所述第一晶圆和所述第二晶圆共用所述硅层；对于所述第一晶圆和所述第二晶圆，所述功能层设置于所述硅层的上表面，所述功能层对应的钝化层设置于所述功能层的上表面，所述封装条设置于所述功能层中并且围绕所述功能层中的内部电路设置，用于保护所述功能层中的内部电路，所述功能层的切割截断面到所述封装条的距离不小于5um并且不大于20um；所述硅层设置有凹槽，所述凹槽设置于所述第一晶圆的功能层与所述第二晶圆的功能层之间，在所述凹槽内设置有所述绝缘材料层以使得所述第一晶圆的功能层的切割截断面和所述第二晶圆的功能层的切割截断面被所述绝缘材料层保护。13.根据权利要求12所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，所述凹槽为u型凹槽或者方形凹槽。14.根据权利要求12或13所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述功能层对应的钝化层的上表面与所述凹槽的底部的距离不小于15um并且不大于20um。15.根据权利要求12或13所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述凹槽在所述硅层中的深度不小于3um并且不大于5um。16.根据权利要求12或13所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述功能层的切割截断面到所述晶圆的封装条的距离不小于5um并且不大于10um。17.根据权利要求12或13所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述功能层的切割截断面到所述晶圆的封装条的距离等于5um。18.根据权利要求12或13所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述凹槽的宽度不小于30um并且不大于90um。19.根据权利要求12或13所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，还包括：所述凹槽的宽度为70um。20.根据权利要求12或13所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，所述先进封装结构还包括第一封装钝化层；所述第一封装钝化层设置于所述功能层对应的钝化层的上表面；所述绝缘材料层与所述第一封装钝化层一体化设置。21.根据权利要求12或13所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，所述先进封装结构还包括第一封装钝化层和第二封装钝化层，所述第二封装钝化层设置于所述功能层对应的钝化层的上表面，所述第一封装钝化层设置于所述第二封装钝化层的上表面；所述绝缘材料层与所述第二封装钝化层一体化设置，或者所述绝缘材料层与所述第一封装钝化层一体化设置。22.根据权利要求12或13所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，所述绝缘材料层为树脂层；所述功能层对应的钝化层包含二氧化硅。23.根据权利要求12或13所述的晶圆的先进封装结构，其特征在于，所述先进封装结构还包括封装线路层、封装焊盘和封装锡球；所述封装线路层与所述硅层连接；所述封装焊盘设置于所述晶圆上方，用于连接所述封装线路层和所述封装锡球。24.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至23中任一项所述的晶圆的先进封装结构以及供电模块，所述供电模块与所述晶圆的先进封装结构连接以实现预设的信号处理。
技术总结
本申请涉及封装领域，尤其涉及一种晶圆的先进封装。一种晶圆的先进封装结构，设置绝缘材料层围绕功能层的切割横断面，功能层的切割截断面到封装条的距离不小于5um并且不大于20um；硅层的边缘为台阶结构，台阶结构包括第一表面和第二表面，第一表面上方设置有绝缘材料层，第二表面上方设置有功能层；第二表面为平面，第一表面为弧面或者平面。使得晶圆的功能层的切割截断面不与环境直接接触，以此改善了晶圆的先进封装中切割带来的隐裂、崩边对晶圆可靠性的恶化。圆可靠性的恶化。圆可靠性的恶化。
技术研发人员：冷寒剑
受保护的技术使用者：深圳市汇顶科技股份有限公司
技术研发日：2021.11.01
技术公布日：2022/6/1