技术特征：
1.一种集成芯片，包括：一第一导电结构，配置于一基板上；一存储层，配置于该第一导电结构上并包含一铁电材料；一第二导电结构，配置于该存储层上；以及一退火的晶种层，配置于该第一导电结构与该第二导电结构之间并直接位于该存储层的第一侧上，其中含有斜方晶相的该退火的晶种层的结晶结构量大于35％。
技术总结
本发明一些实施例关于集成芯片，其包括第一导电结构配置于基板上。存储层配置于第一导电结构上与第二导电结构下并包含铁电材料。退火的晶种层配置于第一导电结构与第二导电结构之间并直接位于存储层的第一侧上。含有斜方晶相的结晶结构量大于约35％。晶相的结晶结构量大于约35％。晶相的结晶结构量大于约35％。
技术研发人员：廖崧甫 黄彦杰 陈海清 林仲德
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.01.10
技术公布日：2022/7/19