技术特征：
1.一种静电保护器件，其特征在于，静电保护器件至少包括一个三极管，所述三极管包括：具有第一导电类型掺杂的第一阱区；具有第二导电类型掺杂的第二漂移区；所述第一阱区和所述第二漂移区横向接触并形成第一接触面；在所述第一阱区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第一扩散区，所述第一扩散区和所述第一接触面之间具有第一间距；在所述第二漂移区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第二扩散区，所述第二扩散区和所述第一接触面之间具有第二间距；在所述第一扩散区的远离所述第一接触面一侧的所述第一阱区的表面的选定区域中形成有第一导电类型重掺杂的第三扩散区；在所述第二扩散区底部还形成有第二导电类型的第三阱区；由所述第二漂移区、所述第三阱区和所述第二扩散区一起组成集电区；由所述第一阱区组成基区，所述第三扩散区为所述基区的引出区；由所述第一扩散区组成发射区；所述第一扩散区和所述第三扩散区都连接到由正面金属层组成的发射极；所述第二扩散区连接到由正面金属层组成的集电极；所述第二间距的区域范围为所述集电区的有效耐压区域，所述第三阱区位于所述第二扩散区底部的结构使得所述集电区的有效耐压区域由所述第二漂移区确定，所述静电保护器件的击穿电压由所述第二间距保证或提升，所述第二间距越大，所述静电保护器件的击穿电压越大；所述第三阱区用于降低所述集电区的有效电阻并从而提升静电保护能力。2.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于：在版图结构上，所述第二扩散区和所述第三阱区的版图结构相同且对齐。3.如权利要求2所述的静电保护器件，其特征在于：所述第二间距通过所述第二扩散区的版图位置设置实现调节。4.如权利要求2所述的静电保护器件，其特征在于：所述三极管形成在第二导电类型外延层中。5.如权利要求4所述的静电保护器件，其特征在于：所述第二导电类型外延层形成于半导体衬底上，在所述半导体衬底的顶部表面和所述第二导电类型外延层的底部表面之间形成有第一导电类型埋层，所述第二导电类型外延层通过所述第一导电类型埋层和所述半导体衬底隔离。6.如权利要求5所述的静电保护器件，其特征在于：所述第一阱区的结深等于所述第二导电类型外延层的厚度。7.如权利要求5所述的静电保护器件，其特征在于：所述第二漂移区的结深小于所述第二导电类型外延层的厚度，所述第二漂移区的底部表面位于所述第二导电类型外延层的底部表面之上。8.如权利要求5所述的静电保护器件，其特征在于：所述第三阱区的结深等于所述第二导电类型外延层的厚度。
9.如权利要求5所述的静电保护器件，其特征在于：所述静电保护器件的多个所述三极管形成并联结构。10.如权利要求9所述的静电保护器件，其特征在于：在版图上，各所述第一阱区和所述第二漂移区交替排列；各所述第二漂移区的两侧都形成有所述第一接触面，各所述第二漂移区中都形成有一个所述第二扩散区以及一个位于所述第二扩散区底部的所述第三阱区，所述第二扩散区和两侧的所述第一接触面都具有第二间距。11.如权利要求10所述的静电保护器件，其特征在于：位于两侧的所述第一阱区中设置有所述第三扩散区。12.如权利要求11所述的静电保护器件，其特征在于：各所述第一阱区都连通在一起，位于中间区域的所述第一阱区中未设置所述第三扩散区。13.如权利要求12所述的静电保护器件，其特征在于：位于两侧的所述第一阱区的宽度大于中间区域的所述第一阱区的宽度。14.如权利要求1至13中任一权项所述的静电保护器件，其特征在于：所述三极管为pnp，第一导电类型为n型，第二导电类型为p型；或者，所述三极管为npn，第一导电类型为p型，第二导电类型为n型。15.如权利要求14所述的静电保护器件，其特征在于：所述静电保护器件用于保护24v的高压器件，所述第一间距的大小为0.5微米，所述第二间距的大小为1微米以上。
技术总结
本发明公开了一种静电保护器件，包括至少一个三极管形成，三极管包括：具有第一导电类型掺杂的第一阱区；具有第二导电类型掺杂的第二漂移区；第一阱区和第二漂移区横向接触并形成第一接触面；在第一阱区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第一扩散区，第一扩散区和第一接触面之间具有第一间距；在第二漂移区的表面选定区域中形成有第二导电类型重掺杂的第二扩散区，第二扩散区和第一接触面之间具有第二间距；在第一扩散区的远离第一接触面一侧的第一阱区的表面的选定区域中形成有第一导电类型重掺杂的第三扩散区；在第二扩散区底部还形成有第二导电类型的第三阱区。本发明能器件的击穿电压得到保持和提升同时提升静电保护能力。静电保护能力。静电保护能力。
技术研发人员：韦敏侠
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2022.01.26
技术公布日：2022/5/17