一种提高PTC热敏元件抗还原性能的方法与流程

文档序号:30068316发布日期:2022-05-18 01:29阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种提高ptc热敏元件抗还原性能的方法,其特征在于其是在以钛酸铅钡为基的ptc热敏元件表面被覆用于阻隔还原性有害气体经瓷体表面缺陷或晶粒边界进入瓷体内部的无机物保护层、有机物保护层或者被覆无机物与有机物相混合的有机无机复合物保护层。2.根据权利要求1所述的一种提高ptc热敏元件抗还原性能的方法,其特征在于所述无机物保护层的厚度为小于5微米。3.根据权利要求1所述的一种提高ptc热敏元件抗还原性能的方法,其特征在于所述有机物保护层为厚度为小于5微米。4.根据权利要求1所述的一种提高ptc热敏元件抗还原性能的方法,其特征在于所述无机物与有机物相混合的有机无机复合物保护层的厚度为小于5微米。5.根据权利要求1或2所述的一种提高ptc热敏元件抗还原性能的方法,其特征在于所述的无机物保护层为玻璃膜层或金属氧化物膜层,并且该玻璃膜层是将由玻璃制备成的浆料以喷涂、印刷、浸渍以及溅射中的任意一种方式被覆到经过表面清洁处理的所述ptc热敏元件的表面,再经高温烧渗形成的;所述金属氧化物膜层是以溅射方法将金属氧化物靶材之氧化物溅射到所述ptc热敏元件的表面,再经热处理形成的;所述表面清洁处理的清洁方式为清洗并且在清洗后烘干;所述清洗采用清洗剂清洗,清洗剂为去离子水;所述的金属氧化物为al2o3、sio2或cao2;所述热处理的温度为300-500℃,热处理的时间为30-60min。6.根据权利要求5所述的一种提高ptc热敏元件抗还原性能的方法,其特征在于所述高温烧渗的温度为550~800℃,并且自室温以250℃/h的升温速率升温到所述玻璃的软化点,并且保温10~30min,而后自然降温至室温。7.根据权利要求1或3所述的一种提高ptc热敏元件抗还原性能的方法,其特征在于所述的有机物保护层为有机硅密封材料层或绝缘漆层,并且所述有机硅密封材料层是以制备成浆料的形式以喷涂、印刷、真空浸渍和等静压中的任意一种方式被覆到经过表面清洁处理的所述ptc热敏元件的表面,再经烘干固化形成的;所述烘干固化的温度为150-250℃。8.根据权利要求7所述的一种提高ptc热敏元件抗还原性能的方法,其特征在于所述的有机硅密封材料层是由以下按重量份数配比的原料构成的:有机硅材料1份、交联剂1-5份、催化剂0.05-0.5份和助剂0.05-0.5份;所述有机硅材料为硅油、硅凝胶、硅橡胶和硅树脂中的一种或几种;所述的交联剂为正硅酸乙酯、正硅酸丙酯、过氧化苯甲酸、mekp、乙酰基硅烷或酰氨基硅烷;所述的催化剂为二月桂酸二丁基锡或乙烯基铂络合物;所述的助剂为纳米无机填料,所述的纳米无机填料为二氧化硅或三氧化二铝。9.根据权利要求7所述的一种提高ptc热敏元件抗还原性能的方法,其特征在于所述的绝缘漆层为丙烯酸漆、聚氨酯漆、氨基漆或环氧树脂漆。10.根据权利要求1或4所述的一种提高ptc热敏元件抗还原性能的方法,其特征在于所述无机物与有机物相混合的有机无机复合物保护层是以制备成浆料的形式通过喷涂、印刷、真空浸渍或等静压方式被覆到经过表面清洗处理的并且在表面清洗处理后烘干的ptc热敏元件的表面,再经150-250℃烘干固化形成的,所述无机物与有机物相混合的有机无机复合物保护层为金属氧化物与有机硅密封材料按重量比1∶1相混合的混合物,或者为金属氧化物与绝缘漆按重量比1∶1相混合的混合物;所述金属氧化物为al2o3、sio2或tio2,所述的有机硅密封材料由以下按重量份数配比的原料构成:有机硅材料1份、交联剂1-5份、催化剂0.05-0.5份和助剂0.05-0.5份;所述的绝缘漆为丙烯酸漆、聚氨酯漆、氨基漆或环氧树脂
漆;所述的有机硅材料为硅油、硅凝胶、硅橡胶和硅树脂中的一种或几种;所述的交联剂为正硅酸乙酯、正硅酸丙酯、过氧化苯甲酸、mekp、乙酰基硅烷或酰氨基硅烷;所述的催化剂为二月桂酸二丁基锡或乙烯基铂络合物;所述的助剂为纳米无机填料,所述纳米无机填料为二氧化硅或三氧化二铝。

技术总结
一种提高PTC热敏元件抗还原性能的方法,属于电子元器件制备技术领域。其是在以钛酸铅钡为基的PTC热敏元件表面被覆用于阻隔还原性有害气体经瓷体表面缺陷或晶粒边界进入瓷体内部的无机物保护层、有机物保护层或者被覆无机物与有机物相混合的有机无机复合物保护层。优点:可将无机物保护层、有机物保护层或者无机物与有机物相混合的有机无机复合物保护层被覆于以钛酸铅钡为基的PTC热敏元件表面而形成用于阻隔还原性有害气体经瓷体表面缺陷或晶粒边界进入瓷体内部的隔离保护层,因而摆脱使用自行研发并且通过复杂而严苛的制备过程获得的无机玻璃或有机涂层作为包覆材料的制约,简化制备工艺,降低制备成本,提高制造效率。率。率。


技术研发人员:傅邱云 何正安 周东祥
受保护的技术使用者:江苏新林芝电子科技股份有限公司
技术研发日:2022.03.10
技术公布日:2022/5/17
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