技术特征：
1.一种采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，包括：在立式炉管的晶舟内放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；在所述晶舟下方的进气盘承载支架内交错放置进气盘。2.根据权利要求1所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，所述晶舟从上到下依次划分为第一挡片区、晶圆区以及第二挡片区，其中，所述第一挡片区具有第一数量的槽位，所述第二挡片区具有第二数量的槽位。3.根据权利要求2所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，放置在所述第一挡片区内的挡片数量等于所述第一数量，放置在所述第二挡片区中的挡片数量少于所述第二数量。4.根据权利要求1所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，所述进气盘承载支架内具有第三数量槽位，放置在所述进气盘承载支架内的进气盘数量少于所述第三数量。5.根据权利要求1所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，在所述进气盘承载支架内交错放置的各所述进气盘轴心在水平方向的距离为10mm～50mm。6.根据权利要求3所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，将所述挡片在所述第二挡片区内分散放置或间隔放置。7.根据权利要求4所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，将所述进气盘在所述进气盘承载支架内分散放置或间隔放置。8.根据权利要求1所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，所述采用立式炉管的半导体热处理方法采用直立式低压化学气相沉积炉管通入正硅酸乙酯，加热晶圆以在晶圆表面形成二氧化硅膜。9.一种立式炉管，其特征在于，包括：晶舟，所述晶舟内用于放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；进气盘承载支架，设置在所述晶舟的下方，所述进气盘承载支架内具有交错放置的进气盘。10.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述晶舟从上到下依次划分为第一挡片区、晶圆区、第二挡片区，其中，所述第一挡片区具有第一数量槽位，所述第二挡片区具有第二数量槽位。11.根据权利要求10所述的立式炉管，其特征在于，所述第二数量少于所述第一数量。12.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述进气盘承载支架内具有第三数量槽位，放置在所述进气盘承载支架内的进气盘数量少于所述第三数量。13.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，在所述进气盘承载支架内交错放置的各所述进气盘轴心在水平方向的距离为10mm～50mm。14.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述进气盘承载支架为圆柱状，所述进气盘承载支架的直径为330mm～350mm。15.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述进气盘承载支架为螺旋状，所述进气盘承载支架分层设置阶梯，用于交错放置所述进气盘；所述进气盘承载支架的高度为200mm-400mm，所述进气盘承载支架每层的直径为310mm-340mm。16.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述进气盘承载支架采用金属材料。
17.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述进气盘的材料采用石英，所述进气盘的直径为300mm。
技术总结
本申请提供一种采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管。所述采用立式炉管的半导体热处理方法包括：在立式炉管的晶舟内放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；在所述晶舟下方的进气盘承载支架内交错放置进气盘。所述立式炉管包括：晶舟，所述晶舟内用于放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；进气盘承载支架，设置在所述晶舟的下方，所述进气盘承载支架内具有交错放置的进气盘。本申请通过一种采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管，改善了半导体产品膜厚度不均匀的技术问题，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。
技术研发人员：李锋
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.03.10
技术公布日：2022/7/4