技术特征：
1.一种fdsoi源漏外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：s1，按现有工艺制造fdsoi直至沉积第一层隔离侧墙；s2，刻蚀去除绝缘体硅顶部和栅极顶部的第一层隔离侧墙，保留栅极两侧的第一层隔离侧墙；s3，绝缘体硅顶部生长硅外延，打开沟槽窗口；s4，nmos源漏区域第一材料外延生长；s5，pmos源漏区域第二材料外延生长，锗硅生长前清洗后所剩余的锗硅层厚度大于pmos源漏外延生长所需要厚度的最小值；s6，刻蚀去除第一层隔离侧墙底部旁的外延硅。2.如权利要求1所述fdsoi源漏外延生长方法，其特征在于：所述第一材料为硅或锗硅，所述第二材料为锗硅。3.如权利要求1所述fdsoi源漏外延生长方法，其特征在于：第一层隔离侧墙是氮化硅隔离侧墙。4.如权利要求3所述fdsoi源漏外延生长方法，其特征在于：实施步骤s4时，沉积硬掩膜层覆盖pmos区域，生长硅外延，刻蚀工艺形成nmos源漏区域，去除硬掩膜层。5.如权利要求4所述fdsoi源漏外延生长方法，其特征在于：所述硬掩膜层是氮化硅或氮氧化硅层。6.如权利要求3所述fdsoi源漏外延生长方法，其特征在于：实施步骤s5时，沉积硬掩膜层覆盖nmos区域，执行清洗，生长锗硅外延，刻蚀工艺形成pmos源漏区域，去除硬掩膜层。7.如权利要求6所述fdsoi源漏外延生长方法，其特征在于：所述硬掩膜层是氮化硅或氮氧化硅层。8.如权利要求1所述fdsoi源漏外延生长方法，其特征在于：实施步骤s6时，采用工艺所能达到的最短时间blanket刻蚀去除侧壁底部旁边的外延硅。9.如权利要求1-8任意一项所述fdsoi源漏外延生长方法，其特征在于：其用于45nm、40nm、32nm、28nm、22nm、20nm或小于16nmfdsoi制作工艺。
技术总结
本发明公开了一种FDSOI源漏外延生长方法，包括：按现有工艺制造FDSOI直至沉积第一层隔离侧墙；刻蚀去除绝缘体硅顶部和栅极顶部的第一层隔离侧墙，保留栅极两侧的第一层隔离侧墙；绝缘体硅顶部生长硅外延，打开沟槽窗口；NMOS源漏区域第一材料外延生长；PMOS源漏区域第二材料外延生长，锗硅生长前清洗后所剩余的锗硅层厚度大于PMOS源漏外延生长所需要厚度的最小值；刻蚀去除第一层隔离侧墙底部旁的外延硅。延硅。延硅。
技术研发人员：岳双强 汪韬 李妍 辻直树
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2022.04.14
技术公布日：2022/8/12