技术特征：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有掩膜层；形成贯穿所述掩膜层并延伸至所述衬底内的多个凹槽，所述凹槽包含第一凹槽与第二凹槽，所述第一凹槽用于形成高压器件内的局部氧化层结构，所述第二凹槽用于形成隔离不同器件的浅沟槽隔离结构；以及沉积绝缘材料，所述绝缘材料填满所述凹槽以形成局部氧化层结构与浅沟槽隔离结构。2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述衬底上还形成有第一氧化层，所述掩膜层位于所述第一氧化层上。3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成多个凹槽的方法包括：形成图形化的第一光刻胶层在所述掩膜层上，所述图形化的第一光刻胶层暴露出预定形成所述第一凹槽的区域；以所述图形化的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩膜层、所述第一氧化层以及部分厚度的所述衬底，形成所述第一凹槽；去除所述图形化的第一光刻胶层；形成图形化的第二光刻胶层在所述掩膜层上，所述图形化的第二光刻胶层暴露出预定形成所述第二凹槽的区域；以所述图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩膜层、所述第一氧化层以及部分厚度的所述衬底，形成所述第二凹槽；以及，去除所述图形化的第二光刻胶层。4.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成多个凹槽的方法包括：形成图形化的第二光刻胶层在所述掩膜层上，所述图形化的第二光刻胶层暴露出预定形成所述第二凹槽的区域；以所述图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩膜层、所述第一氧化层以及部分厚度的所述衬底，形成所述第二凹槽；去除所述图形化的第二光刻胶层；形成图形化的第一光刻胶层在所述掩膜层上，所述图形化的第一光刻胶层暴露出预定形成所述第一凹槽的区域；以所述图形化的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩膜层、所述第一氧化层以及部分厚度的所述衬底，形成所述第一凹槽；以及，去除所述图形化的第一光刻胶层。5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在形成所述凹槽之后，在沉积绝缘材料之前，所述制作方法还包括：形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述凹槽的侧壁及底部。6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，沉积绝缘材料，所述绝缘材料填满所述凹槽以形成局部氧化层结构与浅沟槽隔离结构的方法包括：沉积绝缘材料，所述绝缘材料填满所述凹槽并覆盖所述掩膜层；
平坦化所述绝缘材料至暴露出所述掩膜层。7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，平坦化所述绝缘材料至暴露出所述掩膜层之后，所述制作方法还包括：去除所述掩膜层。8.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层的材质包含氧化硅，所述掩膜层的材质包含氮化硅。9.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二氧化层的材质包含氧化硅，所述绝缘材料包含氧化硅。10.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1～9中任一项所述的半导体器件的制作方法制作而成。
技术总结
本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有掩膜层；形成贯穿所述掩膜层并延伸至所述衬底内的多个凹槽，所述凹槽包含第一凹槽与第二凹槽，所述第一凹槽用于形成高压器件内的局部氧化层结构，所述第二凹槽用于形成隔离不同器件的浅沟槽隔离结构；沉积绝缘材料，所述绝缘材料填满所述凹槽以形成局部氧化层结构与浅沟槽隔离结构。本发明在形成浅沟槽隔离结构的同时形成高压器件内的局部氧化层结构，简化了工艺流程，同时消除了形成局部氧化层结构时导致的鸟嘴效应，使局部氧化层结构的尺寸缩小，从而缩小了高压器件的尺寸，由此改善器件性能。能。能。
技术研发人员：蒋兴教 陈政 郭晨浩
受保护的技术使用者：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.04.27
技术公布日：2022/8/5