技术特征：
1.一种少层tio
2-mxene复合材料的制备方法，其特征在于：包括水热反应步骤，所述水热反应步骤具体为：将薄层mxene胶体与浓盐酸混合，形成预反应混合物，以体积比计算，mxene胶体:浓盐酸为50-100；将预反应混合物进行水热反应，水热反应温度控制在110-130℃，形成终反应混合物，以使在mxene上原位生长颗粒状tio2纳米晶，所述tio2纳米晶含有金红石型tio2晶型；终反应混合物过滤得到少层tio
2-mxene复合材料。2.如权利要求1所述的少层tio
2-mxene复合材料的制备方法，其特征在于：水热反应温度控制在120℃，水热反应时间6h。3.如权利要求1所述的少层tio
2-mxene复合材料的制备方法，其特征在于：所述浓盐酸的质量分数为36%。4.如权利要求1所述的少层tio
2-mxene复合材料的制备方法，其特征在于：所述tio2纳米晶的粒度为30-50nm。5.如权利要求1所述的少层tio
2-mxene复合材料的制备方法，其特征在于：所述少层tio
2-mxene复合材料的制备方法还包括超声分散步骤，所述超声分散步骤具体为：将mxene粉末分散到去离子水中，并进行60-75 min的超声处理，然后离心分离，并收集上层浊液，得到薄层mxene胶体。6.如权利要求1所述的少层tio
2-mxene复合材料的制备方法，其特征在于：所述少层tio
2-mxene复合材料的制备方法还包括刻蚀步骤，所述刻蚀步骤具体为：将max、氟化锂和质量分数为8-10％的盐酸按照预定比例混合，形成预刻蚀混合物；将预刻蚀混合物30-50℃搅拌，以进行连续刻蚀，得到层状材料mxene；将层状材料mxene清洗至ph=6-7，然后干燥、研磨得到mxene粉末。7.如权利要求1所述的少层tio
2-mxene复合材料的制备方法，其特征在于：所述max为ti3alc2。8.如权利要求1所述的少层tio
2-mxene复合材料的制备方法，其特征在于：所述max的粒度为325目。9.一种少层tio
2-mxene复合材料，其特征在于：由权利要求1所述的少层tio
2-mxene复合材料的制备方法得到。10.如权利要求9所述的少层tio
2-mxene复合材料作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层的应用。
技术总结
一种少层TiO
技术研发人员：马薇 宋扬 李海波 潭永涛 杨珮珮 杨海涛 张泽豪 康宇冲 杨坤 马晓云 王晓雪
受保护的技术使用者：宁夏大学
技术研发日：2022.05.24
技术公布日：2022/8/8