技术特征：
1.一种半导体器件，包括：发光结构，其包括n型层、p型层以及位于所述n型层与所述p型层之间的有源层；以及互连凸块，其包括：焊盘电极，其位于n型层和p型层中的至少一个电极上，焊料凸块，其键合至所述焊盘电极；其特征在于：所述互连凸块的孔隙率≤5％。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述焊盘电极包括多层金属层，其最上层金属层为au层，所述焊料凸块与所述au层直接接触，所述au层厚度为3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述互连凸块的孔隙率≤3％，所述4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述焊盘电极包括凸块下冶金层，以及位于所述凸块下冶金层与所述焊料凸块之间的金属间化合物层，所述金属间化合物层与所述焊料凸块之间的孔隙率≤5％。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：所述金属间化合物顺次包括ti层、ni层、au层，所述ti层厚度为所述ni层厚度为所述au层厚度为6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述金属间化合物层与所述焊料凸块之间的孔隙率≤3％，所述7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：所述凸块下冶金层包括粘结层、金属反射层以及包覆层，所述焊料凸块为sn。8.一种半导体器件，包括：发光结构，具有多个电极；以及与所述多个电极电性连接的互连凸块，其中，所述互连凸块包括位于所述电极上的焊盘电极，键合至所述焊盘电极上的焊料凸块，所述互连凸块的孔隙率≤5％。9.根据权利要求8所述的一种半导体器件，其特征在于：所述发光结构包括n型层、p型层，以及位于所述n型层和所述p型层之间的有源层；所述多个电极在所述发光结构的同一侧，包括分别与所述n型层和所述p型层电性连接的多个第一n电极和多个第一p电极；焊盘电极包括分别电性连接多个第一n电极和多个第一p电极的n电极焊盘和p电极焊盘。10.一种半导体器件封装件，包括：封装件主体；封装件主体上的半导体器件；以及对所述半导体器件进行包封的包封部分，其中所述半导体器件如权利要求1～9任意一项所示。11.根据权利要求10所述的封装件，其特征在于，所述包封部分至少包括一磷光体。12.一种照明设备，包括：壳体；以及如权利要求10所述的半导体器件封装件。13.一种背光元件，包括背光板，以及如权利要求10所述的半导体器件封装件。
技术总结
本发明提供了一种半导体器件、半导体器件封装体、照明设备和背光单元，包括：发光结构，其包括N型层、P型层以及位于所述N型层与所述P型层之间的有源层；以及互连凸块，其包括：焊盘电极，其位于N型层和P型层中的至少一个电极上，焊料凸块，其键合至所述焊盘电极；所述互连凸块的孔隙率≤5％。可以降低锡球电极内的孔隙率。隙率。隙率。
技术研发人员：王思博 李冬梅 蒋从康 廖汉忠 芦玲
受保护的技术使用者：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
技术研发日：2022.06.07
技术公布日：2022/8/5