一种显示面板及其制作方法和显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。


背景技术：

2.随着科学技术的发展，具有叠层发光功能层的显示器件因具有发光效率高、发光亮度高以及使用寿命长等优点，而逐渐代替具有单层发光功能层的显示器件，被广泛应用于平板显示、柔性显示和车载显示等众多显示领域。但是，与具有单层发光功能层的显示器件相比，具有叠层发光功能层的显示器件的横向串扰问题更加严重。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本发明致力于提供一种显示面板及其制作方法和显示装置，以解决具有叠层发光功能层的显示器件的横向串扰问题。
4.第一方面，本发明提供了一种显示面板，包括：
5.阵列基板以及设置在所述阵列基板一侧的发光单元；
6.所述发光单元至少包括层叠设置的第一发光功能层和第二发光功能层，所述第一发光功能层和所述第二发光功能层之间具有电荷生成层；
7.所述电荷生成层包括电荷生成部和失效部；所述电荷生成部位于所述发光单元所在的发光区域内，所述失效部位于相邻的所述发光单元之间的非发光区域内，所述电荷生成部用于使其所在的所述发光单元内的所述第一发光功能层和所述第二发光功能层串联；所述失效部用于隔断相邻的所述发光单元内的电荷生成部。
8.可选地，所述电荷生成层包括层叠设置的第一电荷生成层和第二电荷生成层，所述第一电荷生成层和所述第二电荷生成层的掺杂类型不同；
9.可选地，所述第二电荷生成层位于所述第一电荷生成层背离所述阵列基板的一侧，且仅所述第二电荷生成层包括所述多个电荷生成部和所述失效部。
10.可选地，所述第一电荷生成层为n型电荷生成层，所述第二电荷生成层为p型电荷生成层；
11.可选地，所述n型电荷生成层由掺杂有金属材料的有机电子传输材料形成，所述p型电荷生成层由掺杂有氧化性材料的有机空穴传输材料形成。
12.可选地，还包括设置在所述阵列基板一侧的像素定义层，所述像素定义层具有开口，所述发光单元设置在所述开口内；所述失效部位于所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧，所述失效部在所述阵列基板上的正投影与所述像素定义层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠；
13.可选地，所述失效部在所述阵列基板上的正投影位于所述像素定义层在所述阵列基板上的正投影内。
14.可选地，还包括位于非发光区域内的阻隔层；所述阻隔层位于所述电荷生成层背离所述阵列基板的一侧；
15.所述阻隔层用于向所述电荷生成层扩散离子或原子，以使所述非发光区域内的电荷生成层形成所述失效部；其中，所述阻隔层在所述阵列基板上的正投影与所述失效部在所述阵列基板上的正投影重叠。
16.可选地，所述阻隔层的材料包括还原性材料；所述还原性材料包括碱金属、碱土金属、过渡金属、镧系金属和锕系金属中的一种或多种；
17.可选地，所述还原性材料包括li、ag和yb中的一种或多种。
18.可选地，所述阻隔层包括多个第一阻隔条和多个第二阻隔条，所述第一阻隔条沿第一方向延伸，所述第二阻隔条沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交；
19.并且，所述多个第一阻隔条和所述多个第二阻隔条交叉设置，以使所述失效部包括交叉设置的多个第一失效条和多个第二失效条，并使所述第一失效条和所述第二失效条至少部分包围所述电荷生成部。
20.第二方面，本发明提供了一种显示装置，包括如上任一项所述的显示面板。
21.第三方面，本发明提供了一种显示面板的制作方法，包括：
22.在所述阵列基板的一侧形成第一发光功能层，所述第一发光功能层位于发光区域内；
23.在所述第一发光功能层背离所述阵列基板的一侧形成电荷生成层；
24.对非发光区域内的电荷生成层进行失效处理，所述非发光区域位于相邻的发光区域之间，以使得所述非发光区域内的电荷生成层形成失效部，使得所述发光区域内的电荷生成层形成电荷生成部；
25.在所述电荷生成层背离所述阵列基板的一侧形成第二发光功能层，所述第二发光功能层位于发光区域内，每个所述发光区域内的第二发光功能层和第一发光功能层构成一个发光单元，每个所述发光单元内的第二发光功能和第一发光功能层通过所述电荷生成部串联，相邻的所述发光单元内的电荷生成部通过所述失效部隔断。
26.可选地，所述对所述非发光区域内的电荷生成层进行失效处理包括：
27.在所述非发光区域内电荷生成层背离所述阵列基板的一侧形成阻隔层，并使所述阻隔层向所述电荷生成层扩散离子或原子，以使所述非发光区域内的电荷生成层形成所述失效部；其中，所述阻隔层在所述阵列基板上的正投影与所述失效部在所述阵列基板上的正投影重叠。
28.本发明提供的显示面板及其制作方法和显示装置，包括阵列基板以及设置在阵列基板一侧的发光单元，该发光单元至少包括层叠设置的第一发光功能层和第二发光功能层。由于第一发光功能层和第二发光功能层之间具有电荷生成层，该电荷生成层包括位于发光单元所在发光区域内的电荷生成部和位于相邻的发光单元之间的非发光区域内的失效部，并且，电荷生成部用于使对应的发光单元内的第一发光功能层和第二发光功能层串联，失效部用于隔断相邻的发光单元内的电荷生成部，因此，可以在通过电荷生成部实现电荷生成层的串联功能的基础上，通过失效部隔断电荷在相邻发光单元内的电荷生成部之间的扩散，从而可以避免相邻发光单元的横向串扰问题，进而可以提高显示效果。
附图说明
29.通过结合附图对本技术实施例进行更详细的描述，本技术的上述以及其他目的、
use steel，简称sus)或者柔性聚酰亚胺(polyimide，简称pi)等柔性衬底。也就是说，本发明实施例中的显示面板可以为不可弯折的刚性显示面板，也可以为可弯折的柔性显示面板。
50.电路阵列层包括多个驱动电路，每个驱动电路都包括驱动晶体管t，如图2所示，驱动晶体管t的漏极与发光单元11的阳极114电连接，以向阳极114传输驱动信号。可以理解的是，每个发光单元11的阴极115都接地或接低电平信号，以使阳极114和阴极115之间具有驱动发光功能层发光的电压差。
51.如图2所示，图2为图1所示的显示面板沿切割线aa
′
的剖面结构示意图，阵列基板一侧具有多个发光单元11，这些发光单元11可以阵列排布。并且，发光单元11所在的区域为发光区域11a，相邻的发光单元11之间的区域为非发光区域11b。
52.每个发光单元11至少包括层叠设置的第一发光功能层111和第二发光功能层112，第一发光功能层111和第二发光功能层112之间具有电荷生成层113。
53.本发明实施例中，仅以每个发光单元11包括两层发光功能层为例进行说明，但并不仅限于此，在另一些实施例中，每个发光单元11可以包括三层甚至更多层发光功能层，并且，同一发光单元11中每两个相邻的发光功能层之间都具有电荷生成层。
54.本发明实施例中，电荷生成层113为共通层，即电荷生成层113位于所有发光单元11的第一发光功能层111和第二发光功能层112之间。或者说，电荷生成层113位于第一发光功能层111和第二发光功能层112之间，并且，电荷生成层113在衬底10上的正投影覆盖所有的发光单元11在衬底10上的正投影。
55.并且，电荷生成层113包括多个电荷生成部113a和失效部113b。如图2和图3所示，图3为本发明一个实施例提供的电荷生成层的平面结构示意图，多个电荷生成部113a分别位于多个发光单元11所在的多个发光区域11a内，失效部113b位于相邻的发光单元11之间的非发光区域11b内。
56.其中，每个电荷生成部113a用于使所在的发光单元11内的第一发光功能层111和第二发光功能层112串联。可以理解的是，电荷生成部113a既可以作为第一发光功能层111的阴极，又可以作为第二发光功能层112的阳极，以实现第一发光功能层111和第二发光功能层112串联。
57.失效部113b用于隔断相邻的发光单元11所在发光区域11a内的电荷生成部113a，或者说，失效部113b用于隔断相邻的发光区域11a内的电荷生成部113a，又或者说，失效部113b用于隔断相邻的发光单元11内的电荷生成部113a。
58.基于此，本发明实施例中的电荷生成层113，既可以通过电荷生成部113a实现电荷生成层的串联功能，又可以通过失效部113b隔断电荷在相邻发光单元11的电荷生成部113a之间扩散，从而可以避免相邻发光单元11的横向串扰问题，进而可以提高显示面板的显示效果。
59.需要说明的是，图3中仅以所有的发光单元11之间的失效部113b连续设置为例进行说明，但是，本发明并不仅限于此。在实际应用中，在工艺条件的限制下，或者，为了降低制作成本，失效部113b也可以不连续设置。
60.在一些实施例中，如图4所示，图4为本发明另一个实施例提供的电荷生成层的平面结构示意图，失效部113b包括多个第一失效条113b1和多个第二失效条113b2，第一失效
条113b1沿第一方向x延伸，第二失效条113b2沿第二方向y延伸，第一方向x和第二方向y相交。
61.并且，多个第一失效条113b1和多个第二失效条113b2交叉设置，第一失效条113b1和第二失效条113b2至少部分包围电荷生成部113a，实现相邻的发光区域11a内的电荷生成部113a的隔断。
62.需要说明的是，本发明实施例中，仅以第一方向x是水平方向，第一方向y是竖直方向为例进行说明，但是，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，第一方向还可以是与水平方向和竖直方向均相交的倾斜方向。并且，失效部113b不仅可以包括沿两个不同方向延伸的失效条，还可以包括沿三个甚至更多个不同方向延伸的失效条。其中，失效部113b的形状由具体的发光单元的形状以及非发光区域11b的形状决定。
63.可以理解的是，本发明实施例中的失效部113b位于非发光区域11b内，即失效部113b不会超出非发光区域11b延伸至发光区域11a内，以免失效部113b影响发光单元11的发光效率等。
64.具体地，失效部113b的宽度小于非发光区域11b的宽度。如图4所示，第一失效条113b1在第二方向y上的宽度d1小于其所在的非发光区域11b在第二方向y上的宽度d2，第二失效条113b2在第一方向x上的宽度d3小于其所在的非发光区域11b在第一方向x上的宽度d4。进一步地，失效部113b的宽度可以大于1μm、小于其所在的非发光区域11b的宽度。其中，非发光区域11b的宽度一般在20μm左右。
65.还需要说明的是，本发明一些实施例中，仅以各个发光单元的发光区域大小相同为例进行说明，但是，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，不同颜色的发光单元的发光区域大小也可以不同。
66.如图5所示，图5为本发明另一个实施例提供的电荷生成层的平面结构示意图，蓝色发光单元所在的蓝色发光区域11ab大于绿色发光单元所在的绿色发光区域11ag，绿色发光单元所在的发光区域11ag大于红色发光单元所在的红色发光区域11ar，使得蓝色发光区域11ab的电荷生成部113a的面积大于绿色发光区域11ag的电荷生成部113a的面积，绿色发光区域11ag的电荷生成部113a的面积大于红色发光区域11ar的电荷生成部113a的面积。
67.并且，如图5所示，失效部113b可以不连续设置在蓝色发光区域11ab、绿色发光区域11ag和红色发光区域11ar之间。当然，在另一些实施例中，失效部113b也可以连续设置在蓝色发光区域11ab、绿色发光区域11ag和红色发光区域11ar之间，在此不再赘述。
68.本发明另一些实施例中，如图6所示，图6为本发明另一个实施例中的显示面板的剖面结构示意图，电荷生成层113包括层叠设置的第一电荷生成层1131和第二电荷生成层1132，其中，第一电荷生成层1131和第二电荷生成层1132的掺杂类型不同。
69.例如，第一电荷生成层1131的掺杂类型为n型，第二电荷生成层1132的掺杂类型为p型，或者，第一电荷生成层1131的掺杂类型为p型，第二电荷生成层1132的掺杂类型为n型。
70.本发明一些实施例中，第一电荷生成层1131为n型电荷生成层，以使第一电荷生成层1131作为第一发光功能层111的阴极；第二电荷生成层1132为p型电荷生成层，以使第二电荷生成层1132作为第二发光功能层112的阳极。
71.其中，n型电荷生成层可以由掺杂有金属材料的有机电子传输材料形成，其中金属材料包括碱金属、碱土金属以及部分过渡金属/镧系/锕系金属等，金属材料的掺杂浓度为
1％-10％，此外，n型电荷生成层的厚度范围可以为50a-200a。p型电荷生成层可以由掺杂有强氧化性材料的有机空穴传输材料形成，其中强氧化性材料包括氧化钼、氧化钨、氧化钒以及含氰基和f基团的有机化合物等，强氧化性材料的掺杂浓度为3％-15％，此外，p型电荷生成层的厚度范围可以为50a-200a。
72.本发明一些实施例中，如图6所示，第二电荷生成层1132位于第一电荷生成层1131背离衬底10的一侧，并且，仅第二电荷生成层1132包括多个电荷生成部113a和失效部113b，这是因为第二电荷生成层1132对横向串扰的影响较大，而第一电荷生成层1131对横向串扰的影响较小。当然，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，第一电荷生成层1131和第二电荷生成层1132也可以都具有多个电荷生成部113a和失效部113b，在此不再赘述。
73.需要说明的是，在一些实施例中，如图2所示，第一发光功能层111和第二发光功能层112可以都位于像素定义层116的开口内部，即发光单元11位于像素定义层116的开口内部，但是，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，如图6所示，仅第一发光功能层111位于像素定义层116的开口内，第二发光功能层112位于像素定义层116的开口上方，第一发光功能层111和第二发光功能层112的具体位置可以根据实际情况进行设定，只需保证开口在衬底10上的正投影覆盖发光单元11在衬底10上的正投影，使得开口不影响发光单元11的出光即可。
74.本发明实施例中，失效部113b位于像素定义层116背离衬底10的一侧，并且，在一些实施例中，失效部113b在衬底10上的正投影与像素定义层116在衬底10上的正投影至少部分重叠，可选地，失效部113b在衬底10上的正投影位于像素定义层116在衬底10上的正投影内，或者说，失效部113b在衬底10上的正投影的面积小于或等于像素定义层116在衬底10上的正投影面积。
75.其中，可以通过使得失效部113b在第一方向x上的长度小于或等于像素定义层116在第一方向x上的长度，使得失效部113b在第二方向y上的长度小于或等于像素定义层116在第二方向y上的长度，使得失效部113b在衬底10上的正投影的面积小于或等于像素定义层116在衬底10上的正投影面积。
76.在上述任一实施例中，第一发光功能层111或第二发光功能层112可以包括空穴传输层(hole tranport layer，htl)或电子阻挡层(electron block layer，ebl)、电子传输层(electron transport layer，etl)或空穴阻挡层(hole block layer，hbl)以及发光层(emission layer，eml)等。
77.在一些实施例中，如图7或图8所示，图7为本发明另一个实施例中的显示面板的剖面结构示意图，图8为本发明另一个实施例中的显示面板的剖面结构示意图，第一发光功能层111包括第一空穴传输层1110、第一发光层1111和第一电子传输层1112，第二发光功能层112包括第二空穴传输层1120、第二发光层1121和第二电子传输层1122。
78.当然，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，第一发光功能层111还可以包括第一电子阻挡层、第一发光层和第一空穴阻挡层，第二发光功能层112还可以包括第二电子阻挡层、第二发光层和第二空穴阻挡层，在此不再赘述。
79.本发明一些实施例中，可以通过在电荷生成层113上设置掩膜板，使得掩膜板覆盖发光区域11a、暴露非发光区域11b，并通过向位于非发光区域11b内的电荷生成层113注入或掺杂还原性较强的离子，来使得位于非发光区域11b内的电荷生成层113形成失效部
113b。
80.当然，本发明并不仅限于此，如图9所示，图9为本发明另一个实施例中的显示面板的剖面结构示意图，该显示面板还包括位于非发光区域11b内的阻隔层117，该阻隔层117位于电荷生成层113背离衬底10的一侧，该阻隔层117用于向电荷生成层113扩散离子或原子，以使非发光区域11b内的电荷生成层113形成失效部113b。其中，阻隔层117在衬底10上的正投影与失效部113b在衬底10上的正投影重叠。
81.其中，阻隔层117的材料包括还原性材料，该还原性材料包括碱金属、碱土金属、过渡金属、镧系金属和锕系金属中的一种或多种。在一些实施例中，该还原性材料包括li、ag和yb中的一种或多种。在一些实施例中，阻隔层117的厚度范围为5a-50a。
82.本发明一些实施例中，如图10所示，图10为本发明一个实施例中的阻隔层的平面结构示意图，非发光区域11b内的阻隔层117连续设置，当然，本发明并不仅限于此，在实际应用中，在工艺条件的限制下，或者，为了降低制作成本，非发光区域11b内的阻隔层117也可以不连续设置。
83.在一些实施例中，如图11所示，图11为本发明一个实施例中的阻隔层的平面结构示意图，阻隔层117包括多个第一阻隔条1171和多个第二阻隔条1172，第一阻隔条1171沿第一方向x延伸，第二阻隔条1172沿第二方向y延伸，第一方向x和第二方向y相交。
84.并且，多个第一阻隔条1171和多个第二阻隔条1172交叉设置，以使失效部113b包括交叉设置的多个第一失效条113b1和多个第二失效条113b2，并使第一失效条113b1和第二失效条113b2至少部分包围电荷生成部113a，即形成图5所示的失效部113b。
85.可以理解的是，阻隔层117的形状由需要制作的失效部113b的形状决定，即阻隔层117的形状与需要制作的失效部113b的形状基本相同。而失效部113b的形状又由具体的发光单元的形状以及非发光区域11b的形状决定，在此不再赘述。
86.其中，阻隔层117可以采用fmm蒸镀等方式形成。通过热蒸镀的方式形成阻隔层117之后，可以使得阻隔层117中的强还原性离子或原子扩散到电荷生成层113中，使得电荷生成层113相应部分的掺杂剂材料失效，使得该部分即失效部113b的导电性下降，从而可以使得失效部113b能够隔断相邻的发光单元内的电荷生成部113a。
87.作为本发明公开内容的一种可选实现，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，如图12所示，图12为本发明一个实施例提供的显示面板的制作方法的流程图，该制作方法包括：
88.s121：在衬底的一侧形成第一发光功能层，第一发光功能层位于发光区域内；
89.如图13所示，在衬底10一侧的像素定义层116的多个开口内分别形成多个第一发光功能层111，多个第一发光功能层111分别位于多个发光区域11a内，并且，第一发光功能层111通过阳极114与驱动晶体管t的漏极电连接。其中，发光区域11a之间的区域为非发光区域11b。
90.s122：在第一发光功能层背离衬底的一侧形成电荷生成层；
91.如图14所示，在衬底10的多个第一发光功能层111背离衬底10的一侧形成电荷生成层113，其中，电荷生成层113为共通层，即电荷生成层113覆盖所有发光区域11a内的第一发光功能层111。
92.s123：对非发光区域内的电荷生成层进行失效处理，非发光区域位于相邻的发光
区域之间，以使得非发光区域内的电荷生成层形成失效部，使得发光区域内的电荷生成层形成电荷生成部；
93.如图15所示，对发光区域11a之间的非发光区域11b内的电荷生成层113进行失效处理，使得非发光区域11b内的电荷生成层113形成失效部113b，发光区域11a内的电荷生成层113形成电荷生成部113a。其中，失效处理包括将强还原性离子或原子扩散到电荷生成层113中，使得电荷生成层113相应部分的掺杂剂材料失效，使得该部分的导电性下降形成失效部113b。
94.s124：在电荷生成层背离衬底的一侧形成第二发光功能层，第二发光功能层位于发光区域内，每个发光区域内的第二发光功能层和第一发光功能层构成一个发光单元，每个发光单元内的第二发光功能和第一发光功能层通过电荷生成部串联，相邻的发光单元内的电荷生成部通过失效部隔断。
95.如图16所示，在电荷生成层113背离衬底10的一侧形成多个第二发光功能层112，多个第二发光功能层112分别位于多个发光区域11a内，每个发光区域11a内的第二发光功能层112和第一发光功能层111构成一个发光单元11，每个发光单元11内的第二发光功能112和第一发光功能层111通过电荷生成部113a串联，相邻的发光单元11内的电荷生成部113a通过失效部113b隔断。
96.基于此，本发明实施例中，通过对非发光区域11b内的电荷生成层113进行失效处理，形成位于非发光区域11b内的失效部113b以及位于发光区域11a内的电荷生成部113a，从而既可以通过电荷生成部113a实现电荷生成层的串联功能，又可以通过失效部113b隔断电荷在相邻发光单元11的电荷生成部113a之间扩散，进而可以避免相邻发光单元11的横向串扰问题，进而可以提高显示面板的显示效果。
97.本发明一些实施例中，对电荷生成层进行失效处理包括：
98.如图17所示，在非发光区域11b的电荷生成层113背离衬底10的一侧形成阻隔层117，并使阻隔层117向电荷生成层113扩散离子或原子，以使非发光区域11b的电荷生成层113形成失效部113b。其中，阻隔层117在衬底10上的正投影与失效部113b在衬底10上的正投影重叠。
99.其中，阻隔层117的材料包括还原性材料，该还原性材料包括碱金属、碱土金属、过渡金属、镧系金属和锕系金属中的一种或多种。在一些实施例中，该还原性材料包括li、ag和yb中的一种或多种。在一些实施例中，阻隔层117的厚度范围为5a-50a。
100.本发明一些实施例中，在第一发光功能层背离衬底的一侧形成电荷生成层包括：依次形成第一电荷生成层和第二电荷生成层，第一电荷生成层和第二电荷生成层的掺杂类型不同。
101.其中，第一电荷生成层的掺杂类型可以为n型，第二电荷生成层的掺杂类型可以为p型，或者，第一电荷生成层的掺杂类型可以为p型，第二电荷生成层的掺杂类型可以为n型。
102.本发明一些实施例中，第一电荷生成层为n型电荷生成层，以使第一电荷生成层作为第一发光功能层的阴极；第二电荷生成层为p型电荷生成层，以使第二电荷生成层作为第二发光功能层的阳极。
103.其中，n型电荷生成层可以由掺杂有金属材料的有机电子传输材料形成，其中金属材料包括碱金属、碱土金属以及部分过渡金属/镧系/锕系金属等，金属材料的掺杂浓度为
1％-10％，此外，n型电荷生成层的厚度范围可以为50a-200a。p型电荷生成层可以由掺杂有强氧化性材料的有机空穴传输材料形成，其中强氧化性材料包括氧化钼、氧化钨、氧化钒以及含氰基和f基团的有机化合物等，强氧化性材料的掺杂浓度为3％-15％，此外，p型电荷生成层的厚度范围可以为50a-200a。
104.作为本发明公开内容的一种可选实现，本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括如上任一实施例提供的显示面板。如图18所示，图18为本发明一个实施例提供的显示装置的结构示意图，该显示装置可以为智能手机，也可以为平板电脑或数码相机等，在此不再赘述。
105.由于显示装置中的显示面板可以在通过电荷生成部实现电荷生成层的串联功能的基础上，通过失效部隔断电荷在相邻发光单元所在发光区域内的电荷生成部之间扩散，因此，可以避免相邻子像素的横向串扰问题，进而可以提高显示装置的显示效果。
106.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
107.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。