i和Au材料的组合，厚度为l.0ym;
[0082](14)η焊盘14选用Cr和Au材料的组合，厚度为1.0 μπι ;
[0083]实施例4
[0084]本实施例与实施例1的区别是:
[0085](1)ρ电极I选用Cr和Au材料的组合，厚度为2 μπι ;
[0086](2)衬底2为Mo材料；厚度为150 μ m ;
[0087](3)键合层3选用Cr、Ti和Al材料组合，厚度为2 μ m ;
[0088](4)反射镜层4选用Ni和Al材料的组合，厚度为2 μ m ;
[0089](5)绝缘层5选用Si3N4材料，厚度为I μ m，开孔直径为15 μ m ;
[0090](6)ρ型电流扩展层6是p-GaP材料，ρ型掺杂的浓度为IX 1021cnT3，厚度为4 μπι ;
[0091](7)ρ型半导体层7是p-AlGaAs材料，P型掺杂的浓度为I X 120Cm-3,厚度为2 μπι ;
[0092](8)有源区8是多量子阱结构，使用AlGaInP材料；
[0093](9) η型半导体层9是n_AlGaAs材料，η型掺杂的浓度为I X 120Cm-3,厚度为2 μ m ;
[0094](10)n型窗口层10是n-AlGaAs材料，η型掺杂的浓度为I X 1019cm_3，厚度为0.8 μ m ；
[0095](II) η型GaAs接触层11是n-GaAs材料，η型掺杂的浓度为IX 102°cm_3，厚度为
0.5 μ m，形状为矩形，单体面积为20 μ m2;
[0096](12) η型欧姆接触金属12选用Au、Pt和Ni材料的组合，厚度为1.5 μ m，形状、分布与面积大小与η型GaAs接触层一致；
[0097](13)η电极加厚金属层13选用Pt、Au材料的组合，厚度为2.0 μπι ;
[0098](14) η焊盘14选用Ni和Au材料的组合，厚度为2.0 μ m。
[0099]实施例5
[0100]本实施例与实施例1的区别是:
[0101](l)p电极I选用Pt和Ag材料的组合，厚度为5 ym;
[0102](2)衬底2为SiC材料；厚度为200 ym;
[0103](3)键合层3选用Pt、T1、Au和In材料组合，厚度为3 μπι;
[0104](4)反射镜层4选用Au和Be材料的组合，厚度为4 μ m ;
[0105](5)绝缘层5选用S12M料，厚度为2 μ m，开孔直径为20 μ m ;
[0106](6)ρ型电流扩展层6是p-GaP材料，ρ型掺杂的浓度为IX 1021cnT3，厚度为6 μπι ;
[0107](7) ρ型半导体层7是ρ-AllnP材料，ρ型掺杂的浓度为I X 1021cm_3，厚度为4 ym ;
[0108](8)有源区8使用Al InP和AlGaInP材料组合；
[0109](9)η型半导体层9是η-ΑΙΙηΡ材料，η型掺杂的浓度为IX 102°cnT3，厚度为2 μπι ;
[0110](10)η型窗口层10是n-AlGalnP材料，η型掺杂的浓度为I X 1021cnT3，厚度为LOum;
[0111](11) η型GaAs接触层11是n-GaAs材料，η型掺杂的浓度为I X 1021cm_3，厚度为
1.0 μm，形状为三角形，单体面积为50 μπι2;
[0112](12) η型欧姆接触金属12选用Ag、Ge和Ni材料的组合，厚度为2.0 μ m，形状、分布与面积大小与η型GaAs接触层一致；
[0113](13) η电极加厚金属层13制选用Ag和Au材料的组合，厚度为3.0ym;
[0114](14)η焊盘14选用N1、Au材料的组合，厚度为3.0 μ m。
[0115]实施例6
[0116]本实施例与实施例1的区别是:
[0117](l)p电极I选用Ni和Cu材料的组合，厚度为5 ym;
[0118](2)衬底2为Al材料；厚度为300 ym;
[0119](3)键合层3选用Pt、T1、Al和In材料组合，厚度为5 μπι;
[0120](4)反射镜层4选用Al和Be材料的组合，厚度为5 μ m ;
[0121](5)绝缘层5选用S12材料，厚度为5 μm，开孔直径为50 μπι;
[0122](6)ρ型电流扩展层6是p-GalnP材料，ρ型掺杂的浓度为I X 1021cm_3，厚度为10 μ m ；
[0123](7)p型半导体层7是p-GalnP材料，ρ型掺杂的浓度为IX 1021cm_3，厚度为10 μπι ;
[0124](8)有源区8使用Al InP、GaInP材料组合；
[0125](9) η型半导体层9是n_AlAs材料，η型掺杂的浓度为IX 1021cnT3，厚度为5 μπι ;
[0126](10)η型窗口层10是η-ΑΙΙηΡ材料，η型掺杂的浓度为lX102°cnT3，厚度为2.0 μπι ；
[0127](11) η型GaAs接触层11是n-GaAs材料，η型掺杂的浓度为I X 1021cm_3，厚度为2.0 μ m，形状为矩形，单体面积为100 μ m2；
[0128](12) η型欧姆接触金属12选用Al、Ge和Ni材料的组合，厚度为10.0 μ m，形状、分布与面积大小与η型GaAs接触层一致；
[0129](13)η电极加厚金属层13选用Al、Au材料的组合，厚度为10.0 μπι ;
[0130](14)η焊盘14选用Ni和Al材料的组合，厚度为10.0 μπι。
【主权项】
1.一种分散式η面欧姆接触的反极性AlGaInP发光二极管，其特征是，由底部至顶部依次为P电极、衬底、键合层、反射镜层、绝缘层、P型电流扩展层、P型半导体层、有源发光区、η型半导体层、η型窗口层、η型GaAs接触层、η型欧姆接触金属、η电极加厚金属层和η焊盘，反射镜层通过绝缘层开孔与P型电流扩展层接触，η型GaAs接触层在η型窗口层上呈现分散排列，每个单体η型GaAs接触层表面设置一个η型欧姆接触金属，η电极加厚金属层设置在η型窗口层表面并覆盖于η型欧姆接触金属之上。
2.根据权利要求1所述的分散式η面欧姆接触的反极性AlGaInP发光二极管，其特征是，所述P电极厚度为0.δμπι-ΙΟμπι;衬底厚度为20μπι-300 μπι;键合层厚度为0.2 μ m-10 μ m反射镜层厚度为0.1 μ m_10 μ m ;绝缘层厚度为0.1 μ m_5 μ m。
3.根据权利要求1所述的分散式η面欧姆接触的反极性AlGaInP发光二极管，其特征是，所述绝缘层开孔的孔径为0.5 μ m-50 μ mo
4.根据权利要求1所述的分散式η面欧姆接触的反极性AlGaInP发光二极管，其特征是，所述P型电流扩展层厚度为0.1 μm-ΙΟ μπι ；p型半导体层厚度为0.1 μ m-10 μπι ；n型半导体层厚度为0.1 μ m-10 μ m ；n型窗口层厚度为0.1 μ m-10 μ m。
5.根据权利要求1所述的分散式η面欧姆接触的反极性AlGaInP发光二极管，其特征是，所述η型GaAs接触层单体形状为矩形、三角形或圆形。
6.根据权利要求1所述的分散式η面欧姆接触的反极性AlGaInP发光二极管，其特征是，所述η型GaAs接触层单体面积为I μ m2-100 μ m2。
7.根据权利要求1所述的分散式η面欧姆接触的反极性AlGaInP发光二极管，其特征是，所述所述η型欧姆接触金属的形状和面积与η型GaAs接触层一致。
【专利摘要】一种分散式n面欧姆接触的反极性AlGaInP发光二极管，由底部至顶部依次为p电极、衬底、键合层、反射镜层、绝缘层、p型电流扩展层、p型半导体层、有源发光区、n型半导体层、n型窗口层、n型GaAs接触层、n型欧姆接触金属、n电极加厚金属层和n焊盘，反射镜层通过绝缘层开孔与p型电流扩展层接触，n型GaAs接触层在n型窗口层上呈现分散排列，每个单体n型GaAs接触层表面设置一个n型欧姆接触金属，n电极加厚金属层设置在n型窗口层表面并覆盖于n型欧姆接触金属之上。本发明显著提升光提取效率；显著提升器件的电流扩展能力，释放n型欧姆接触金属与n电极加厚金属层之间的应力，提高LED芯片的光提取效率与电极牢固程度。
【IPC分类】H01L33-32, H01L33-38, H01L33-10
【公开号】CN104538527
【申请号】CN201410854300
【发明人】左致远, 夏伟, 徐现刚
【申请人】山东浪潮华光光电子股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月31日