封装载板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种封装结构及其制作方法，且特别是涉及一种封装载板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]芯片封装的目的在于保护裸露的芯片、降低芯片接点的密度及提供芯片良好的散热。常见的封装方法是芯片通过打线接合(wire bonding)或倒装接合(flip chipbonding)等方式而安装至封装载板，以使芯片上的接点可电连接至封装载板。因此，芯片的接点分布可通过封装载板重新配置，以符合下一层级的外部元件的接点分布。
[0003]一般来说，封装载板的制作通常是以核心(core)介电层作为蕊材，并利用全加成法(fully additive process)、半力口成法(sem1-additive process)、减成法(subtractiveprocess)或其他方式，将图案化线路层与图案化介电层交错堆叠于核心介电层上。如此一来，核心介电层在封装载板的整体厚度上便会占着相当大的比例。因此，若无法有效地缩减核心介电层的厚度，势必会使封装结构于厚度缩减上产生极大的障碍。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种封装载板，适于承载芯片，且使用此封装载板的封装结构的封装厚度较小。
[0005]本发明的再一目的在于提供一种封装载板的制作方法，用以制作上述的封装载板。
[0006]为达上述目的，本发明的封装载板的制作方法包括下列步骤:首先，接合两基底金属层。接着，分别压合两支撑层于两基底金属层上。之后，分别设置两离型金属膜于两支撑层上，其中，各离型金属膜包括可彼此分离的第一金属箔层以及第二金属箔层。接着，分别形成两第一图案化金属层于两离型金属膜上。各第一图案化金属层包括接垫图案。接着，分别形成两介电层于两离型金属膜上并覆盖对应的第一图案化金属层，且各介电层具有导通孔，分别连接对应的接垫图案。接着，分别形成两第二图案化金属层于两介电层上。各第二图案化金属层至少覆盖对应的导通孔的上表面。之后，令两基底金属层分离，以形成各自独立的两封装载板。
[0007]本发明的封装载板适于承载芯片，其包括支撑层、基底金属层、离型金属膜、第一图案化金属层、介电层以及第二图案化金属层。支撑层包括第一表面以及相对第一表面的第二表面。基底金属层设置于支撑层的第一表面上。离型金属膜设置于支撑层的第二表面上。离型金属膜包括可彼此分离的第一金属箔层以及第二金属箔层，其中第二金属箔层与支撑层接合。第一图案化金属层设置于离型金属膜上并包括至少一接垫图案。介电层设置于离型金属膜上并覆盖第一图案化金属层。介电层具有至少一导通孔，连接对应的接垫图案。第二图案化金属层设置于介电层上并至少覆盖对应的导通孔的上表面。芯片适于设置于第二图案化金属层上并与其电连接。
[0008]基于上述，本发明的封装载板采用对称的方式分别于两彼此接合的基底金属层上进行封装载板的制作工艺，因此，在两基底金属层上分别形成堆叠结构后，将两彼此接合的基底金属层分离，即可同时得到两个各自独立的封装载板，有效节省制作工艺时间，并提高生产效能。此外，本发明利用压合介电层于支撑层上并于介电层上形成导通孔及图案化金属层的方法来形成承载及电连接芯片的叠构，并且将离型金属膜连接于支撑层以及图案化金属层之间，使支撑层适于通过离型金属膜的可分离特性而轻易被移除。因此，相比较于现有的封装载板而言，本发明的封装载板可使后续完成的封装结构具有较薄的封装厚度。
[0009]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0010]图1A至图1H是依照本发明的一实施例的一种封装载板的制作工艺步骤的剖面示意图；
[0011]图2A至图2C为图1H的封装载板承载芯片的制作工艺步骤的剖面示意图；
[0012]图3是依照本发明的另一实施例的封装载板承载芯片的剖面示意图。
[0013]符号说明
[0014]10、10a:封装结构
[0015]100:封装载板
[0016]105:胶层
[0017]110:基底金属层
[0018]120:支撑层
[0019]122:第一表面
[0020]124:第二表面
[0021]130:离型金属膜
[0022]132:第一金属箔层
[0023]134:第二金属箔层
[0024]140:蚀刻终止层
[0025]150:第一图案化金属层
[0026]152:接垫图案
[0027]160:介电层
[0028]162:导通孔
[0029]164:通孔
[0030]166:导电层
[0031]170:第二图案化金属层
[0032]172:表面处理层
[0033]174:芯片接垫
[0034]176:接合接垫
[0035]180:图案化防焊层
[0036]200:芯片
[0037]210:导线
[0038]220:封装胶体
[0039]230:焊球
【具体实施方式】
[0040]图1A至图1H是依照本发明的一实施例的一种封装载板的制作工艺步骤的剖面示意图。在本实施例中，封装载板的制作方法包括下列步骤:首先，请参照图1A，接合两基底金属层110。在本实施例中，两基底金属层110可分别为两铜箔层，并通过将胶层105涂布于两基底金属层110的周缘来接合两基底金属层110，并于两基底金属层110的周缘形成密合区，使两基底金属层110暂时地接合在一起，以避免后续制作工艺中所使用的药剂渗入于两基底金属层110之间。
[0041]请接续参照图1B，分别压合两支撑层120于两基底金属层110上。接着，再分别设置两离型金属膜130于两支撑层120上，其中，各离型金属膜130包括可彼此分离的第一金属箔层132及第二金属箔层134。在本实施例中,第二金属箔层134的厚度实质上大于第一金属箔层132的厚度。具体而言，第二金属箔层134的厚度约为18微米(μ m)，第一金属箔层132的厚度约为5微米(μ m)。当然，本实施例仅用以举例说明而并不以此为限。
[0042]接着，请同时参照图1C，分别形成两第一图案化金属层150于两离型金属膜130上，其中，各第一图案化金属层150包括至少一接垫图案152。在此，图1C所示的第一图案化金属层150仅用以举例说明，本实施例并不限定接垫图案152的数量。第一图案化金属层150可通过图案化电镀等加成法(additive process)而形成，当然,在本发明的其他实施例中，图案化金属层150也可通过蚀刻制作工艺等减成法(subtractive process)形成。
[0043]此外，在本发明的一实施例中，可在形成图案化金属层150之前，先分别形成如图1C所示的两蚀刻终止层140于离型金属膜130上。蚀刻终止层140例如为镍层，并可通过电镀的方式形成于离型金属膜130上。
[0044]接着，请同时参照图1D以及图1E，分别形成两介电层160于两离型金属膜130上，两介电层160如图1D所示覆盖对应的第一图案化金属层150。接着，如图1E所示，形成至少一通孔164于各介电层160上，其中，各通孔164暴露对应的接垫图案