互连线6，通孔5内设有金属，一晶圆衬底11位于所述晶圆I的背面，滤光镜7设置于器件衬底11上，若干微透镜8设置于滤光镜7的上表面。
[0039]其中，介质层3采用氧化物介质层，例如，S12，可起隔离作用；沟槽4中的反光物质可为铝和钨，因为铝和钨对光的反射性能都很好；通孔5中的金属为钨，因钨的导电性好且具有较强的稳定性；
[0040]光线依次经过上述微透镜8、滤光镜7和晶圆衬底11后至晶圆1，其中大部分光线由晶圆I中的光电二极管2接收，将光信息转化为电信号经输出，进而完成图像的拍摄等；小部分光线经晶圆I到达介质层3，由沟槽4中的反射物质将这部分光线反射回晶圆I中，由晶圆I中的光电二极管2将接收的光信息转化为电信号输出。
[0041]在本实施例中，由于可以将进入介质层中的一部分光线经由沟槽4反射回晶圆I中的光电二极管2中，由光电二极管2将接收的光信息转化为电信号输出，从而提高了背照式CMOS传感器的量子转换效率，进而提高了背照式CMOS传感器的成像质量。
[0042]实施例二:
[0043]图1?5是本发明实施例中制备背照式CMOS传感器的方法的流程结构示意图，图6是本发明实施例中背照式CMOS传感器的结构示意图，如图1?6所示:
[0044]首先提供一具有数个光电二极管2的晶圆1，如图1所示的结构；
[0045]其次，于晶圆I正面淀积第一介质层31，并于光电二极管2下方蚀刻第一介质层31形成沟槽4，可采用干法蚀刻或湿法蚀刻，沟槽4为长方形结构，且宽度大于所述光电二极管的宽度，如图2所示的结构；
[0046]然后，于沟槽4淀积反光物质如铝或钨，并进行抛光，可采取化学机械研磨(CMP)抛光，如图3所示的结构；
[0047]然后，于第一介质层31上淀积第二介质层32,依次蚀刻第二介质层32、第一介质层31至晶圆I的电极形成通孔5，可采取干法蚀刻或湿法蚀刻，通孔5—端连接晶圆I的电极，于通孔8淀积金属，并进行抛光，可采取化学机械研磨(CMP)抛光，如图4所示的结构；
[0048]然后，于所述第二介质层32上淀积第三介质层33，于第三介质层33内形成金属互连线6，通孔5另一端连接金属互连线6，如图5所示的结构；
[0049]最后减薄晶圆I背面，以于晶圆I上方形成晶圆衬底11，依次进行后续的滤光镜工艺和微透镜工艺，即在暴露的晶圆衬底11的表面制备滤光镜7，并在上述滤光镜7的上方设置若干微透镜8，进而形成背照式CMOS传感器(参见图6所示的结构)。
[0050]上述中的第一介质层、第二介质层和第三介质层采用同种氧化物介质层，如S12
坐寸ο
[0051]综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明一种背照式CMOS传感器及制备该传感器的方法，通过于介质层上蚀刻一个或多个沟槽，并在沟槽中淀积反光物质，从而可以将进入介质层的光线通过沟槽中的反光物质反射回晶圆中，由光电二极管将光信息转化为电信号输出，有效的提高了量子转换效率，进而提高了产品的成像质量，且与传统的工艺设备兼容性强，工艺简单易行。
[0052]本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
[0053]以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种背照式CMOS传感器，其特征在于，包括: 一晶圆，所述晶圆内具有数个光电二极管； 设置于所述晶圆正面的介质层； 设置于所述介质层内近晶圆处的沟槽，且所述沟槽位于所述光电二极管的下方，所述沟槽内设有反光物质； 设置于所述介质层内的通孔和金属互连线，所述通孔一端连接所述晶圆的电极，另一端连接所述金属互连线，所述通孔内设有金属。
2.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器，其特征在于，所述介质层为氧化物介质层。
3.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器，其特征在于，所述沟槽内设有的反光物质为招或鹤。
4.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器，其特征在于，所述通孔内设有的金属为钨。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的背照式CMOS传感器，还包括依次设置于所述晶圆背面的晶圆衬底、滤光镜和微透镜。
6.一种制备背照式CMOS传感器的方法,其特征在于,所述方法包括: Si，提供一具有数个光电二极管的晶圆； S2，于所述晶圆正面淀积第一介质层，并于所述光电二极管下方蚀刻所述第一介质层形成沟槽。 S3，于所述沟槽淀积反光物质，并进行抛光； S4，于所述第一介质层上淀积第二介质层，依次蚀刻所述第二介质层、所述第一介质层至所述晶圆的电极形成通孔，所述通孔一端连接晶圆的电极，于所述通孔淀积金属，并进行抛光； S5，于所述第二介质层上淀积第三介质层，于第三介质层内形成金属互连线，所述通孔另一端连接所述金属连接线。
7.根据权利要求6所述的制备背照式CMOS传感器的方法，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层以及所述第三介质层均为同种氧化物介质层。
8.根据权利要求6所述的制备背照式CMOS传感器的方法，其特征在于，所述S3步骤中，所述沟槽淀积的反光物质为铝或钨。
9.根据权利要求6所述的制备背照式CMOS传感器的方法，其特征在于，所述S4步骤中，所述通孔淀积的金属为钨。
10.根据权利要求6-9任意一项所述的制备背照式CMOS传感器的方法，其特征在于，还包括:S6，减薄所述晶圆背面，并于所述晶圆背面形成晶圆衬底，继续后续滤光镜和微透镜工艺，在所述晶圆衬底上表面依次形成滤光镜和微透镜。
【专利摘要】本发明公开了一种背照式CMOS传感器及制备该传感器的方法，本发明的背照式CMOS传感器包括：一晶圆，所述晶圆内具有数个光电二极管；设置于所述晶圆正面的介质层；设置于所述介质层内近晶圆处的沟槽，且所述沟槽位于所述光电二极管的下方，所述沟槽内设有反光物质；设置于所述介质层内的通孔和金属互连线，所述通孔一端连接所述晶圆的电极，另一端连接所述金属互连线，所述通孔内设有金属。采用本发明中的背照式CMOS传感器有效的提高了量子转换效率，进而提高了产品的成像质量，且与传统的工艺设备兼容性强，工艺简单易行。
【IPC分类】H01L27-146
【公开号】CN104576660
【申请号】CN201310471673
【发明人】高喜峰, 邢家明
【申请人】豪威科技(上海)有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年10月10日