体硅湿法深刻蚀的保护方法
【技术领域】
[0001]本发明属于微电子机械系统加工工艺技术领域，具体而言，本发明涉及体硅湿法深刻蚀的保护方法。
【背景技术】
[0002]体硅深刻蚀可以制作大尺寸三维MEMS结构，是MEMS里不可或缺的技术。体硅深刻蚀可采用干法和湿法，出于成本考虑，一般都采用湿法，而湿法刻蚀主要在于图形的有效保护。体硅深刻蚀一般采用Cr、Si02、Si3N4、Si02/Si3N4，由于这些保护层需要生长甚至是去除，增加了工艺成本及方案风险。在某些特定场合，如转移工艺，传统保护措施无法保护硅片侧面及两片基底间的粘接剂，因此，目前用于体硅深刻蚀的保护方法有待进一步改进和
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【发明内容】
[0003]本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种有效适用于转移过程中体硅侧面及硅片间粘接剂的保护方法。根据本发明实施例的体硅湿法深刻蚀的保护方法，所述体硅的一个表面上形成有待转移的图形化结构层，所述图形化结构层的远离所述体硅的一个表面与转移基底相连，该方法包括:
[0004]在由体硅、图形化结构层和转移基底形成的整体的外表面的预保护区域上涂敷密封胶，以便形成密封胶层；
[0005]在所述密封胶的表面涂敷黑胶，以便形成黑胶层；
[0006]将黑胶层进行高温固化，以便在所述预保护区域上形成复合保护层；
[0007]利用刻蚀溶液对表面形成所述复合保护层后的体硅进行深刻蚀，以便将所述体硅亥Ij蚀掉；以及
[0008]除去所述复合保护层，以便完成所述图形化结构层转移到所述转移基底上。
[0009]由此，通过在体硅表面的除深刻蚀部位以外的预保护区域上形成密封胶层和黑胶层组成的复合保护层，由此可以有效防止刻蚀溶液从硅片间缝隙渗透造成粘接剂失效，进而达到有效保护的目的。黑胶层可以进一步增强复合保护层的抗碱性，进而提高对体硅的保护作用。本发明上述实施例的体硅湿法深刻蚀的方法，深刻蚀后去保护层简单，无需复杂设备，进而可显著缩短湿法深刻蚀时间，降低成本。
[0010]另外，根据本发明上述实施例的体硅湿法深刻蚀的保护方法还可以具有如下附加的技术特征:
[0011]在本发明的一些实施例中，所述预保护区域为所述体硅的正面的一部分、反面和侧面。
[0012]在本发明的一些实施例中，所述密封胶层的厚度为11-12微米，所述黑胶层的厚度为0.5-1.5微米。
[0013]在本发明的一些实施例中，所述复合保护层的厚度为13微米。
[0014]在本发明的一些实施例中，所述高温固化是在120摄氏度下烘烤2小时完成。
[0015]在本发明的一些实施例中，所述深刻蚀是采用85摄氏度的浓度为33%的氢氧化钾溶液进行。
[0016]在本发明的一些实施例中，所述密封胶层的端面距离所述黑胶层的端面850-950微米。
[0017]在本发明的一些实施例中，在由体硅、图形化结构层和转移基底形成的整体的外表面的预保护区域上涂敷密封胶，以便形成密封胶层之前，进一步包括:在所述体硅的正面和/或反面形成Si02/Si3N4保护层。
[0018]在本发明的一些实施例中，上述体硅湿法深刻蚀的保护方法进一步包括:将除去所述复合保护层的体硅在去离子水中进行清洗。
【附图说明】
[0019]图1是根据本发明一个实施例的体硅湿法深刻蚀的保护方法中硅片上生长一层碳纳米管薄膜的结构图。
[0020]图2是根据本发明另一个实施例的体硅湿法深刻蚀的保护方法中刻蚀碳纳米管进行图形化后的结构图。
[0021]图3是根据本发明再一个实施例的体硅湿法深刻蚀的保护方法中的将镀完金的碳管基底与玻璃基底粘接后的结构图。
[0022]图4是根据本发明再一个实施例的体硅湿法深刻蚀的保护方法中的形成密封胶层后的结构图。
[0023]图5是根据本发明再一个实施例的体硅湿法深刻蚀的保护方法中的形成黑胶层后的结构图。
[0024]图6是利用本发明再一个实施例的体硅湿法深刻蚀的保护方法转移后的产品结构图。
【具体实施方式】
[0025]下面参详细描述本发明具体实施例的体硅湿法深刻蚀的保护方法，如图3所示，体硅I的一个表面上形成有待转移的图形化结构层2和3，图形化结构层2和3的远离体硅I的一个表面与转移基底4相连，该保护方法包括:
[0026]在由体硅、图形化结构层和转移基底形成的整体的外表面的预保护区域上涂敷密封胶，以便形成密封胶层；
[0027]在所述密封胶的表面涂敷黑胶，以便形成黑胶层；
[0028]将黑胶层进行高温固化，以便在所述预保护区域上形成复合保护层；
[0029]利用刻蚀溶液对表面形成所述复合保护层后的体硅进行深刻蚀，以便将所述体硅亥Ij蚀掉；以及
[0030]除去所述复合保护层，以便完成所述图形化结构层转移到所述转移基底上。
[0031]由此，通过在体硅表面的除深刻蚀部位以外的预保护区域上形成密封胶层和黑胶层组成的复合保护层，由此可以有效防止刻蚀溶液的侵蚀，进而达到有效保护的目的。根据本发明的具体实施例，黑胶层可以进一步增强复合保护层的抗碱性，进而提高对体硅的保护作用。本发明上述实施例的体硅湿法深刻蚀的保护方法，深刻蚀后去保护层简单，无需复杂设备，进而可显著缩短湿法深刻蚀时间，降低成本。
[0032]根据本发明的具体实施例，如图1所示，采用上述保护方法可以有效地对体硅的正面的一部分、反面和侧面。由此利用上述保护方法可以弥补Si02/Si3N4保护层无法对体硅的侧面进行保护的缺陷。因此，采用本发明上述实施例的体硅湿法深刻蚀的保护方法可以在湿法深刻蚀过程中对体硅的预保护区域进行有效的保护，进而提高湿法深刻蚀的准确度，提尚广品的质量。
[0033]根据本发明的具体实施例，首先在体硅外表面的预保护区域上涂敷密封胶，待晾干后在形成密封胶层。根据本发明的具体示例，晾干时间可以为10分钟。形成的密封胶层的厚度可以为11-12微米。通过控制上述厚度，可以有效地对体硅进行保护。
[0034]根据本发明的具体实施例，在密封胶层的表面继续涂敷黑胶，黑胶经过固化后形成黑胶层，根据本发明的具体示例，黑胶层的厚度可以为