基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及基板处理装置。
【背景技术】
[0002]近年来，为了对半导体晶片等基板进行各种处理而使用了基板处理装置。作为基板处理装置的一个例子，列举有用于进行基板的研磨处理的CMP(Chemical MechanicalPolishing:化学机械抛光)装置。
[0003]CMP装置具备用于进行基板的研磨处理的研磨单元、用于进行基板的清洗处理以及干燥处理的清洗单元、向研磨单元交接基板并且接受通过清洗单元进行了清洗处理以及干燥处理后的基板的加载/卸载单元等。另外，CMP装置具备在研磨单元、清洗单元以及加载/卸载单元内进行基板的输送的输送单元。CMP装置一边通过输送单元输送基板，一边依次进行研磨、清洗以及干燥的各种处理。
[0004]然而，在CMP装置的一部分单元产生了问题的情况下，难以继续进行一系列的处理。因此，基板在CMP装置内长时间待机，其结果是，可能对基板表面产生腐蚀等损伤。因为在基板处理装置中成为处理对象的基板昂贵，所以优选尽量以能够再次使用的状态回收基板。
[0005]在现有技术中，即使成为基板处理装置的一部分发生故障而无法继续进行针对基板的一系列处理的状态，也不使整个装置停止地继续进行针对基板的一部分处理来快速回收基板。由此，已知在现有技术中，减少基板处理不良的风险。
[0006]专利文献1:日本特开2009-200476号公报
[0007]在现有技术中，未考虑有效地抑制对基板处理装置内的基板产生损伤。
[0008]S卩，在基板处理装置的一部分单元产生了问题的情况下，预定通过产生了问题的单元的基板无法继续进行之后的处理而在基板处理装置内待机。然而，能够允许基板处于待机状态的时间并不统一，而根据针对基板的处理状况各不相同。
[0009]例如，对于进行研磨处理前的基板而言，即使由于产生待机时间而多少对基板的表面产生了腐蚀等损伤，也因为之后进行研磨处理基板表面被削而比较难以成为问题。
[0010]另一方面，对于以研磨处理结束后进入清洗处理前的状态进行待机的基板而言，因为由于产生待机时间而对基板的表面产生了腐蚀等损伤，所以不优选。
【发明内容】
[0011]鉴于此，本申请发明的课题在于，有效地抑制对基板处理装置内的基板产生损伤。
[0012]本申请发明的基板处理装置的一方式是鉴于上述课题而完成的，其特征在于，具备:研磨单元，其对基板进行研磨；清洗单元，其对通过上述研磨单元进行了研磨处理后的基板进行清洗以及干燥；输送单元，其在上述研磨单元以及上述清洗单元内进行基板的输送；计测部，其按每一上述基板来计测在上述研磨单元、上述清洗单元以及上述输送单元中的停留时间；以及判定部，其将由上述计测部计测出的停留时间与针对上述研磨单元、上述清洗单元以及上述输送单元分别独立地设定的设定时间进行比较，并且如果上述停留时间超过了上述设定时间则判定为发生了错误。
[0013]另外，能够还具备加载/卸载单元,上述加载/卸载单元向上述研磨单元交接基板，并且接受通过上述清洗单元进行了清洗以及干燥处理后的基板，上述输送单元能够在上述研磨单元、上述清洗单元以及上述加载/卸载单元内进行基板的输送。
[0014]另外，能够还具备错误处理部，如果由上述判定部判定为发生了错误，则上述错误处理部在显示界面上显示模仿上述基板处理装置的图像，并且在模仿上述基板处理装置的图像上显示确定出成为上述错误对象的基板正停留的单元的图像。
[0015]另外，如果由上述判定部判定为发生了错误，则上述错误处理部能够从模仿上述基板处理装置的图像所包含的多个单元中确定出成为上述停留时间超过上述设定时间的原因的单元，并将该确定出的单元以能够与其他单元识别的方式进行显示。
[0016]另外，如果由上述判定部判定为发生了错误，则上述错误处理部能够在上述显示界面上显示成为上述错误对象的基板的输送路径。
[0017]根据这样的本申请发明，能够有效地抑制对基板处理装置内的基板产生损伤。
【附图说明】
[0018]图1是表示本实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。
[0019]图2是示意性地表示研磨单元的立体图。
[0020]图3是表示在基板处理装置内的晶片W的输送路径的一个例子的图。
[0021]图4是表示晶片W的输送延迟了的情况的图。
[0022]图5是表示基板处理装置的功能块的图。
[0023]图6是表示晶片的在各单元中的停留时间的一个例子的图。
[0024]图7是表示停留时间限制DB5C的一个例子的图。
[0025]图8是表示基板处理装置的处理流程的图。
[0026]附图标记说明:2...加载/卸载单元；3...研磨单元；4...清洗单元；5...控制部；5A...计测部；5B...判定部；5C...停留时间限制DB ；5D...错误处理部；22...输送机器人；43...RBl ；46...RB2 ；50...升降机；51...LTPl ；52...LTP2 ；53...LTP3 ；54...LTP4 ；55...LTP5 ；56...LTP6 ；57...LTP7 ；58...STP。
【具体实施方式】
[0027]以下，基于附图对本申请发明的一实施方式所涉及的基板处理装置进行说明。在以下，作为基板处理装置的一个例子，对CMP装置进行说明，但并不局限于此。另外，在以下，对具备加载/卸载单元2、研磨单元3以及清洗单元4的基板处理装置进行说明，但并不局限于此。
[0028](基板处理装置)
[0029]图1是表示本申请发明的一实施方式所涉及的基板处理装置的整体结构的俯视图。如图1所示，基板处理装置具备加载/卸载单元(RBD) 2、研磨单元3以及清洗单元4。加载/卸载单元2、研磨单元3以及清洗单元4被分别独立组装、独立废弃。另外，清洗单元4具有控制基板处理动作的控制部(HMI) 5。在控制部5中包含有单元控制盘(电源盘)。另外，在研磨单元3、清洗单元4以及加载/卸载单元2内，包含有进行基板的输送的输送单兀(输送机器人、输送机构)。
[0030](加载/卸载单元)
[0031]在加载/卸载单元2中设置有用于输送晶片的输送机器人(装载机、输送机构)22。输送机器人22将投入至晶片盒的晶片向研磨单元3输送，并且将被清洗单元4处理后的晶片向晶片盒输送。输送机器人22在上下具备2个手部。输送机器人22在将处理后的晶片返回至晶片盒时使用上侧的手部，在将处理前的晶片从晶片盒取出时使用下侧的手部。由此，输送机器人22能够分开使用上下手部。并且，输送机器人22的下侧的手部构成为通过绕其轴心旋转能够使晶片反转。
[0032]加载/卸载单元2是最需要保持干净的状态的区域。因此，加载/卸载单元2的内部总是维持在比基板处理装置外部、研磨单元3以及清洗单元4中的任一个都高的压力。研磨单元3因使用浆料作为研磨液而是最脏的区域。因此，在研磨区域3的内部形成负压，该压力维持为比清洗单元4的内部压力低。在加载/卸载单元2设置有具有HEPA过滤器、ULPA过滤器或者化学过滤器等清洁空气过滤器的风机过滤单元(filter fan unit)(未图示)。除去了颗粒、有毒蒸气、有毒气体的清洁空气总是从风机过滤单元吹出。
[0033](研磨单元)
[0034]研磨单元3是进行晶片的研磨(平坦化)的区域。研磨单元3具备第I研磨单元(PL-A) 3A、第2研磨单元(PL-B) 3B、第3研磨单元(PL-C) 3C、第4研磨单元(PL_D)3D。如图1所示，第I研磨单元3A、第2研磨单元3B、第3研磨单元3C以及第4研磨单元3D沿基板处理装置的长边方向排列。
[0035]第I研磨单元3A具备安装有具有研磨面的研磨垫的研磨台30A以及用于保持晶片并且一边将晶片按压到研磨台30A上的研磨垫一边进行研磨的顶环31A。
[0036]相同地，第2研磨单元3B具备安装有研磨垫的研磨台30B以及顶环31B。第3研磨单元3C具备安装有研磨垫的研磨台30C以及顶环31C。第4研磨单元3D具备安装有研磨垫的研磨台30D以及顶环31D。