电隔离引线框架带的引线的方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及引线框架带，并且更具体地涉及在引线框架带处理期间对引线框架带的引线的电隔离。
【背景技术】
[0002]引线框架形成IC封装的基础或骨架，在组装到完成的封装期间提供对半导体管芯的机械支撑。引线框架通常包括用于附着半导体管芯的管芯踏板(paddle)，以及提供用于到管芯的外部电连接的引线。管芯可通过导线(例如通过线接合或带式自动接合)连接到引线。引线框架通常例如通过模压或蚀刻由平的金属片构成。金属片通常被暴露到化学蚀亥IJ剂，化学蚀刻剂去除未被光刻胶覆盖的区域。在蚀刻工艺之后，将蚀刻的框架分割(分离)成引线框架带。每一个引线框架带包括若干单元引线框架，每一个单元引线框架具有管芯踏板和上述引线构造。
[0003]通常在将单元弓I线框架从弓I线框架带分离(例如通过冲压)之后，对在完成引线框架带的组装工艺之后附着到管芯踏板的半导体管芯进行测试。可替代地，在管芯测试期间，单元引线框架通过系杆保持机械地连接到引线框架带。这通常被称为引线框架带测试。单元引线框架从引线框架带的分离在电测试之后发生。然而，在引线框架带测试期间，器件必须相互电隔离。常规的处理包括穿过每一个单元引线框架的整个外围切割大约一半以割断引线，留下在外围中完整的模塑料的薄部分，以在引线框架带测试期间将单元保持在适当位置。然而，这样的处理增大了对锯条的磨损，这可能引起不精确。而且引线框架带的刚性在半切割工艺后降低，尤其对于薄封装来说。此外，需要长的循环时间来执行在整个引线框架带上的半切割，增大了由引线框架带产生的各个封装的成本。
【发明内容】
[0004]一种引线框架带包括多个连接的单元引线框架，每一个单元引线框架具有管芯踏板和多个连接到单元引线框架的外围的引线。根据处理引线框架带的方法的实施例，该方法包括:将半导体管芯附着到管芯踏板中的每一个管芯踏板；在半导体管芯被附着到管芯踏板之后，用模塑料覆盖单元引线框架；在每一个单元引线框架的外围中形成间隔开的切口，该切口将引线从每一个单元引线框架的外围割断并且在外围中引线所位于的区域中至少部分地延伸到模塑料内，使得模塑料保持在切口之间的完整；并且在将切口形成在每一个单元引线框架的外围中之后处理引线框架带。
[0005]可将单元引线框架布置成多个行和列，而引线沿着管芯踏板的两个相对侧朝着管芯踏板延伸。根据该实施例，处理引线框架带的方法包括:将半导体管芯附着到管芯踏板中的每一个管芯踏板；在半导体管芯被附着到管芯踏板之后用模塑料覆盖单元引线框架；切割在行之间穿过单元引线框架的外围水平地延伸的单个线，以将引线从每一个单元引线框架的外围割断；在切割单元引线框架的相邻行之间的单个线之后处理引线框架带；并且在引线框架带的处理之后切割在列之间穿过单元引线框架的外围垂直地延伸的单个线，以将单元弓I线框架分离成个体封装。
[0006]在阅读以下详细描述之后并且在查看附图之后，本领域技术人员将认识到附加的特征和优点。
【附图说明】
[0007]附图的元件不一定是相对于彼此按比例的。相同的附图标记指示对应的相同部分。各种图示的实施例的特征可组合，除非它们排斥彼此。在附图中描绘了并且在接下来的描述中详述了实施例。
[0008]图1图示根据实施例的具有针对切割以割断引线框架带的引线瞄准的区域的引线框架带的平面图。
[0009]包括图2A-2D的图2图示使用加压液体流割断引线框架带的引线的方法的实施例的不同阶段。
[0010]包括图3A-3D的图3图示使用加压液体流割断引线框架带的引线的方法的另一实施例的不同阶段。
[0011]图4图示根据实施例的放置于引线框架带上的具有剪切块的掩模的平面图，该剪切块暴露了针对切割以割断引线框架带的引线瞄准的区域。
[0012]图5图示根据另一实施例的具有针对切割以割断引线框架带的引线瞄准的区域的引线框架带的平面图。
[0013]包括图6A-6D的图6图示使用激光束割断引线框架带的引线的方法的实施例的不同阶段。
[0014]包括图7A-7D的图7图示使用激光束割断引线框架带的引线的方法的另一实施例的不同阶段。
[0015]包括图8A和SB的图8图示割断具有单元引线框架的行和列的引线框架带的引线的方法的实施例的不同阶段，该单元引线框架具有沿着管芯踏板的两个相对侧朝着单元引线框架的管芯踏板延伸的引线。
【具体实施方式】
[0016]根据本文描述的实施例，在引线框架带的每一个单元引线框架的外围周围形成间隔开的切口，以电隔离引线，用于后续的处理(例如引线框架带测试、局部电镀、电充电等)。封装单元引线框架的模塑料保持在切口之间的至少部分完整以在后续处理期间向引线框架带提供刚性。稍后将单元引线框架从引线框架带分离成各个封装。
[0017]图1图示根据实施例的引线框架带100的部分的俯视图。引线框架带100包括多个连接的单元引线框架102，在图1中示出其中的两个单元引线框架。每一个单元引线框架102具有用于附着一个或多个半导体管芯106的管芯踏板104、将管芯踏板104连接到单元引线框架102的外围110的系杆108和从外围110朝着管芯踏板104突出的多个引线112。图1中被标为114的盒子表示稍后在从引线框架带100分离之后将产生的各个封装的最终大小。
[0018]在一个实施例中，引线框架带100例如通过模压或蚀刻由平的金属片构造成。例如，可将金属片暴露到化学蚀刻剂，化学蚀刻剂去除未被光刻胶覆盖的区。可执行其它处理(例如激光蚀刻)来将金属片图案化。在图案化工艺之后，图案化的框架被分割(分离)成引线框架带。一个这样的引线框架带100在图1中示出。
[0019]在每一个单元引线框架102的引线112和被附着到管芯踏板104的半导体管芯106的端子之间形成电连接(为了容易说明未示出)。然后用模塑料密封单元引线框架102和半导体管芯106以形成各个封装。为了容易说明，在图1中未示出模塑料。可在每一个个体封装中包括多于一个的管芯踏板104，并且稍后将各个封装物理地分离成各个单元。
[0020]在测试被附着到管芯踏板104的半导体管芯106或例如局部电镀、电充电等的其它处理之前，在引线框架带100的每一个单元引线框架102的外围110中形成间隔开的切口以电隔离每一个单元引线框架102的引线112，以用于后续处理。在图1中将待切割的区域标为116。
[0021]包括图2A-2D的图2图示在引线框架带100的每一个单元引线框架102的外围110中形成间隔开的切口的方法的实施例。图2A示出在外围110中的单元引线框架102中引线112所位于的部分的横截面视图。引线112未被模塑料120覆盖的侧面113可被电镀122有例如银、锡、钯等。引线112的其它侧面和引线框架带110的单元引线框架102 (包括附着到引线框架带100的管芯踏板104的半导体管芯106)被模塑料120覆盖。
[0022]图2B示出在切割工艺期间的引线112。根据该实施例，通过以下方式来在每一个单元引线框架102的外围110中形成间隔开的切口 124:将加压液体流126引导在每一个单元引线框架102的外围110中引线112所位于的区域116处以切断这些区域116中的引线112和模塑料120。
[0023]更特别地，水切割工具包括高压水入口 128、诸如红宝石或钻石的宝石130、用于添加研磨料的入口 132和用于产生高压水和研磨料的粘性液体混合物的混合管134。将加压液体流引导在每一个单元引线框架102的外围110中引线112所位于的区域116处以通过加压液体流126切断这些区域116中的引线112和模塑料120。通过控制器136控制水切割工具的移动。控制器136被编程为在X和y方向上移动水切割工具，并且控制移动速率。在一个实施例中，水切割工具的移动速率在每一个单元引线框架102的外围110周围是变化的，使得加压液体流126被引导在外围110中引线112所位于的区域116处比在外围110周围的其它区域中持续更长的时间段。作为结果，在外围110中引线112所位于的区域116中切断引线112和模塑料120，并且模塑料120保持在外围110周围的其它区域中的至少部分完整，以提供在引线框架带100的后续处理期间的刚性。间隔开的切口 124还可充当用于减小在处置期间引线框架带100的翘曲的应力释放机构。
[0024]图2C示出这样处理的一个实施例，其中，通过探头138来接触被割断的引线112以测试被附着到单元引线框架102的管芯踏板104的半导体管芯106。因为引线112已被加压液体流126从相应的单元引线框架102的外围100割断，所以可使用任何标准引线框架带测试方法来并行地测试半导体管芯106，而不具有在管芯106之间的干扰。模塑料120保持在切口 124之间的至少部分完整，使得引线框架带100保持固体和坚固以用于处置。
[0025]图2D示出在锯切工艺期间被割断的引线112，在所述锯切工艺中，在测试引线框架带100之后，通过锯条140切割每一个单元引线框架102的整个外围110，以将单元引线框架102分离成各个封装单元。常规的