第二电极区42a在本实施例中为直条式的结构，意即第一电极 区41a是透过圆型开口的第一开口 21a电性接触于第一型半导体惨杂区（图5未示）。
[0081] 请参阅图6,图6为本发明第H较佳实施例所提供的背接触式太阳能电池的剖面 示意图。如图所示，一背接触式太阳能电池1〇化与上述背接触式太阳能电池100相似，其 差异仅在于背接触式太阳能电池1〇化是W-本征层化、一第二型半导体层3b、多个第一电 极区4化W及多个第二电极区4化分别取代上述第一较佳实施例所提供的一本征层2、一第 二型半导体层3、多个第一电极区41 W及多个第二电极区42。其中，由于第二型半导体层 3b的第二开口的宽度等于本征层化的第一开口的宽度，因此第一电极区4化与本征层化 之间分别W-间隙D间隔地设置，且第二型半导体层3b与第二电极区42b也同样W间隙D 与第一电极区4化间隔地设置，可避免第一电极区4化与第二型半导体层3b接触而产生短 路现象。
[0082] 此外，在本实施例中，背接触式太阳能电池10化相较于上述背接触式太阳能电池 100更包含有多个纯化层5,而纯化层5是透过化学气相沉积工艺于本征层化的第一开口 (图中未标示）内，但不限于此，且该些纯化层5各具有一第H开口 51，纯化层5部分覆盖第 一型半导体惨杂区12b，使得部份的第一型半导体惨杂区12b自纯化层5的第H开口 51暴 露出，故第一电极区4化可经由第H开口 51电性连结于第一型半导体惨杂区12b，意即纯化 层5是在本征层化与第一电极区4化之间的间隙D中形成，借W有效地隔绝本征层化与 第一电极区4化，并进一歩避免电流因直接透过本征层化在第一电极区4化与第二电极区 4化之间流动而导致短路，且在本实施例中，纯化层5的材质为氧化娃，其对于第一型半导 体惨杂区12的纯化效果比非晶娃的本征层化更佳，然而在其他实施例中，纯化层5的材质 还可W是氮化娃等其他绝缘物质，且纯化层5可于本征层化的第一开口形成后接续形成， 然后再形成第二型半导体层3b、多个第一电极区41b W及多个第二电极区42b，或者纯化层 5可W于本征层化与第二型半导体层3b的第一开口与第二开口形成后，于第一电极区4化 形成前设置于第一开口内。
[0083] 其中，本实施例中的本征层化的第一开口的面积是大于第一型半导体惨杂区12b 的面积，而纯化层5则覆盖了部分的第一型半导体惨杂区12b，但在其他实施例中，第一电 极区4化亦可完全覆盖第一型半导体惨杂区12b的面积，使得纯化层5未覆盖到第一型半 导体惨杂区12b。
[0084] 请参阅图7、图8与下表一，图7为本发明的背接触式太阳能电池的效率与开口百 分率的关系示意图，图8为本发明的背接触式太阳能电池在开口百分率介于0. 1%至10% 时，背接触式太阳能电池的效率与开口百分率的关系示意图。由图7、图8与下表一的实验 结果可W得知，本发明的本征层与纯化层具有开口，且第一实施例与第二实施例的本征层 的第一开口或第H实施例的纯化层的第H开口在开口面积与第一型半导体惨杂区的面积 比大于0. 20%时，背接触式太阳能电池的效率可有大幅提升。目P，本发明的第一型半导体惨 杂区上具有一个面积至少为第一型半导体惨杂区面积的0. 20%的开口时，第一电极区可通 过开口与第一型半导体惨杂区电性连结，有效地降低两者之间的电阻值，提升背接触式太 阳能电池效率。当开口面积为第一型半导体惨杂区面积的0. 35%至70%时，背接触式太阳 能电池的效率可W维持在更高的水平。通过本发明可避免当本征层及/或纯化层开口面积 过大，会导致本征层及/或纯化层的纯化效果降低，W及开口面积过小所导致的电阻过高 的问题，故能使背接触式太阳能电池获得良好的纯化效果与效率。
[0085] 表一
[0086]
[0087]
[0088] 另外，本发明的背接触式太阳能电池的半导体基板本体与半导体基板背光面具
【主权项】
1. 一种背接触式太阳能电池，包含： 一太阳能电池基板，包含： 一半导体基板本体，具有一受光面W及一与所述受光面相对设置的背光面，且所述半 导体基板本体具有一浓度为第一惨杂浓度的第一型半导体材料；W及 多个第一型半导体惨杂区，间隔地形成于所述背光面，且所述多个第一型半导体惨杂 区各具有一浓度为第二惨杂浓度的第一型半导体材料，而所述第二惨杂浓度大于所述第一 惨杂浓度； 一本征层，设置于所述背光面上，且所述本征层具有多个第一开口，所述多个第一型半 导体惨杂区分别自所述多个第一开口露出； 一第二型半导体层，设置于所述本征层上，且所述第二型半导体层具有多个对应于所 述多个第一开口的第二开口，所述第二开口的宽度不小于所述第一开口的宽度；W及 一电极层，包含： 多个第一电极区，分别经由所述多个第一开口电性接触地设置于所述多个第一型半导 体惨杂区上且不与所述第二型半导体层接触；W及 多个第二电极区，分别间隔地设置于所述第二型半导体层上，并与所述多个第一电极 区彼此相隔。
2. 根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第一开口的面积不大 于所述多个第一型半导体惨杂区的面积。
3. 根据权利要求2所述的背接触式太阳能电池，其中，所述第一开口的面积占所述第 一型半导体惨杂区面积的比例为0. 2%至100%。
4. 根据权利要求3所述的背接触式太阳能电池，其中，所述第一开口的面积占所述第 一型半导体惨杂区面积的比例为0. 35%至70%。
5. 根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第一开口的面积大于 所述多个第一型半导体惨杂区的面积。
6. 根据权利要去5所述的背接触式太阳能电池，更包含多个纯化层，所述多个纯化层 分别设置于所述多个第一开口内，且所述多个纯化层各具有一第H开口，所述多个第一电 极区分别经由所述第H开口电性接触所述多个第一型半导体惨杂区，且所述第H开口的面 积不大于所述多个第一型半导体惨杂区的面积。
7. 根据权利要求6所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第H开口为圆型开口、 线型开口或其组合。
8. 根据权利要求6所述的背接触式太阳能电池，其中，所述第H开口的面积占所述第 一型半导体惨杂区面积的比例为0. 2%至100%。
9. 根据权利要求8所述的背接触式太阳能电池，其中，所述第H开口的面积占所述第 一型半导体惨杂区面积的比例为0. 35%至70%。
10. 根据权利要求5所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第一电极区与所述本 征层之间分别W-间隙间隔地设置，且所述背接触式太阳能电池更包含多个纯化层，所述 多个纯化层分别沉积形成于所述第一电极区与所述本征层间的所述间隙中。
11. 根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述太阳能电池基板更包含一 前表面电场层，形成于所述受光面。
12. 根据权利要求11所述的背接触式太阳能电池，其中，所述前表面电场层W-大于 所述第一惨杂浓度的第H惨杂浓度惨杂有所述第一型半导体材料。
13. 根据权利要求11所述的背接触式太阳能电池，更包含一抗反射涂层，设置于所述 前表面电场层上。
14. 根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述半导体基板本体具有一粗 趟表面，设置于所述受光面。
15. 根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第一开口为圆型开 口、线型开口或其组合。
16. 根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述多个第二开口为线型开 n。
17. 根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述本征层为一非晶娃本征层 或一微晶娃本征层。
18. 根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其中，所述第二型半导体层为一非晶 娃第二型半导体层或一微晶娃第二型半导体层。
【专利摘要】一种背接触式太阳能电池包含太阳能电池基板、本征层、第二型半导体层以及电极层。太阳能电池基板包含半导体基板本体与多个第一型半导体掺杂区。半导体基板本体掺杂有第一型半导体材料；第一型半导体掺杂区形成于半导体基板本体的背光面。本征层形成于背光面上，并设有多个露出第一型半导体掺杂区的第一开口。第二型半导体层沉积于本征层上，并具有多个对应于第一开口的第二开口。本发明的背接触式太阳能电池可避免当本征层及开口面积过大，会导致本征层的钝化效果降低，以及开口面积过小所导致的电阻过高的问题，故能使背接触式太阳能电池获得良好的钝化效果与效率。
【IPC分类】H01L31-0352, H01L31-077, H01L31-0224
【公开号】CN104638047
【申请号】CN201310594789
【发明人】黄崇杰, 杨丰瑜, 裴善庄, 叶敬群, 庄天劭
【申请人】新日光能源科技股份有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月22日
【公告号】US20150129022