一种晶圆处理工艺及晶圆处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体晶圆制造领域，尤其涉及一种晶圆处理工艺及晶圆处理装置。
【背景技术】
[0002]随着半导体制造业的自动化发展，在半导体元器件制造封装工艺中，制作半导体晶圆工序中，在对晶圆切割后，一般采用两种方式，在不使用蓝膜胶带的条件下，手动用摇盘将分散的晶粒进行阵列定位；另一种则是使用自动吸取设备从蓝膜胶带上吸取已经阵列的晶粒。
[0003]现有技术中，切割GPP半导体晶粒的方式主要由两种，一种为传统的钻石刀片进行机械式切割，可以贯穿晶圆，并将晶粒阵列至蓝膜胶带上，虽然能够适用封装线自动取料，但切割速度慢、效率较低、成本高，而且影响晶粒电气特性的稳定性；另一种为激光切害J，虽然切割速度较快、切割成本较低。但在切割晶圆时，无法贯穿晶圆，导致在晶圆裂片后，晶粒无法阵列在蓝膜胶带上，以致无法用于封装线自动取料作业，并且，影响晶粒电气特性的稳定性。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种晶圆处理工艺及晶圆处理装置，能够解决现有技术中，无法同时实现快速切割晶圆、将晶粒阵列在蓝膜胶带上，并应用于封装线自动取料作业的问题。
[0005]本发明第一方面提供一种晶圆处理工艺，晶圆包括P面和N面，包括:
[0006]对激光切割后的晶圆进行裂片，以形成分散的多个晶粒；
[0007]在裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带，及在N面覆盖粘贴蓝膜胶带；
[0008]对覆盖所述紫外固化胶带的P面进行曝光，以减小所述紫外固化胶带的粘性；
[0009]去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上。
[0010]结合第一方面，本发明第一方面的第一种可选实现方式中，所述去除所述紫外固化胶带具体包括:
[0011]去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒按照所述多个晶粒在所述紫外固化胶带的排列方式阵列在所述蓝膜胶带上。
[0012]结合第一方面及第一种可选实现方式，本发明第一方面的第二种可选实现方式中，所述方法还包括:
[0013]对所述晶圆的P面进行预切割，以在所述P面形成多个切割道，所述预切割的方式包括激光切割或蚀刻。
[0014]结合第一方面及第二种可选实现方式，本发明第一方面的第三种可选实现方式中，所述对切割后的晶圆进行裂片具体包括:
[0015]采用裂片机分别从所述多个切割道对所述晶圆进行裂片操作。
[0016]结合第一方面及第二至第三种可选实现方式，本发明第一方面的第四种可选实现方式中，所述对所述晶圆的P面进行预切割之前还包括:
[0017]对所述晶圆进行研磨。
[0018]本发明第二方面提供一种晶圆处理装置，包括:
[0019]裂片机，用于对切割后的晶圆进行裂片，以形成分散的多个晶粒；
[0020]点胶机，用于在裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带，及在N面覆盖粘贴蓝膜胶带；
[0021]曝光机，用于对覆盖所述紫外固化胶带的P面进行曝光，以减小所述紫外固化胶带的粘性；
[0022]除胶机，用于去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上。
[0023]结合第二方面，本发明第二方面的第一种可选实现方式中，所述除胶机具体用于:
[0024]去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒按照所述多个晶粒在所述紫外固化胶带的排列方式阵列在所述蓝膜胶带上。
[0025]结合第二方面及第一种可选实现方式，本发明第二方面的第二种可选实现方式中，所述装置还包括:
[0026]切割机，用于对所述晶圆的P面进行预切割，以在所述P面形成多个切割道，所述预切割的方式包括激光切割或蚀刻。
[0027]结合第二方面及第二种可选实现方式，本发明第二方面的第三种可选实现方式中，所述裂片机具体用于:
[0028]分别从所述多个切割道对所述晶圆进行裂片操作。
[0029]结合第二方面及第二至第三种可选实现方式，本发明第二方面的第四种可选实现方式中，所述装置还包括:
[0030]研磨机，用于在对所述晶圆进行预切割之前对所述晶圆进行研磨。
[0031]本发明实施例提供的一种晶圆处理工艺，通过在裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带，及在N面覆盖粘贴蓝膜胶带，对覆盖所述紫外固化胶带的P面进行曝光，然后去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上，实现提高切割晶圆速度，以及高效、准确的将晶粒阵列在蓝膜胶带上，提高晶粒电气特性的稳定性，并应用于封装线自动取料，有效提高生产效率和产品品质，及降低生产成本。
【附图说明】
[0032]图1为本发明实施例中一种晶圆处理工艺一实施例示意图；
[0033]图2为本发明实施例中一种晶圆处理装置一结构示意图；
[0034]图3为本发明实施例中一种晶圆处理装置另一结构不意图。
【具体实施方式】
[0035]本发明实施例提供了一种晶圆处理工艺及晶圆处理装置，用于半导体晶圆制造领域，能够提高切割晶圆速度，以及高效、准确的将晶粒阵列在蓝膜胶带上，提高晶粒电气特性的稳定性，并应用于封装线自动取料，有效提高生产效率和降低生产成本。需要说明的是，本发明主要用于对激光切割后的晶圆的处理，以下进行详细说明。
[0036]请参照图1，本发明实施例中一种晶圆处理工艺，包括:
[0037]101、对切割后的晶圆进行裂片，以形成分散的多个晶粒；
[0038]在处理晶圆流程中，一般需要对所述晶圆的P面进行预切割，以在所述P面形成多个切割道，然后采用裂片机分别从所述多个切割道对所述晶圆进行裂片操作，其中，所述预切割的方式包括激光切割、机械切割或蚀刻中的一个，具体本文中不做限定。
[0039]实际应用中，对所述晶圆的P面进行预切割之后，所述对切割后的晶圆进行裂片之前还可以包括:
[0040]对所述晶圆进行研磨，具体研磨时，可以将研磨贴片贴附在晶圆的P面，然后对N面进行研磨，以减少晶圆的厚度及上述切割道的深度，以减少晶圆的N面的背崩现象，有效降低晶圆的损坏率。(切割后研磨会使晶片磨破，是否可以将研磨放在切割前？?？)
[0041]102、在裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带，及在N面覆盖粘贴蓝膜胶带；
[0042]103、对覆盖所述紫外固化胶带的P面