极输出、共用漏极输入及隔离独立源极输出。这些MOSFET RF开关装置112及114可在微波频率(例如，2GHz到6GHz)下操作。MOSFET RF开关装置112及114可为单栅极、双栅极、三栅极等晶体管。MOSFET RF开关装置112及114还可配置为互补金属氧化物半导体场效应晶体管(CMOS FET)开关。可通过栅极330及332分别控制MOSFET RF开关装置112及114中的每一者。
[0025]参考图4，描绘根据本发明的特定实例实施例的2G单极双投(STOT)开关及5G单极双投(STOT)开关及2G/5G双工器的示意性框图。2G开关800a分别耦合于2G/5G双工器830与2G发射及接收端口 106a及104a之间。5G开关800b分别耦合于2G/5G双工器830与5G发射及接收端口 106b及104b之间。2G/5G双工器830进一步耦合到双频天线端口102。
[0026]参考图5，描绘根据本发明的特定实例实施例的在图4中展示的2G单极双投(SPDT)开关的更详细示意图。通常由数字800a表示的2G SPDT RF开关可包括第一节点102a、第二节点104a及第三节点106a。可使用两个RF开关装置(例如，MOSFET RF开关)914a及912a分别执行节点102a与104a之间或节点102a与106a之间的开关动作。两个RF开关装置912a及914a中的每一者具备耦合到共用节点102a的单独的相关联DC阻断电容器。MOSFET RF开关装置912a是使用DC阻断电容器220a从节点102a阻断DC电压且使用DC电压阻断电容器918a从节点106a阻断DC电压。MOSFET RF开关装置914a是使用DC电压阻断电容器222a从节点102a阻断DC电压且使用DC电压阻断电容器916a从节点104a阻断DC电压。在2G发射器(未图示)发射到节点106a中时可使用进一步MOSFETRF开关装置932a防止接收节点104a的损害。MOSFET RF开关装置932a可使用DC阻断电容器934a阻断DC电压。细导体224a (及326a)如上文描述运作。
[0027]参考图6，描绘根据本发明的特定实例实施例的在图4中展示的5G单极双投(SPDT)开关的更详细示意图。通常由数字800b表示的5G SPDT RF开关可包括第一节点102b、第二节点104b及第三节点106b。可使用RF开关装置(例如，MOSFET RF开关)914b执行节点102b与104b之间的开关动作。可使用串联连接的RF开关装置(例如，MOSFETRF开关)912b及1013执行节点102b与106b之间的开关动作。RF开关装置912a及串联连接的RF开关装置914a及1013具备耦合到共用节点102a的单独的相关联DC阻断电容器。MOSFET RF开关装置912a及1013是使用DC阻断电容器220b从节点102b阻断DC电压且使用DC电压阻断电容器918b从节点106b阻断DC电压。MOSFET RF开关装置914b是使用DC电压阻断电容器222ba从节点102b阻断DC电压且使用DC电压阻断电容器916b从节点104b阻断DC电压。在5G发射器(未图示)发射到节点106b中时可使用进一步MOSFETRF开关装置932b防止接收节点104b的损害。MOSFET RF开关装置932b可使用DC阻断电容器934b阻断DC电压。细导体224a (及326a)如上文描述运作。
[0028]虽然已描绘、描述且通过参考本发明的实例实施例界定本发明的实施例，但此类参考并非暗指对本发明的限制，且无法推断此限制。如得益于本发明的所属领域的技术人员将想到，所揭示的标的物能够在形式及功能上有大幅修改、替代及等效。所描绘及描述的本发明的实施例仅为实例，且未穷尽本发明的范围。
【主权项】
1.一种射频RF单极双投SPDT开关，其包括: 第一节点； 第一 RF开关装置； 第二 RF开关装置； 第一直流电DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第一 RF开关装置之间； 第二 DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第二 RF开关装置之间； 第二节点； 第三DC阻断电容器，其耦合于所述第二节点与所述第一 RF开关装置之间； 第三节点； 第四DC阻断电容器，其耦合于所述第三节点与所述第二 RF开关装置之间；以及细导电线，其具有耦合于所述第一 DC阻断电容器与所述第一 RF开关装置之间的第一末端，及耦合于所述第二DC阻断电容器与所述第二 RF开关装置之间的其的第二末端，其中所述细导电线在所述第一 RF开关装置与所述第二 RF开关装置之间提供DC路径。
2.根据权利要求1所述的RFSPDT开关，其中所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET及第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。
3.根据权利要求2所述的RFSPDT开关，其中所述第一 MOSFET及所述第二 MOSFET包括互补金属氧化物半导体CMOS MOSFETo
4.根据权利要求1所述的RFSPDT开关，其中所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置在吉赫频率下操作。
5.根据权利要求1所述的RFSPDT开关，其中所述细导电线的宽度约为四微米。
6.根据权利要求1所述的RFSPDT开关，其中所述细导电线的长度经调整以用于所述第二节点与所述第三节点之间的最佳隔离。
7.根据权利要求1所述的RFSPDT开关，其中所述细导电线的长度经调整以降低所述第一节点与所述第二节点之间及所述第一节点与所述第三节点之间的插入损耗。
8.根据权利要求1所述的RFSPDT开关，其中所述RF SPDT开关制造于集成电路裸片上。
9.一种射频RF单极双投SPDT开关，其包括: 第一节点； 第一 RF开关装置； 第二 RF开关装置； 第一直流电DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第一 RF开关装置之间； 第二 DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第二 RF开关装置之间； 第二节点； 第三DC阻断电容器，其耦合于所述第二节点与所述第一 RF开关装置之间； 第三节点； 第四DC阻断电容器，其耦合于所述第三节点与所述第二 RF开关装置之间；以及第一细导电线及第二细导电线，其具有耦合于所述第一 DC阻断电容器与所述第一 RF开关装置之间的第一末端，及耦合于所述第二 DC阻断电容器与所述第二 RF开关装置之间的其第二末端，其中所述第一细导电线及所述第二细导电线在所述第一 RF开关装置与所述第二 RF开关装置之间提供DC路径。
10.根据权利要求9所述的RFSPDT开关，其中所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET及第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。
11.根据权利要求10所述的RFSPDT开关，其中所述第一 MOSFET及所述第二 MOSFET包括互补金属氧化物半导体CMOS MOSFETo
12.根据权利要求9所述的RFSPDT开关，其中所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置在吉赫频率下操作。
13.根据权利要求9所述的RFSPDT开关，其中所述第一细导电线及所述第二细导电线中的每一者的宽度约为四微米。
14.根据权利要求9所述的RFSPDT开关，其中所述第一细导电线及所述第二细导电线的长度经调整以用于所述第二节点与所述第三节点之间的最佳隔离、所述第一节点与所述第二节点之间的降低插入损耗及所述第一节点与所述第三节点之间的降低插入损耗。
15.根据权利要求9所述的RFSPDT开关，其中所述RF SPDT开关制造于集成电路裸片上。
16.一种射频RF单极双投SPDT开关，其包括: 第一节点； 第一 RF开关装置； 第二 RF开关装置； 第一直流电DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第一 RF开关装置之间； 第二 DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第二 RF开关装置之间； 第二节点； 第三DC阻断电容器，其耦合于所述第二节点与所述第一 RF开关装置之间； 第三节点； 第四DC阻断电容器，其耦合于所述第三节点与所述第二 RF开关装置之间；以及 多个细导电线，其具有耦合于所述第一 DC阻断电容器与所述第一 RF开关装置之间的第一末端，及耦合于所述第二 DC阻断电容器与所述第二 RF开关装置之间的其第二末端，其中所述多个细导电线在所述第一 RF开关装置与所述第二 RF开关装置之间提供DC路径。
17.根据权利要求16所述的RFSPDT开关，其中所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET及第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。
18.根据权利要求17所述的RFSPDT开关，其中所述第一 MOSFET及所述第二 MOSFET包括互补金属氧化物半导体CMOS MOSFETo
19.根据权利要求16所述的RFSPDT开关，其中所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置在吉赫频率下操作。
20.根据权利要求16所述的RFSPDT开关，其中所述第一细导电线及所述第二细导电线中的每一者的宽度约为四微米。
21.根据权利要求16所述的RFSPDT开关，其中所述多个细导电线的长度经调整以用于所述第二节点与所述第三节点之间的最佳隔离、所述第一节点与所述第二节点之间的降低插入损耗及所述第一节点与所述第三节点之间的降低插入损耗。
22.根据权利要求16所述的RF SPDT开关，其中所述RF SPDT开关制造于集成电路裸片上。
【专利摘要】一种单极双投SPDT开关(200)制造于集成电路IC上且可包括两个射频RF开关装置(112,114)，所述两个射频开关装置中的每一者具有耦合于相应RF开关装置与共用节点(102)之间的单独DC阻断电容器。在所述两个RF开关装置之间使用细导电线(224)提供DC连接。此细导电线提供所述两个RF开关装置之间的增大的隔离及减小的插入损耗。通过在符合阻抗匹配条件时通过所述细导电线的特性阻抗调谐所述线而实现所述增大的隔离和/或减小的插入损耗。通过使用进一步降低细电线电感的两个或两个以上细导电线可实质上降低在所述SPDT开关中的非所要电路谐振。
【IPC分类】H03H7-46, H01P1-213, H01P1-203, H01P1-15
【公开号】CN104685704
【申请号】CN201480002544
【发明人】永林·柯
【申请人】密克罗奇普技术公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年2月28日
【公告号】US8909169, US20140256272, WO2014137821A1, WO2014137821A8