)、氯化氨做1)、漠化氨她r)或类 似含面素气体。
[0018] 可通过等离子体功率源216施加RF功率，而在上处理空间234中从工艺气体形成 等离子体。等离子体功率源216可禪接至设置于工艺腔室的室顶212中或工艺腔室的室顶 附近的电极，所述电极适于将RF功率禪接至设置于工艺腔室中的工艺气体。例如，等离子 体功率源216与电极可被配置为形成电容禪合等离子体和电感禪合等离子体，或诸如此类 者。
[0019] 等离子体可形成反应性物种，例如在氮化工艺中，等离子体会形成氨自由基和氨 离子，W及氮和/或惰性气体离子（除等离子体的其他成份外）。该些反应性氨物种会潜在 地穿过经氮化的膜并负面地与基板或设置于基板上的材料发生相互作用。此外，惰性气体 或氮气离子也会负面地影响基板上的=维结构的共形反应或处理。离子防护件210有利地 控制氮化工艺或其他工艺期间工艺腔室200中的反应性物种和中性物种的空间分布。具体 地，离子防护件210可实质上避免反应性氨物种和其他离子抵达下处理空间236中的基板 206。而且，离子防护件210容许具有高表面复合速率（recombinationrates)的物种（诸 如氨自由基）能在离子防护件210的表面上优先复合，而使得具有较高相对浓度的期望物 种（例如在氮化工艺中的含氮物种）能抵达基板206的表面。
[0020] 在一些实施方式中，离子防护件210禪接至偏压功率源220,所述偏压功率源220 有利地容许离子防护件210的选择性偏压W在氮化工艺期间提升离子过滤（例如带电荷 (charged)自由基和离子的减少）。偏压功率源可W是DC电源或RF功率源。例如，施加到 离子防护件210的负电压可通过将正离子吸引到离子防护件210的表面而提升正离子的过 滤。离子防护件210由导电材料（如侣、阳极化侣、氧化侣或石英）制成。在一些实施方式 中，离子防护件210与腔室主体204和基板支撑件202电性隔离。在一些实施方式中，离子 防护件210被接地，例如通过电性地禪接至腔室主体204和/或基板支撑件202。用于离子 防护件210的材料的选取可被挑选，W有助于对离子防护件210表面的复合速率进行控制。 例如，氨自由基在侣表面上会比在石英表面上更容易复合。
[0021] 离子防护件210被支撑构件支撑在基板支撑件202上方。在一些实施方式中，离 子防护件210被支撑的高度可改变，W为了控制工艺腔室200中的工艺。例如，在蚀刻工艺 中，可通过将离子防护件210设置成较靠近基板支撑件202,且因此较靠近基板206,W获得 较快的蚀刻速率。或者，可通过将离子防护件210设置成较远离基板支撑件202,W获得较 慢但更可控的蚀刻速率。在一些实施方式中，离子防护件210的高度范围可于工艺腔室200 中从约0. 5英寸（3. 81cm)至约5. 5英寸（10. 16cm)，其中所述工艺腔室200在基板206和 室顶212之间具有约6英寸（15.24cm)的距离。在一些实施方式中，离子防护件210在工 艺腔室中被支撑在基板支撑件202上方且在基板206上方约2英寸至约4英寸的距离处， 其中所述工艺腔室具有基板至室顶约6英寸的距离。在具有其他配置的腔室中可使用其他 支撑高度。
[0022] 使用任何合适的结构，通过将离子防护件210相对于基板206或基板支撑件202 维持成实质上平行的方向，来支撑离子防护件210。在一些实施方式中，防护件支撑构件 238是被接附于腔室壁204(或被接附于沿着腔室壁设置的工艺内腔衬里）且支撑离子防 护件210于基板支撑件202上方的突座（ledge) 242,如图2A所示。在如图2B所示的一些 实施方式中，防护件支撑构件238是禪接至工艺腔室200的底部且环绕基板支撑件202的 外围而设置的支架244,或是具有用W升高和降低离子防护件210的升降机构246 (例如致 动器、马达、它们的组合、或类似机构）的支架244,或是工艺腔室200内任何其他合适的结 构。
[0023] 例如，在一些实施方式中，升降机构246可禪接至离子防护件210,W控制离子防 护件210相对于基板支撑件202的位置（例如延伸在狭缝阀224上方与下方的范围中）。升 降机构246可支撑离子防护件210 (例如升降机构可W是支撑构件），或升降机构246可将 离子防护件210从停置在支撑构件上移动到设置在支撑构件（诸如图2A所示的突座242) 上方的位置。升降机构246可将离子防护件210从位于基板206上方但在狭缝阀224下方 的第一位置升高到位于狭缝阀224上方的第二位置，W容许基板226能从狭缝阀224进出 工艺腔室200。在一些实施方式中，升降机构246大致上环绕基板支撑件202的外围而设 置。升降机构246的上端可被压嵌至形成于离子防护件210中的相应孔洞。或者，升降机 构246的上端可被螺旋到离子防护件210内或被螺旋到固定至离子防护件210的下侧的托 座内。也可使用不与处理条件相矛盾的其他固定方法，W将升降机构246固定到离子防护 件 210。
[0024] 在一些实施方式中，用于离子防护件210的支撑构件是由导电材料制成。在一些 实施方式中，支撑构件被阳极化。在一些实施方式中，支撑构件不导电，而是连接到接地通 路。在一些实施方式中，离子防护件210可W是易更换的工艺套件的一部分，W实现易使 用、易维护、易更换、和类似优点。预期，离子防护件210可配置为能容易地被改装于现有的 工艺腔室中。
[00巧]图3图示离子防护件210的一个特定实施方式的透视图。在一些实施方式中，离 子防护件210包括一个或更多个实质上平坦部件214和多个孔218,所述一个或更多个实质 上平坦部件214被支撑成平行于基板支撑件202,所述多个孔218被形成为穿过所述一个 或更多个平坦部件214。在一些实施方式中，具有孔218的多个平坦部件214堆叠在一起， W为了控制从被形成于工艺腔室200的上处理空间234中的等离子体穿过到达设置于离子 防护件210与基板206之间的下处理空间236的离子数量。在一些实施方式中，平坦部件 214可包括平板、网筛、网孔（mesh)、或它们的组合。
[0026]所述多个孔218在平板214的表面上的几何配置、间隔和尺寸可改变。所述多个 孔218控制从被形成于工艺腔室200的上处理空间234中的等离子体穿过到达设置于离子 防护件210与基板206之间的下处理空间236的离子数量。因此，孔218的尺寸和数量会 影响下处理空间236中的离子密度。例如，离子密度可实质上被降低，该样主要由等离子体 的中性自由基物种来进行处理。
[0027]孔218的尺寸范围大致从约0. 03英寸（0. 07cm)至约3英寸（7. 62cm)，或从约 0. 125英寸至约1英寸。孔218可被排列成界定在平板214的表面中的约2%至约90%的 开放区域。在一个实施方式中，所述一个或更多个孔218包括被排列成方形格栅图案而界 定约30%的开放区域的多个直径约半英寸（1.25cm)的孔洞。预期，所述孔洞可被排列成利 用其他尺寸孔洞或各种尺寸的孔洞的其他几何形态或随机图案。
[002引在一些实施方式中，可根据下处理空间236中所需要的离子密度而改变孔