溅射75s。
[0032] 所述衬底背面设有磁铁，掩膜板通过所述磁铁吸附在所述衬底正面。
[0033] 上述步骤（4)中，放入电子束蒸发设备中蒸发Ti，利用生成Ti的掩膜板在a-IGZ0 上生长厚度为40- 60nm的Ti。
[0034] 上述步骤（5)中，在温度为100- 150°C空气条件下，在烘胶台上退火60- 120min; 进一步优选的，在温度为100°c空气条件下，在烘胶台上退火60min。
[0035] 此处设计的优势在于，使a-IGZ0的内部结构变得更加有序，性能改善。
[0036] 上述步骤（6)中，在旋涂仪转速为3500- 4500rpm条件下，旋涂聚甲基丙烯酸甲 酯PMMA2- 3min;进一步优选的，在旋涂仪转速为4000rpm条件下，旋涂聚甲基丙烯酸甲酯 PMMA2min〇
[0037] 上述步骤（6)中，在温度为120- 180°C空气条件下，在烘胶台上退火60- 120min; 进一步优选的，在温度为150°C空气条件下，在烘胶台上退火60min。
[0038] 上述制备的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZ0薄膜晶体管，迀移率达到4. 44cm2/Vs，电 流开关比达到IO7量级，亚阈值摆幅达到I. 74V/deCade，性能优良。
[0039]本发明的有益效果为：
[0040] 1、本发明在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层，一方面很大程 度地将薄膜半导体晶体管与外界空气隔离，极大地减少空气中的4〇、O2以及（OH)-等物质 对薄膜半导体晶体管性能的负面影响；另一方面很大程度地减少薄膜半导体晶体管表面的 缺陷态，由于表面缺陷态会束缚器件中载流子的输运，导致薄膜半导体晶体管性能的恶化， 所以，覆盖一层有机层或者无机层之后使得薄膜半导体晶体管性能得到很大改善；
[0041] 2、本发明所述有机层为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚酰亚胺、光刻胶、环氧树脂、聚 酯类、聚氨脂类或缩醛类，聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚酰亚胺、光刻胶、环氧树脂、聚酯类、聚 氨脂类、缩醛类绝缘涂层或绝缘漆等，涂覆或成膜性好，绝缘性好，致密耐热，对薄膜半导体 晶体管无腐蚀性；
[0042] 3、本发明采用底栅的制备工艺，制备工艺简单、稳定，适合工业化推广；
[0043] 4、本发明选用具有热生长的SiO2的硅片作为绝缘层，热生长的SiO2的结构致密、 纯度高，厚度均匀，是一种非常优良的介质材料；
[0044] 5、本发明采用双层掩膜板mask技术生长非晶IGZO沟道层和Ti电极，分别使用射 频磁控溅射和电子束蒸发的方法生长非晶IGZO和Ti，生长过程中使用相互配套的掩膜板， 有效减小了栅极漏电现象，进一步改善器件性能；
[0045] 6、本发明采用IGZO表面性质优化处理工艺，在制备好的器件上旋涂一层聚甲基 丙烯酸甲酯PMM并再次退火处理，使原本恶化的器件性能得到了很大程度的恢复，效果非 常显著；
[0046] 7、本发明制备的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管，迀移率达到4. 44cm2/ Vs，电流开关比达到IO7量级，亚阈值摆幅达到1.74V/deCade，性能优良。
【附图说明】
[0047] 图1为本发明所述薄膜半导体晶体管横截面示意图；
[0048] 图2为本发明30nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管的输 出特性曲线；图2中，横坐标Vd表示源极电压，纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电 流以(；表示栅极电压，图2表示在￥ (；分别为叭、1(^、2(^、3(^、4(^时，11)与￥1)形成的曲线关 系图；其中，Ve分别为0V、IOV时，ID与VD形成的曲线基本重合；
[0049] 图3为本发明5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在空气 中150°C退火之后的没有覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMM的输出特性曲线；图3中，横坐标Vd 表示源极电压，纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电流；Vtj表示栅极电压，图3表示在 V。分别为一20V、0V、20V、40V、60V时，11)与￥1)形成的曲线关系图；其中，￥(；分别为一2(^、(^、 20V时，Id与VD形成的曲线基本重合；
[0050] 图4为本发明5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150°C 空气中退火之后的没有覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的输运特性曲线；图4中，横坐标Ve表 示栅极电压，纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电流，Vd表示源极电压；图4表示在Vd 为60V时，Ve与ID形成的曲线关系图；
[0051] 图5为本发明5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150°C 空气中退火之后的覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMM的输出特性曲线；图5中，横坐标Vd表示源 极电压，纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电流；V表示栅极电压，图5表示在Ve分 别为一20V、0V、20V、40V、60V时，Id与￥1)形成的曲线关系图；其中，￥ (；分别为一2(^、(^、2(^ 时，Id与VD形成的曲线基本重合；
[0052] 图6为本发明5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150°C 空气中退火之后的覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMM的输运特性曲线；图6中，横坐标Ve表示栅 极电压，纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电流，VD表示源极电压；图6表示在VD为 60V时，Ve与ID形成的曲线关系图；
[0053] 图7为本发明5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管覆盖聚 甲基丙烯酸甲酯PMM之后在不同温度空气中退火之后的输运特性曲线；图7中，横坐标Ve 表示栅极电压，纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电流，Vd表示源极电压；图7表示在 Vd为60V时，Ve与ID在不同温度空气中的曲线关系图；
[0054] 图8为本发明4nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150°C 空气中退火之后的没有覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的输出特性曲线；图8中，横坐标Vd表 示源极电压，纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电流；Ve表示栅极电压，图8表示在Ve 分别为一 2(^、(^、2(^、4(^、6(^时，11)与￥1)形成的曲线关系图；其中，￥(；分别为一2(^、(^、 20V时，Id与VD形成的曲线基本重合；
[0055] 图9为本发明4nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150°C 空气中退火之后的没有覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的输运特性曲线；图9中，横坐标Ve表 示栅极电压，纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电流，Vd表示源极电压；图9表示在Vd 为60V时，Ve与ID在150°C空气的曲线关系图；
[0056] 图10为本发明4nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在 150°C空气中退火之后的覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMM的输出特性曲线；图10中，横坐标Vd 表示源极电压，纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电流；Vtj表示栅极电压，图10表示 在Ve分别为一20V、0V、20V、40V、60V时，ID与￥1)形成的曲线关系图；其中，￥(；分别为一2(^、 (^、2(^时，1 1)与￥1)形成的曲线基本重合；
[0057] 图11为本发明4nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZ0薄膜晶体管在 150°C空气中退火之后的覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMM的输运特性曲线；图11中，横坐标Ve 表示栅极电压，纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电流，Vd表示源极电压；图11表示 在Vd为60V时，Ve与ID的曲线关系图；
[0058] 图12为本发明覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMM的5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟 镓锌a-IGZ0薄膜晶体管在4个月之后的输出特性曲线；图12中，横坐标Vd表示源极电压， 纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电流；Vtj表示栅极电压，图12表示在Vtj分别为一 2(^、(^、2(^、4(^、6(^时，11)与￥ 1)形成的曲线关系图；其中，￥(；分别为一2(^、(^、2(^时，、 与Vd形成的曲线基本重合；
[0059] 图13为本发明覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMM的5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化 铟镓锌a-IGZ0薄膜晶体管在4个月之后的输运特性曲线；图13中，横坐标Ve表示栅极电 压，纵坐标Id表示源极和漏极形成的回路的电流，Vd表示源极电压；图13表示在Vd为60V 时，Ve与ID的曲线关系图；
[0060] 图3-图6及图8-图11表明，是否覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMM对于是否改善超薄 非晶氧化铟镓锌a-IGZ0薄膜晶体管性能有非常明显的影响，覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA 之后，无论是4nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZ0薄膜晶体管还是5nm厚度的 IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZ0薄膜晶体管，性能都得到了明显的改善；
[0061] 图7表明，超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA 之后退火温度对超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管的性能有