0可设置在腔室的设置有通道22的部分中，使得可消除由通道22所导致的反应空间5的不对称性，并且可防止由通道22的存在而产生的不一致性。
[0046]换句话说，通道22可形成在腔室20的一个侧面上，从而允许基板W通过该通道22装载到腔室20中和卸载到腔室20外。然而，通道22的存在不可避免地导致腔室20的内部空间的不对称性。另一方面，使用排气板54从反应空间5阻挡通道22可提供反应空间5的对称性。
[0047]也就是说，气体可通过供应口 25供应至腔室20中的反应空间5并通过穿过形成在扩散板44中的扩散孔45而扩散。扩散的气体可经过反应空间5内的基板W，并且未反应的气体和反应副产物可通过形成在排气板54中的排气孔55和排气部28来排出。因此，气体的层流可通过分别形成在排气板54和扩散板44中的排气孔55和扩散孔45来维持，并且可在基板W的整个表面上提供气体的均匀供应。
[0048]在这种情况下，扩散本体42的顶表面可低于基座30的顶表面，从而在扩散本体42上方的反应空间5的高度可大于在基座30上方的反应空间5的高度。这样，已经穿过扩散孔45的气体可在扩散本体42上方的反应空间5中进行扩散。同样地，排气本体52的顶表面可低于基座30的顶表面，从而在排气本体52上方的反应空间5的高度可大于在基座30上方的反应空间5的高度。这样，已经穿过基座30的顶部的气体可在扩散本体52上方的反应空间中均匀地流动。因此，与气体在整个反应空间5中的位置无关地，通过扩散部40供应并通过排气部50排出的气体可在扩散部40和排气部50的长度方向上在反应空间5中均匀地流动。
[0049]此外，子扩散板60可安装在供应口 25中。子扩散板60和扩散板44可以预定距离彼此间隔开，并且如在扩散板44中，子扩散板60可包括多个子扩散孔65。子扩散孔65和扩散孔45可彼此交替地形成，使得已经穿过子扩散孔65的气体可通过扩散孔45再次扩散，从而在基板W的表面上形成均匀的层流，由此可实现均匀的气体供应。
[0050]图4和5是不出图2中不出的排气部的等待位置和处理位置的视图。活塞杆57可连接至排气部50的底表面，并且可通过活塞58来上升和下降。如在图4中示出，排气部50可在腔室20内设置成比通道20设置地更深。当基板W装载到腔室20的内侧中时，活塞杆57可沿着排气部50下降，处于“等待位置”，以向基板W提供传送通道。
[0051]此外，如图5中所示，在装载基板W后，在对基板W执行工艺时，设置在通道22外侧的闸阀可关闭，并且活塞58可沿着排气部50上升，处于“处理位置”。这样，在基板W的处理期间，子扩散板60、扩散板44和排气板54可大致设置在相同的高度，并且穿过子扩散板60和扩散板44而扩散的气体可经过基板W并维持层流直至排气板54。
[0052]图6是示出图2中示出的基座的加热区域和预加热区域的视图，并且图7是图6中示出的加热区域和预加热区域的改型示例。如图6中所示，基座30可包括对基板W加热的加热区域38和对通过供应口 25引入的气体进行预加热的预加热区域39。加热区域38可对应于凹部31，基板W座置在该凹部31中。加热区域38可包括加热器(加热金属丝)37，并且加热区域38可设置成更靠近通道22而不是更靠近供应口 25。
[0053]换句话说，在加热区域38的中心C和通道22之间的距离屯小于在加热区域38的中心C和供应口 25之间的距离d2。通过将加热区域38设置成更靠近通道22而不是更靠近供应口 25，通过供应口 25供应的气体可依次经过子扩散孔65和扩散孔45，从而可以保证足够距离和时间来形成关于基板W的层流。
[0054]同时，如图7中所示，预加热区域39’可在基座30的除了加热区域38’以外的整个表面上形成。也就是，子基座32可包括预加热区域39’，而主基座34可包括加热区域38’。子基座32和主基座34可每个包括加热器(加热金属丝)37’，并且子基座32的温度可高于主基座34的温度。
[0055]图8是不出图6中不出的基座中的气体流动的视图。如在图8中不出，子扩散孔65和扩散孔45可彼此交替地形成，并且通过供应口 25而供应的气体可通过子扩散孔65来扩散并接着通过扩散孔45再次扩散。这样，气体可在基板W的表面上方形成层流，从而可以提供均匀的气体供应。此外，在维持层流的同时，气体可通过形成在排气板54中的排气孔55来排出。这样，气体可在贯穿基板W的中心和边缘部分均匀地流动。
[0056]反应空间5可具有长方体形状，并且因此可以保持从扩散板44到排气板54的相同距离，从而使得气体能够在反应空间5中维持从扩散板44到排气板54的均匀流动。另一方面，在反应空间5具有圆形形状的情况下，从扩散板44到排气板54的距离根据在反应空间5中的气体的位置而变化，导致气体难以在反应空间5中保持层流。
[0057]预加热区域39可设置在加热区域38和供应口 25之间，并且如在加热区域38中，预加热区域39可包括加热器37。加热区域38和预加热区域39可单独地控制，例如，预加热区域39的温度可高于加热区域38的温度。加热区域38的中心C可偏离基座30的中心，以便设置成更靠近通道22而不是更靠近供应口 25。在预加热区域39中被预加热的气体可流向基板W。
[0058]如上所述，基座30可包括子基座32和主基座34。主基座34可提供加热区域38，而子基座32可提供预加热区域39。子基座32可包括设置成偏离基座30中心的开口，并且可具有与内部空间3的形状对应的长方体形状。主基座34可插入到形成在子基座32中的开口，并且可具有与基板W的形状对应的形状。在与气体的流动方向垂直的方向上的预加热区域39的长度可大于基板W的直径，因此，通过供应口 25流动到反应空间5中的气体可经过预加热区域39并流向基板W，同时具有增加的温度。
[0059]同时，子基座32可由具有比主基座34的材料的热膨胀系数低的热膨胀系数的材料形成。例如，子基座32可由氮化铝(AlN:热膨胀系数=4.5_6/°C )形成，而主基座34可由铝(Al:热膨胀系数=23.8_6/°C)形成。这样，子基座34的预加热区域39可防止由在高于形成在主基座32中的加热区域38的温度下对基板W加热时而发生的热膨胀引起的对基板W的损坏。
[0060]因此，由于基板处理中使用的气体量和成本增加的限制以及由于在基板上执行沉积而需要更长的处理时间的限制会在根据本发明示例性实施例的基板处理装置中得到补偿，气体量和成本的增加是由为了消除现有基板处理装置中的气体不均匀性而设置与基板间隔开的排气部所导致的腔室的内部空间的体积的增加而导致的。此外，基板处理的效率和质量可由在腔室20的内部空间3中形成的气体层流和通过利用扩散板40、子扩散板60和排气部50减小的气流所需的空间来改进。
[0061]此外，气体和基板W之间的反应性可由通过预加热区域39提供高于加热区域38的温度来预加热从供应口 25引入的气体，并通过使预热过的气体流向基板W以及迅速获得加热区域38中的处理温度来改进。
[0062]虽然已经在上面示出并描述了示例性实施例，但是对本领域技术人员显而易见的是，可不脱离如所附权利要求限定的本发明的范围而获得改型和变形。
【主权项】
1.一种基板处理装置，包括: 腔室，所述腔室提供内部空间，在所述内部空间中，基板通过通道进行传递，并且在所述基板上进行处理，所述腔室具有将气体供应至所述基板的供应口 ；以及 基座，所述基座安装在所述内部空间中，并且所述基座包括对所述基板进行加热的加热区域和对从所述供应口供应的气体进行预加热的预加热区域。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述预加热区域的温度比所述加热区域的温度高。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热区域的形状对应于所述基板的形状，并且 所述预加热区域在与气体的流动方向相垂直的方向上的长度大于所述基板的直径。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热区域的中心偏离所述基座的中心，以设置成更靠近所述通道而不是更靠近所述供应口。
5.根据权利要求1或4所述的基板处理装置，其中，所述基座包括: 子基座，所述子基座具有长方体形状，并且包括偏离所述基座的中心的开口，所述子基座提供所述预加热区域；以及 主基座，所述主基座插入到所述开口中，并提供所述加热区域。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述子基座的热膨胀系数低于所述主基座的热膨胀系数。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，进一步包括排气口，所述排气口设置在所述腔室中的如下部分处:该部分与所述腔室的设置所述供应口的部分相对，并且所述排气口将穿过所述基板的气体排出。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述腔室提供具有长方体形状的所述内部空间，并且所述腔室的一侧上设置有所述通道，另一侧上设置有所述供应口。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热区域设置在所述基板下方，并且所述预加热区域设置在所述加热区域和所述供应口之间。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述预加热区域设置在所述加热区域和所述供应口之间，以允许气体在所述加热区域之前穿过所述预加热区域。
【专利摘要】本发明涉及一种基板处理装置，包括：腔室，该腔室提供内部空间，在该内部空间中，基板通过通道传递，并在基板上执行工艺，并且该腔室具有将气体供应至基板的供应口；以及基座，该基座安装在内部空间中，并且该基座包括对基板进行加热的加热区域和对从供应口供应的气体进行预加热的预加热区域。
【IPC分类】H01L21-67
【公开号】CN104733352
【申请号】CN201410811437
【发明人】宋炳奎, 金劲勋, 金龙基, 申良湜, 金苍乭, 申昌勋, 金恩德
【申请人】株式会社Eugene科技
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2014年12月19日
【公告号】US20150176128