用于制造光电子组件的方法和光电子组件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于制造光电子组件的方法和一种光电子组件。
【背景技术】
[0002]在光电子器件、如有机发光二极管中，绝缘体还用于将两个电极区域彼此分开和/或相对于彼此电绝缘。
[0003]适当的绝缘体、例如光敏漆例如在光刻工艺中通常需非常贵地且耗费地施加。漆在没有结构的情况下通常面状地被施加到接着待蚀刻的金属层上并且借助于掩模曝光。根据所使用的漆，随后能够移除已曝光的或者未曝光的区域，由此将漆层结构化。在接着的蚀刻工艺中剩余的漆结构保护位于其下的一个或多个金属层。
【发明内容】
[0004]在不同的实施例中，提供一种用于制造光电子组件的方法，所述方法实现了以简单和/或成本适宜的方式和/或在不使用光刻工艺的条件下制造光电子组件，所述光电子组件具有发射第一电磁辐射的器件和至少一个发射第二电磁辐射的器件，所述发射第二电磁辐射的器件与发射第一电磁辐射的器件串联。
[0005]在不同的实施例中，提供一种光电子器件，所述光电子器件具有发射第一电磁辐射的器件和至少一个发射第二电磁辐射的器件，所述发射第二电磁辐射的器件与发射第一电磁辐射的器件串联，并且所述光电子器件可以简单和/或成本适宜的方式和/或在不使用光刻工艺的情况下制造。
[0006]在不同的实施例中，提供一种用于制造光电子组件的方法。光电子组件具有第一光电子器件和至少一个第二光电子器件。第一光电子器件与第二光电子器件串联。在所述方法中可选地首先提供衬底。在所述衬底上构成能导电的第一层。在能导电的第一层上构成能导电的第二层。绝缘材料以结构化的方式施加到能导电的第二层和衬底上，使得由绝缘材料形成:至少一个第一绝缘区域，所述第一绝缘区域将用于设置第一光电子器件的第一器件区域相对于用于设置第二光电气器件的第二器件区域电绝缘；第二绝缘区域，所述第二绝缘区域将第二器件区域相对于用于接触光电子组件的第一接触区域电绝缘；第三绝缘区域，所述第三绝缘区域设置在第一器件区域的背离第一绝缘区域的一侧上；和第四绝缘区域，所述第四绝缘区域设置在第一和第二绝缘区域之间的第二器件区域的背离第二绝缘区域的一侧上。在第一绝缘区域和第四绝缘区域之间构成有第三接触区域。第一光学功能层在第一器件区域中构成并且第二光学功能层在第二器件区域中构成。能导电的电极层以结构化的方式施加到光学功能层和第一以及第三接触区域上，使得第一光学功能层与第三接触区域电耦联并且第二光学功能层与第一接触区域电耦联。
[0007]在不同的实施方式中，绝缘材料和/或电极层和/或接着的其它层或者材料“以结构化的方式施加”表示:期望的结构已经在施加时构成。待覆层的面因此仅在与期望的结构相关的子区域中覆层。这与例如在光刻法这种情况中面状地施加相应的层以及接着对层结构化相反。以结构化的方式施加层实现:能够弃用首先面状地施加相应的层并且接着耗费地对层结构化，例如弃用了光刻法和/或用于光刻法的昂贵的光刻胶。这有助于简单地和/或成本适宜地制造具有串联的、发射电磁辐射的器件的光电子组件。
[0008]相应的材料或者层例如能够借助于压印、例如喷墨印刷(inkjet-printing)或者丝网印刷、借助于刮涂和/或通过在借助SAM(自组装单层，self assembling monolayer)沉积等以结构化的方式施加到衬底上。
[0009]光电子器件例如能够是吸收或者发射电磁辐射的器件。吸收电磁辐射的器件例如能够是太阳能电池。发射电磁辐射的器件在不同的实施例中能够是发射电磁辐射的半导体器件和/或构成为发射电磁辐射的二极管、构成为发射电磁辐射的有机二极管、构成为发射辐射的晶体管或构成为发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如能够是在可见光范围中光、UV光和/或红外光。在本文中，发射电磁福射的器件例如能够构成为发光二极管(lightemitting d1de，LED)、构成为有机发光二极管(organic light emitting d1de，OLED)、构成为发光晶体管或者构成为有机发光晶体管。发光器件在不同的实施例中能够是集成电路的一部分。此外，能够设有多个发光器件，例如安置在一个共同的壳体中。
[0010]衬底例如能具有衬底层或者是衬底层。衬底例如能够是透明的或者不透明的衬底。衬底例如能够具有玻璃、石英、蓝宝石、一个或多个塑料薄膜、一个或多个覆层的塑料薄膜、金属、一个或多个金属薄膜、一个或多个用电绝缘层覆层的薄膜、硅晶圆或者另一种适合的衬底材料。例如能够将衬底理解为下述层，在制造光电子组件时接着将所有其它的层施加到所述层上。这些后续的层例如能够是需要用于发射辐射的层。
[0011]能导电的第一层具有能导电的第一材料并且能导电的第二层具有能导电的第二材料。能导电的第一材料和/或第二材料是具有能传导电流的材料或者物质。能导电的第一材料例如能够与能导电的第二材料不同。能导电的第一材料例如能够设置用于光电子器件的第一电极、例如用于阳极或者阴极。
[0012]能导电的第一层例如能够直接沉积在衬底层上。能导电的第一层例如能够是透明的能传导的层。所述层能够由透明导电氧化物(TCO)、例如掺杂铟的氧化锡(ITO)或者ZnO、In/Zn0、SnZn0、Al_Zn0等形成，但是不局限于此。能导电的第一层例如能够借助于派射、例如DC溅射、物理气相沉积(PVD)等施加到衬底层上。
[0013]能导电的第二层例如能够沉积在能导电的第一层上。能导电的第二层例如能够包括:一种或多种金属、例如铝、钡、铟、铜、银、金、镁、钙和锂等以及其混合物或者组合，例如以彼此间成合金的形式或者与其它金属成合金的形式的混合物或者组合，但是不局限于此。能导电的第二层例如能够借助于蒸镀、溅射、例如DC溅射、物理气相沉积(PVD)等施加到能导电的第一层上。
[0014]能导电的层例如也能够分别具有子层，所述子层替选于或者附加于所提到的金属例如也能够具有铬和钼。在具有一个或多个子层的能导电的层中可能的层序列的实例是Mo-A1-Mo>Cr-A1-Cr>Cr-Cu-Cr 和 Cr_Cu。
[0015]绝缘材料表示如下绝缘物质，所述绝缘物质这样地施加，使得其防止两个能导电的区域之间的电通流，例如防止在第一器件区域中的能导电的第一层或者能导电的第二层和在第二器件区域中的能导电的第一层或者能导电的第二层之间的电通流。绝缘材料能够是敷层或者覆层介质、例如聚合物和/或漆。漆例如能够具有能以液体形式或者以粉末状形式施加的覆层材料。
[0016]电极层例如能够具有下述或者由其形成:铝、钡、铟、银、金、镁、钙和/或锂以及它们的组合或者化合物、尤其是合金、和/或透明导电氧化物、例如金属氧化物、如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或者掺杂铟的氧化锡(ITO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、Zn2Sn04、CdSnO3.Mgln204、GaInO3.Zn2In2O5或者In 4Sn3012或者不同的透明导电氧化物的混合物。电极层例如能够形成光电子器件的阴极或者阳极。
[0017]光学功能层例如能够是发射辐射的层、如发荧光和/或发磷光的发射体层，例如发射电磁辐射的器件、例如LED或者OLED。
[0018]在不同的实施方式中，在以结构化的方式在能导电的第一层和第二层中施加绝缘材料之前，能够构成第一沟道和至少一个第二沟道，使得衬底在第一沟道和第二沟道中空出。在以结构化的方式施加绝缘材料时，第一沟道和第二沟道通过绝缘材料来填充，使得绝缘材料叠加第一沟道和第二沟道的边缘。第一沟道至少部分地对第一绝缘区域限界并且第二沟道至少部分地对第二绝缘区域限界。沟道例如能够借助于激光烧蚀构成。此外，沟道部分地或者完全地围绕第一器件区域或第二器件区域延伸。此外，还能够构成其它的沟道和/或沟道能够是二维地在一个平面中延伸的沟道结构的部分。
[0019]在不同的实施方式中，在施加光学功能层之前移除第一器件区域和第二器件区域中的能导电的第二层。在移除能导电的第二层之后在第一和第二器件区域中将光学功能层施加到第一层上。能导电的第二层例如能够用蚀刻法移除。对能导电的第二材料的蚀刻在此例如能够在刻蚀浴中进行。刻蚀例如能够具有:通过使用适当的蚀刻性的材料剥离能导电的第一层的表面上的能导电的第二材料。蚀刻性的材料例如能够是化学材料，所述化学材料能够以化学反应改变待移除的材料(通常是氧化)和/或能够置于溶液中。蚀刻剂例如是酸或者强氧化剂。值得一提的例如是:HN03、HC1、H3P04、醋酸、H2S04、硝酸铈铵(CAN)和H202。蚀刻浴例如能够选择为，使得能导电的第一层、例如ITO层不受到所使用的蚀刻剂的侵蚀或者损伤。
[0020]在不同的实施方式中，在以结构化的方式施加绝缘材料之后并且在移除第一和第二器件区域中的能导电的第二层之前，将保护层以结构化的方式施加到能导电的第二层上，使得接触区域通过保护层的材料覆盖。在移除能导电的第二层时，保护层遮盖接触区域，使得能导电的第二层保留在接触区域中。在移除能导电的第二层之后，在第一、第二和/或第三器件区域中移除保护层。保护层例如能够具有如下材料或者物质，所述材料或者物质用于:在制造光电子组件的其它方法进程中、例如在一个或多个其它的工艺步骤中保护子区域中的能导电的第二层的能导电的第二材料，在所述子区域上施加有能导电的第二层。保护层例如能够是敷层、漆等。保护层例如能够是刻蚀阻挡漆、例如是如在制造印刷电路板(PCB)时所使用的刻蚀阻挡漆。该刻蚀阻挡漆能够热学地或者借助于UV辐射交联或者硬化。保护层例如能够在如下溶剂中是可溶的，在所述溶剂中绝缘材料是不可溶的。保护层例如能够是碱性可溶的或者碱可溶的。保护层例如能够在碱性溶液中、例如在盐的弱碱性水溶液(例如NaOH、ΚΟΗ、ΝΗ40Η、或者季铵盐如N(CH3)4OH)中是可溶的。
[0021]以结构化的方式施加保护层不仅能够在将能导电的第二层施加在能导电的第一层上之后并且在以结构化的方式将绝缘材料施加在能导电的第二层上之前进行而且能够在以结构化的方式将绝缘材料施加在能导电的第二层上之后并且在将光学功能层施加在能导电的第二层上之前进行。以结构化的方式施加保护层在此能够进行，使得能导电的第二层在接触区域中通过保护层的材料来覆盖并且在器件区域中不通过保护层的材料覆盖。保护材料能够(至少分部段地)设置在绝缘材料上或上方。
[0022]绝缘材料和保护层相对于用于蚀刻能导电的第二材料的化学制品例如能够是有抗性的。在能导电的第二层的如下区域中，其中绝缘材料和保护层施加在所述区域上，所述绝缘材料和保护层能够在相应的区域中用作为用于能导电的第二层或者能导电的第二材料的蚀刻阻挡。通过对能导电的第二材料的蚀刻保留导电的第二层的位于绝缘层下方和/或位于保护层下方的结构并且保留能导电的第一层。用于移除器件区域中的电的第二层的蚀刻工艺例如能够是唯一的执行用于制造光电子组件的蚀刻工艺。
[0023]在不同的实施方式中，在施加光学功能层之前加热绝缘材料，使得所述绝缘材料变形并且封装能导电的第