210及阵列组合件100、200可包含额外组件，及/或本文中描述的组件的不同组合。举例来说，SST裸片110可包含两个以上结，及/或具有一个以上互连件124。在此类布置中，可形成额外的第三接触件140，其在多个结或LED结构之间提供额外的中间电接达点。此外，阵列100包含SST裸片110的Ixl阵列，且阵列组合件200包含SST裸片210的1x4阵列。在其它实施例中，组合件及阵列可包含不同数目个SST裸片，及/或具有不同形状(例如，矩形、圆形等)。另外，在特定实施例的上下文中描述的本技术的某些方面可在其它实施例中消除。举例来说，介电材料138的配置可经变更以暴露或覆盖半导体材料、接触件或导电线的不同组合。另外，虽然已在所述实施例的上下文中描述与本技术的某些实施例相关的优点，但其它实施例也可展现此类优点，且并非所有实施例一定需要展现此类优点才算属于本发明的范围。因此，本揭露内容及相关技术可涵盖本文中未明确展示或描述的其它实施例。
【主权项】
1.一种固态换能器SST裸片，其包括: 发光二极管LED结构，其具有第一半导体材料及第二半导体材料； 多个第一接触件，其中个别第一接触件电耦合到所述第一半导体材料； 多个第二接触件，其中第二接触件电耦合到所述第二半导体材料，所述第二接触件与所述第一半导体材料电隔离； 互连件，其形成于至少一个第一接触件与一个第二接触件之间；及 第三接触件，其连接到所述互连件。
2.根据权利要求1所述的SST裸片，其中所述第三接触件经由导电线连接到所述互连件。
3.根据权利要求1所述的SST裸片，其中所述LED结构为侧向LED结构。
4.根据权利要求1所述的SST裸片，其中所述SST裸片包含一或多个个别第一接触件与一或多个第二接触件之间的多个互连件。
5.根据权利要求4所述的SST裸片，其进一步包括: 多个结；及 多个第三接触件，其连接到所述多个互连件中的一者或多者。
6.根据权利要求1所述的SST裸片，其中所述第三接触件包含连接到所述互连件的多个第三接触件。
7.根据权利要求1所述的SST裸片，其中所述第三接触件与所述第一半导体材料及所述第二半导体材料电隔离。
8.根据权利要求1所述的SST裸片，其中所述第三接触件经配置以交叉连接到第二裸片上的另一接触件。
9.一种发光二极管LED阵列，其包括: 发光换能器结构，其具有第一侧处的第一半导体材料、与所述第一侧相对的第二侧处的第二半导体材料，及所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间的发光活性区域；多个第一接触件，其中个别第一接触件电耦合到所述第一半导体材料； 多个第二接触件，所述第二接触件电耦合到所述第二半导体材料，其中所述第二接触件与所述第一半导体材料电隔离； 多个第三接触件，所述第三接触件电耦合到第一接触件及第二接触件中的至少一者，所述第三接触件与所述第一半导体材料及所述第二半导体材料电隔离；及多个交叉连接，其介于所述多个第三接触件之间。
10.根据权利要求9所述的LED阵列，其中所述换能器结构具有多个特征，所述多个特征将所述换能器结构分离成多个个别可寻址的LED，且其中每一个别可寻址的LED具有第一结、第二结、所述第一结上的至少一个第二接触件与所述第二结上的一个第一接触件之间的互连件，及电耦合到所述互连件的第三接触件。
11.根据权利要求9所述的LED阵列，其中所述换能器结构包含并联连接的多个高电压LED，所述多个高电压LED个别地具有串联耦合的多个结。
12.根据权利要求11所述的LED阵列，其进一步包括邻近结之间的互连件，其中至少一个第三接触件耦合到所述互连件。
13.根据权利要求11所述的LED阵列，其中所述多个交叉连接电耦合跨邻近高电压LED的结。
14.一种固态换能器SST裸片的阵列，其包括: 第一端子； 第二端子；及 多个SST裸片，其耦合于所述第一端子与所述第二端子之间，其中所述SST裸片中的至少一对并联耦合，其中: 所述多个SST裸片个别地包含多个结，所述多个结与每一个别结之间的互连件串联耦合；且 所述个别SST裸片具有耦合到所述互连件的交叉连接接触件。
15.根据权利要求14所述的阵列，其进一步包括所述SST裸片中的所述对上的所述交叉连接接触件之间的交叉连接。
16.根据权利要求14所述的阵列，其中所述交叉连接接触件经由导电线耦合到所述互连件。
17.根据权利要求14所述的阵列，其中所述个别SST裸片具有耦合到所述互连件的多个交叉连接接触件。
18.—种形成高电压发光二极管HVLED的阵列的方法，其包括: 提供第一端子及第二端子； 将多个HVLED耦合于所述第一端子与所述第二端子之间，其中所述HVLED中的至少一对并联耦合，其中: 所述多个HVLED个别地包含多个结，所述多个结与每一个别结之间的互连件串联耦合；且 所述个别HVLED具有耦合到所述互连件的交叉连接接触件；及 在所述HVLED中的至少所述对上的所述交叉连接接触件之间形成交叉连接。
19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括将所述第一端子及所述第二端子电耦合到AC电源。
20.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括将接合衬垫耦合到所述交叉连接接触件，其中在所述HVLED中的至少所述对上的所述交叉连接接触件之间形成所述交叉连接包含在所述HVLED中的至少所述对上的所述接合衬垫之间进行导线接合。
21.一种形成具有串联耦合的多个结的固态换能器SST裸片的方法，所述方法包括: 形成发光二极管LED结构，其具有第一侧处的第一半导体材料、与所述第一侧相对的第二侧处的第二半导体材料，及所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间的发光活性区域； 在第一结上形成第一接触件，所述第一接触件电耦合到所述第一半导体材料； 在第二结上形成第二接触件，所述第二接触件电耦合到所述第二半导体材料； 在所述第一结与所述第二结之间形成互连件，所述互连件电耦合到所述第一半导体材料及所述第二半导体材料；及 形成电親合到所述互连件的交叉连接接触件。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一接触件、所述第二接触件及所述交叉连接接触件可从所述LED结构的所述第一侧接达。
【专利摘要】本文揭露固态换能器“SST”裸片及具有电交叉连接的SST阵列。根据特定实施例的SST裸片的阵列可包含第一端子、第二端子，及耦合于所述第一端子与所述第二端子之间的多个SST裸片，其中所述SST裸片中的至少一对并联耦合。所述多个SST裸片可个别地包含多个结，所述多个结与每一个别结之间的互连件串联耦合。另外，所述个别SST裸片可具有耦合到所述互连件的交叉连接接触件。在一个实施例中，所述阵列可进一步包含所述SST裸片中的所述对上的所述交叉连接接触件之间的交叉连接。
【IPC分类】H01L33-36, H01L33-62
【公开号】CN104737309
【申请号】CN201380054762
【发明人】马丁·F·舒伯特
【申请人】美光科技公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年8月28日
【公告号】EP2893572A1, US20140061680, WO2014039343A1