Ldmos器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种LDMOS器件的制作方法。
【背景技术】
[0002]横向扩散金属氧化物半导体(LaterallyDiffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)器件能够耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路，与晶体管相t匕，在关键的器件特性方面，如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显。LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。
[0003]请参考图1至图4，图1至图4为现有技术中LDMOS制作过程中的剖面示意图，现有技术中，LDMOS器件的制作方法包括步骤:
[0004]S1:提供半导体衬底10，所述半导体衬底10设有多个间隔排列的浅沟槽隔离结构11，如图1所示；
[0005]S2:在所述半导体衬底10内形成高压的P型阱区或N型阱区20，所述P型阱区或N型阱区20包围所述浅沟槽隔离结构11，如图2所示；
[0006]S3:在所述半导体衬底10的表面形成图案化的光阻层30，所述图案化的光阻层30暴露出一部分浅沟槽隔离结构11，如图3所示；
[0007]S4:以所述图案化的光阻层30为掩膜，对所述P型阱区或N型阱区20进行N型或P型离子注入，形成N型或P型漂移区40，如图5所示(为了方便描述，在图4中是形成P型阱区20，在P型阱区20内形成N型漂移区40);从而得到LDMOS器件。
[0008]然而，在对LDMOS器件进行性能测试时，在栅极电压Vg不断增大到一定电压值Vgfflax时，测试电流会突然增大，而栅极电压Vg会突然变小，这也就是影响LDMOS器件的快速恢复(Snapback)问题。通常情况下，根据不同的需求LDMOS器件的Vg越大越好，即Vgmax越大表示LDMOS器件性能越好。
[0009]引起Snapback问题的原因之一是LDMOS器件中的寄生三极管(如图4中箭头所示的NPN结)先导通，导致测试电流激增。那么如何抑制开启时的寄生三极管，增大Vgmax，提升LDMOS器件的性能便成为本领域技术人员急需解决的技术问题。
【发明内容】
[0010]本发明的目的在于提供一种LDMOS器件的制作方法，能够增大抑制开启时的寄生三极管，提升LDMOS器件的性能。
[0011]为了实现上述目的，本发明提出了一种LDMOS器件的制作方法，包括步骤:
[0012]提供半导体衬底，所述半导体衬底内设有多个间隔排列的浅沟槽隔离结构和包围所述浅沟槽隔离结构的高压阱区；
[0013]对所述半导体衬底内的高压阱区进行反型离子注入，形成深埋离子区；
[0014]在所述浅沟槽隔离结构下方以及深埋离子区的上方形成漂移区，所述漂移区与所述深埋离子区保持预定距离。
[0015]进一步的，所述高压阱区的形成步骤包括:
[0016]在所述半导体衬底的表面涂覆图案化的光阻层；
[0017]以所述图案化的光阻层作为掩膜，对所述半导体衬底内进行离子注入，形成包围所述浅沟槽隔离结构的高压阱区；
[0018]去除所述图案化的光阻层。
[0019]进一步的，所述高压阱区为P型高压阱区。
[0020]进一步的，对所述P型高压阱区进行IIV族元素的离子注入，形成深埋离子区。
[0021]进一步的，在所述浅沟槽隔离结构下方以及深埋离子区的上方形成N型漂移区。
[0022]进一步的，所述高压阱区为N型高压阱区。
[0023]进一步的，对所述N型高压阱区进行V族元素的离子注入，形成深埋离子区。
[0024]进一步的，在所述浅沟槽隔离结构下方以及深埋离子区的上方形成P型漂移区。
[0025]进一步的，形成深埋离子区的步骤包括:
[0026]在所述半导体衬底的表面形成图案化的光阻层；
[0027]以所述图案化的光阻层作为掩膜，对所述半导体衬底内的高压阱区进行反型离子注入，形成深埋离子区。
[0028]进一步的，形成漂移区的步骤包括:
[0029]在所述半导体衬底的表面形成图案化的光阻层；
[0030]以所述图案化的光阻层作为掩膜，对所述半导体衬底进行离子注入，形成漂移区。
[0031]与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在:在形成高压阱区之后，在高压阱区深处注入反型离子，从而形成深埋离子区，接着再形成漂移区，由于深埋离子区能够减少寄生三极管的基极电阻，起到在开启时抑制寄生三级管的作用，进而能够提升LDMOS器件的性能。
【附图说明】
[0032]图1至图4为现有技术中LDMOS制作过程中的剖面示意图；
[0033]图5为本发明实施例一中的LDMOS制作方法的流程图；
[0034]图6至图12为本发明实施例一中的LDMOS制作过程中的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0035]下面将结合示意图对本发明的LDMOS器件的制作方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
[0036]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0037]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0038]实施例一
[0039]请参考图5，在本实施例中，提出了一种LDMOS器件的制作方法，包括步骤:
[0040]S