组合构成的复合层，平坦化层90为有机材料(如聚酰亚胺，丙烯酸树脂酚树脂等)，薄膜晶体管区的底层透明导电薄膜101和顶层透明导电薄膜120以及邦定区的顶部导电层102的材质为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌、氧化镓锌、氧化氟锡、氧化锑锡或石墨烯的其中一种或其组合；高反射金属层的材质110为银、铝、银合金或铝合金。以上仅为列举的较佳选择，本发明各层的材质不限于此。
[0034]上述的阵列基板的制备方法，具体包括如下步骤:
I)具体包括如下步骤: A、衬底10分为薄膜晶体管区A和邦定区B，在衬底10上形成第一阻挡层20，其覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B;
B、在第一阻挡层20上形成多晶硅层，对多晶硅层进行刻蚀，在薄膜晶体管区A形成源、漏极区层，其余部分刻蚀除去；对源、漏极区层进行离子掺杂形成源、漏极区31，源、漏极区31包括源极区311、沟道区312和漏极区313 ；
C、在源、漏极区31上形成栅极绝缘层40，栅极绝缘层40对应覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B ；
D、在栅极绝缘层40上形成第一金属层，对第一金属层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成对应位于沟道区312上方的栅电极51，在邦定区B形成栅极金属层52，其余部分除去；
E、在栅电极51和栅极金属层52上形成层间绝缘层60，层间绝缘层60对应覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B，进行刻蚀，除去层间绝缘层60位于邦定区B的部分；
F、对薄膜晶体管区A的层间绝缘层60和栅极绝缘层40进行刻蚀，形成显露出源、漏极区的源极区312和漏极区313的通孔；
G、在层间绝缘层60上形成第二金属层，第二金属层对应覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B，在薄膜晶体管区A第二金属层通过形成于层间绝缘层60和栅极绝缘层40的通孔与源、漏极区的源极区311、漏极区313耦合，对第二金属层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成分隔开的源电极711和漏电极712，源电极711与源极区311耦合、漏电极712与漏极区313耦合，在邦定区B形成覆盖于栅极金属层52上的源漏金属层72 ；
H、在源电极711、漏电极712和源漏金属层72上形成第二阻挡层80，第二阻挡层80对应覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B，将第二阻挡层80于邦定区B的部分刻蚀除去；
1、在第二阻挡层80上形成平坦化层90，平坦化层对应覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B，将平坦化层90于邦定区B的部分刻蚀除去。
[0035]2)如图4A和4B所示，在平坦化层90上形成覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B的第一透明导电薄膜100，以掩膜遮挡对第一透明导电薄膜100进行光刻刻蚀，在薄膜晶体管区A形成覆盖于平坦化层90上、同时通过形成于平坦化层90和层间绝缘层60的通孔与漏电极712耦合的底层透明导电薄膜101，在邦定区形成与源漏金属层耦合的顶部导电层102 ；其中，顶部导电层102还需要进行退火处理，使其充分结晶，防止后续刻蚀工艺对其影响。
[0036]3)如图4C和4D所示，在底层透明导电薄膜上形成一覆盖薄膜晶体管区和邦定区的高反射金属膜层，再在高反射金属膜层上形成第二透明导电薄膜，以掩膜遮挡对高反射金属膜层和第二透明导电薄膜进行光刻刻蚀，在薄膜晶体管区形成对应于底层透明导电薄膜上的高反射金属层和顶层透明导电薄膜，其余部分刻蚀除去。
[0037]上述阵列基板构成的有机发光显示器件，包括:
上述阵列基板；
有机材料层，对应形成于所述顶层透明导电薄膜120上，有机材料层可自下至上依次包括:空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。
[0038]阴极层，对应形成于所述有机材料层上；
本实施例中薄膜晶体管区A的底层透明导电薄膜101、高反射金属层110和顶层透明导电薄膜120，并非在成膜设备中一次成型，而是依次在平坦化层上形成，通过两次刻蚀工艺使得邦定区仅保留一层透明导电薄膜作为顶部导电层102，而不含有高反射金属层和顶层透明导电薄膜，从而既可解决邦定电阻过大的问题，又可解决金属层的腐蚀问题。
[0039]实施例二
如图5所示，本实施例的顶发射有机发光显示器件的阵列基板与实施例一基本相同，其区别在于，邦定区B包括还包括层间绝缘层60和第二阻挡层80。层间绝缘层60形成于栅极金属层52与源漏金属层72之间，该层间绝缘层60形成有多个显露出栅极金属层52的通孔，源漏金属层72通过形成于层间绝缘层60的通孔与栅极金属层52耦合。第二阻挡层80形成于源漏金属层72与顶部导电层102之间，该第二阻挡层80形成有多个显露出源漏金属层72的通孔，顶部导电层102通过形成于第二阻挡层80的通孔与源漏金属层72耦八口 ο
[0040]上述阵列基板的制备方法与实施例1基本相同，区别在于，步骤I)有所不同，具体包括:
A、衬底10分为薄膜晶体管区A和邦定区B，在衬底10上形成第一阻挡层20，其覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B;
B、在第一阻挡层20上形成多晶硅层，对多晶硅层进行刻蚀，在薄膜晶体管区A形成源、漏极区层，其余部分刻蚀除去；对源、漏极区层进行离子掺杂形成源、漏极区31，源、漏极区31包括源极区311、沟道区312和漏极区313 ；
C、在源、漏极区31上形成栅极绝缘层40，栅极绝缘层40对应覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B ；
D、在栅极绝缘层40上形成第一金属层，对第一金属层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成对应位于沟道区312上方的栅电极51，在邦定区B形成栅极金属层52，其余部分除去；
E、在栅电极51和栅极金属层52上形成层间绝缘层60，层间绝缘层60对应覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B，进行刻蚀，将层间绝缘层60位于邦定区B的部分刻蚀出显露出栅极金属层52的通孔；
F、对薄膜晶体管区A的层间绝缘层60和栅极绝缘层40进行刻蚀，形成显露出源、漏极区的源极区312和漏极区313的通孔；
G、在层间绝缘层60上形成第二金属层，第二金属层对应覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B，在薄膜晶体管区A第二金属层通过形成于层间绝缘层60和栅极绝缘层40的通孔与源、漏极区的源极区311、漏极区313耦合，对第二金属层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成分隔开的源电极711和漏电极712，源电极711与源极区311耦合、漏电极712与漏极区313耦合，在邦定区B形成覆盖于栅极金属层52上的源漏金属层72 ；
H、在源电极711、漏电极712和源漏金属层72上形成第二阻挡层80，第二阻挡层80对应覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B，对第二阻挡层80于邦定区B的部分刻蚀形成显露出源漏金属层72的通孔；
1、在第二阻挡层80上形成平坦化层90，平坦化层对应覆盖薄膜晶体管区A和邦定区B，将平坦化层90于邦定区B的部分刻蚀除去。
[0041]同样地，本实施例的阵列基板的邦定区仅保留一层透明导电薄膜作为顶部导电层102，而不含有高反射金属层和顶层透明导电薄膜，从而既可解决邦定电阻过大的问题，又可解决金属层的腐蚀问题。
[0042]上述阵列基板经过后续步骤可于顶层透明导电薄膜120上依次形成有机材料层和阴极层，从而得到有机发光显示器件，其中，有机材料层可自下至上依次包括:空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。
[0043] 以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。
【主权项】
1.一种顶发射有机发光显示器件的阵列基板，包括薄膜晶体管区和邦定区，其特征在于，邦定区的顶部导电层为透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，邦定区的顶部导电层与薄膜晶体管区的阳极的底层透明导电薄膜由同一透明导电薄膜刻蚀形成。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述薄膜晶体管区包括: 衬底， 第一阻挡层，形成于衬底上， 源、漏极区，形成于第一阻挡层上，包括源极区、沟道区和漏极区； 栅极绝缘层，形成于源、漏极区上，覆盖薄膜晶体管区； 栅电极，形成于栅极绝缘层上，对应位于源、漏极区的沟道区上方； 层间绝缘层，形成于栅极电极上，覆盖薄膜晶体管区； 源电极和漏电极，形成于层间绝缘层上，源电极与漏电极分隔设置，源电极通过形成于栅极绝缘层和层间绝缘层的通孔与源、漏