半导体器件的制作方法
【专利说明】半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]2014年I月28日提交的日本专利申请N0.2014-013734的公开的全部内容，包括说明书、附图和摘要，以引用方式并入本文中。
技术领域
[0003]本发明涉及半导体器件，例如可应用于具有电流镜电路的半导体器件的技术。
【背景技术】
[0004]电路中的一种是电流镜电路。电流镜电路例如用于放大器电路。当在半导体器件中设置作为放大器电路的电流镜电路时，期望的是，围绕输入晶体管设置多个输出晶体管，并且为这些输出晶体管赋予相同的特性。例如，在日本专利特许公开N0.1998-256541(专利文献I)中描述了输出晶体管的多个布局示例。
[0005]本发明的发明人研宄了半导体器件中的第一晶体管和多个第二晶体管的尺寸减小，其中，用作输入晶体管的第一晶体管被用作输出晶体管的第二晶体管夹着。此时，本发明的发明人发现，当诸如静电的异常电流输入第二晶体管的漏极时，异常电流集中在最靠近第一晶体管的第二晶体管上。当异常电流集中在特定第二晶体管上时，对抗半导体器件的异常电流的电阻减小。本申请的主要问题是保护抵抗半导体器件的异常电流的电阻，使其不减小。根据对本申请的描述和附图，其它问题和新特征将变得清楚。
【发明内容】
[0006]根据一个实施例，第一晶体管的第一栅电极和第二晶体管的第二栅电极都在第一方向上延伸。另外，多个第二晶体管并排布置在与第一方向交叉的方向(第二方向)上。在第二方向上，第一晶体管夹在第二晶体管中的第一第二晶体管和第二晶体管中的第二第二晶体管之间。第一源极接触耦合到第一源极区，并且第一漏极接触耦合到第一漏极区。多个第二源极接触耦合到彼此不同的第二源极区，并且将其彼此电耦合。多个第二漏极接触耦合到彼此不同的第二漏极区，并且将其彼此电耦合。另外，与第二晶体管中的第一第二晶体管耦合的第二源极接触和第二漏极接触之间的距离(第一距离)和与第二晶体管中的第二第二晶体管耦合的第二源极接触和第二漏极接触之间的距离(第二距离)都大于与第二晶体管中的第三第二晶体管(第二晶体管)耦合的第二源极接触和第二漏极接触之间的距离(第三距离)，第二晶体管中的第三第二晶体管在第二方向上距离第一晶体管最远。
[0007]根据一个实施例，可抑制对抗半导体器件的异常电流的电阻减小。
【附图说明】
[0008]图1是示出根据第一实施例的半导体器件的构造的平面图；
[0009]图2是示意性示出图1的A-A’截面的示图；
[0010]图3是示出在比较例中当异常电流流过与第二晶体管的第二漏极区耦合的布线时的电流密度的模拟结果的示图；
[0011]图4是示出在实施例中当异常电流流过与第二晶体管的第二漏极区耦合的布线时的电流密度的模拟结果的示图；
[0012]图5是示出可使得流过一个第二晶体管的异常电流量相对于元件隔离膜EI21的宽度的依赖性的曲线图；
[0013]图6是示出根据第二实施例的半导体器件的截面图；
[0014]图7是示出可使得流过一个第二晶体管的异常电流量相对于第二栅电极的宽度的依赖性的曲线图；
[0015]图8是示出根据第三实施例的半导体器件的构造的截面图；
[0016]图9是示出根据第四实施例的半导体器件的构造的截面图；
[0017]图10是示出根据第五实施例的半导体器件的构造的截面图；
[0018]图11是示出图10的修改形式的截面图；
[0019]图12是根据第六实施例的半导体器件的平面图；
[0020]图13是被图12的虚线围绕的部分的放大视图；
[0021]图14是沿着图13的B-B’线截取的截面图；
[0022]图15是沿着图13的C-C’线截取的截面图；
[0023]图16是沿着图13的D-D’线截取的截面图。
【具体实施方式】
[0024]下文中，将使用【附图说明】实施例。注意的是，在所有附图中，相同的组件带有相同的符号，将适当地省略对其的说明。
[0025](第一实施例)
[0026]图1是示出根据第一实施例的半导体器件SD的构造的平面图。图2是示意性示出图1的A-A’截面的示图。根据本实施例的半导体器件SD是电力控制元件，用于向负载供电，并且具有:第一晶体管TRl、多个第二晶体管TR2、第一源极接触SCONl、第一漏极接触DCONl、多个第二源极接触SCON2、和多个第二漏极接触DCON2。第一晶体管TRl是向其输入控制信号的输入晶体管，并且第二晶体管TR2是输出电力的输出晶体管。第一晶体管TRl和第二晶体管TR2构成电流镜电路的至少一部分。
[0027]第一晶体管TRl具有:第一栅电极GEl、第一源极区SOUl、以及第一漏极区DRNl。第二晶体管TR2具有:第二栅电极GE2、第二源极区SOU2、以及第二漏极区DRN2。第一栅电极GEl和第二栅电极GE2 二者在第一方向(图1中的Y方向)上延伸。另外，第二晶体管TR2并排布置在与第一方向相交的方向(第二方向:图1的示例中的X方向)上。第一晶体管TRl在第二方向上夹在两个第二晶体管TR21 (第二晶体管TR2中的第一第二晶体管和第二晶体管TR2中的第二第二晶体管)之间。
[0028]第一源极接触SCONl耦合到第一源极区SOUl，并且第一漏极接触DCONl耦合到第一漏极区DRN1。第二源极接触SC0N2耦合到彼此不同的第二源极区S0U2，并且将其彼此电耦合。第二漏极接触DC0N2耦合到彼此不同的第二漏极区DRN2，并且将其彼此电耦合。另夕卜，与一个第二晶体管TR21(第二晶体管TR2中的第一第二晶体管)耦合的第二源极接触SC0N2和第二漏极接触DC0N21之间的距离(第一距离)以及与另一个第二晶体管TR21耦合的第二源极接触SC0N2和第二漏极接触DC0N21之间的距离(第二距离)都大于与第二晶体管TR2中的第三第二晶体管(第二晶体管TR22)耦合的第二源极接触SC0N2和第二漏极接触DC0N2之间的距离(第三距离)，第二晶体管TR2中的第三第二晶体管在第二方向上距离第一晶体管最远。下文中，将详细说明第一距离、第二距离和第三距离之间的关系。
[0029]首先，将使用图1说明第一距离、第二距离和第三距离之间的关系。半导体器件SD具有诸如硅衬底的半导体衬底SUB。第一晶体管TRl和第二晶体管TR2设置在半导体衬底SUB上。第二晶体管TR2布置在例如相对于第一晶体管TRl彼此对称的位置，以便围绕第一晶体管TR1。这里的对称包括线对称和点对称。更具体地，多个晶体管布置在半导体器件SD中，以构成矩阵。那么，第一晶体管TRl设置在该矩阵的中心。
[0030]在图1中示出的示例中，两个第一晶体管TRl并排布置在X方向上。另外，在第一晶体管TRl的同一行中，第三晶体管TR3、第二晶体管中的第一第二晶体管TR21和普通的第二晶体管TR2分别依次布置在第一晶体管TRl的两个相邻侧上，靠近第一晶体管TR1。普通第二晶体管TR2具有与第二晶体管TR22的构造类似的构造。
[0031]第三晶体管TR3是虚拟晶体管。具体地，尽管第三晶体管TR3具有与普通第二晶体管TR2的构造类似的构造，但第三栅电极GE3和第三源极区SOU3彼此电耦合。具体地，第三栅电极GE3和第三源极区SOU3接地。最靠近第一晶体管TRl的第二晶体管TR2与第一晶体管TRl之间的距离会因设置了第三晶体管TR3而增大。结果，即使诸如静电的异常电流流过第二晶体管TR2，也可抑制电流集中在位于靠近第一晶体管TRl的第二晶体管TR2上而致使第二晶体管TR2损坏。
[0032]在图1中示出的示例中，在第一晶体管TRl和第二晶体管TR21之间设置一个第三晶体管TR3。然而，在第一晶体管TRl和第二晶体管TR21之间可设置多个(例如，两个)第三晶体管TR3。
[0033]所有普通的第二晶体管TR2，即除了第二晶体管TR21之外的第二晶体管TR2 (包括第二晶体管中的第二第二晶体管TR22)，具有彼此类似的构造。另外，普通的第二晶体管TR2设置在与第一晶体管TRl不同的行。如上所述，第二晶体管TR21中的第二源极接触SCON2 (图2中示出)和第二漏极接触DCON21(图2中示出)之间的距离大于第二晶体管TR22(即，普通的第二晶体管TR2)中的第二源极接触SCON2(图2中示出)和第二漏极接触DCON22(图2中示出)之间的距离。为此原因，在图1的X方向上，第二晶体管TR21的宽度大于普通的第二晶体管TR2的宽度。
[0034]在图1中示出的示例中，在第一晶体管TRl和普通第二晶体管TR2之间设置两个第二晶体管TR21。然而，可在第