基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的各种形态及实施方式涉及一种基板处理装置。
【背景技术】
[0002]作为在基板上进行成膜的方法的一种，众所周知有等离子体激发原子层沉积(PE-ALD:Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n)法。在 PE-ALD 法中，通过使基板曝露在前驱物气体中，而使含有所要形成的薄膜的构成元素的前驱物气体化学吸附在基板上。其次，通过使基板曝露在冲洗气体中，而将过剩地化学吸附在该基板上的前驱物气体去除。然后，通过使基板曝露在含有所要形成的薄膜的构成元素的反应气体的等离子体中，而在基板上形成所期望的薄膜。在PE-ALD法中，通过重复此种步骤，而在基板上产生包含于前驱物气体中的原子或分子的进行处理而得的膜。
[0003]作为实施该PE-ALD法的装置，众所周知有半批次式的成膜装置。在半批次式的成膜装置中，供给前驱物气体的区域与产生反应气体的等离子体的区域个别地设置在处理室内，通过基板依序通过这些区域而在基板上产生所期望的膜。
[0004]此种成膜装置包括载置台、喷射部、及等离子体产生部。载置台支撑基板，且能够以旋转轴线为中心而旋转。喷射部及等离子体产生部与载置台对向配置，且排列在圆周方向上。喷射部具有大致扇形的平面形状，供给前驱物气体。等离子体产生部供给反应气体，且将从沿着板状的天线的面方向而配置的波导管供给的微波从大致扇形的天线辐射，由此产生反应气体的等离子体。在喷射部的周围及等离子体产生部的周围设置有排气孔，在喷射部的周缘设置有供给冲洗气体的喷射口。另外，等离子体产生部也有时使用圆形的天线。
[0005][【背景技术】文献]
[0006][专利文献]
[0007][专利文献I]国际公开第2013/122043号
【发明内容】
[0008][发明所要解决的问题]
[0009]此外，如果使等离子体产生部中辐射微波的天线的形状为圆形，则通过圆形的天线产生的等离子体的区域成为沿着天线的形状的形状，因此，在半批次式的成膜装置中，基板通过所产生的等离子体的区域的时间会根据基板的位置(距旋转中心的距离)而不同。因此，难以对基板上实施均匀的等离子体处理。
[0010]另一方面，如果使天线的形状为扇形，则所产生的等离子体的区域成为沿着扇形的天线的形状的形状，因此，可使基板通过所产生的等离子体的区域的时间不管基板位置如何而为均匀。然而，在扇形的天线中，由于从沿着天线的面方向而配置的波导管供给微波，因此难以对天线整体均匀地供给微波。因此，难以从扇形的天线辐射均匀性高的微波，从而难以提高所产生的等离子体的均匀性。
[0011][解决问题的技术手段]
[0012]本发明所揭示的基板处理装置包括:载置台，载置被处理基板，以使所述被处理基板在所述轴线的周围移动的方式能够以轴线为中心旋转地设置；气体供给部，对通过所述载置台的旋转而相对于所述轴线在圆周方向移动的所述被处理基板依序通过的多个区域的各者供给气体；及等离子体产生部，在所述多个区域中的I个区域即等离子体产生区域中，产生供给至该等离子体产生区域的气体的等离子体；且所述等离子体产生部包括:天线，将高频波辐射至所述等离子体产生区域；及馈电部，将高频波供给至所述天线；且在构成从沿着所述轴线的方向观察所述天线的情况下的截面形状的线段，包含随着从所述轴线离开而相互远离的2个线段，所述馈电部将高频波从所述天线的重心供给至所述天线。
[0013][发明的效果]
[0014]根据所揭示的基板处理装置的I个形态而发挥如下效果，即能够将基板上的每个位置通过等离子体区域的时间的不均抑制得较低，并且可提高所产生的等离子体的均匀性。
【附图说明】
[0015]图1是概略性地表示一实施方式的基板处理装置的俯视图。
[0016]图2是表示从图1所示的基板处理装置卸除处理容器的上部的状态的俯视图。
[0017]图3是图1及图2中的基板处理装置的A-A剖视图。
[0018]图4是面向图3而为轴线X的左侧的部分的放大剖视图。
[0019]图5是面向图3而为轴线X的右侧的部分的放大剖视图。
[0020]图6是同轴波导管与天线的连接部分的放大剖视图。
[0021 ] 图7是表示慢波板的概略形状的一例的俯视图。
[0022]图8是表示槽板的概略形状的一例的俯视图。
[0023]图9是表示顶板的概略形状的一例的俯视图。
[0024]图10是表示天线整体的概略形状的一例的立体图。
[0025]图11是用以说明天线的边的角度的图。
[0026]图12是表示天线的边的角度与微波的分布的均匀性的关系的模拟结果的一例的图。
[0027]图13是表示短截线部件的插入量与微波的分布均匀性的关系的模拟结果的一例的图。
[0028]图14是用以说明天线的边的位置与基板的通过区域的关系的一例的图。
【具体实施方式】
[0029]所揭示的基板处理装置在I个实施方式中包括:载置台，载置被处理基板，以使被处理基板在轴线的周围移动的方式能够以轴线为中心旋转地设置；气体供给部，对通过载置台的旋转而相对于轴线在圆周方向上移动的被处理基板依序通过的多个区域的各者供给气体；及等离子体产生部，在多个区域中的I个区域即等离子体产生区域中，产生供给至该等离子体产生区域的气体的等离子体；且等离子体产生部包括:天线，将高频波辐射至等离子体产生区域；及馈电部，将高频波供给至天线；且在构成从沿着轴线的方向观察天线的情况下的截面形状的线段，包含随着从轴线离开而相互远离的2个线段，馈电部将高频波从天线的重心供给至天线。
[0030]另外，在所揭示的基板处理装置的I个实施方式中，从沿着轴线的方向观察天线的情况下的截面形状为具有旋转对称性的形状。
[0031]另外，在所揭示的基板处理装置的I个实施方式中，从沿着轴线的方向观察天线的情况下的截面形状为大致正三角形状。
[0032]另外，在所揭示的基板处理装置的I个实施方式中，构成从沿着轴线的方向观察的情况下的天线的截面形状的线段中所包含的2个线段的各者，长于圆板状的被处理基板的直径，天线以在从沿着轴线的方向观察的情况下载置台上的被处理基板通过2个线段内的方式设置在等离子体产生区域。
[0033]另外，在所揭示的基板处理装置的I个实施方式中，天线以在从沿着轴线的方向观察的情况下载置台上的被处理基板的中心通过2个线段的中央的方式设置在等离子体产生区域。
[0034]另外，在所揭示的基板处理装置的I个实施方式中，等离子体产生部还包括插入至馈电部且能够控制插入量的短截线。
[0035]另外，在所揭示的基板处理装置的I个实施方式中，构成从沿着轴线的方向观察的情况下的天线的截面形状的线段中所包含的2个线段，以具有特定半径的圆的一部分即曲线连接。
[0036]另外，所揭示的基板处理装置的I个实施方式中，对于从沿着轴线的方向观察天线的情况下的截面形状，于在使构成该截面形状的3个边分别延长的情况下所形成的大致正三角形的3个内角中，I个内角为60度±1度的范围内，其他2个内角分别为60度±0.5度的范围内。
[0037]另外，所揭示的基板处理装置的I个实施方式中，高频波是微波。
[0038]另外，所揭示的基板处理装置的I个实施方式中，馈电部是同轴波导管。
[0039]另外，所揭示的基板处理装置的I个实施方式中，天线包括:第一介电体；槽板，设置在第一介电体上，且连接同轴波导管的内导体；第二介电体，设置在槽板上；以及冷却板，设置在第二介电体上，且具有用以使冷却介质在内部流通的流路。且在槽板上，具有2个槽的槽对以在从沿着轴线的方向观察的情况下以同轴波导管的内导体所连接的位置为中心而排列为半径不同的同心圆状的方式形成有多个，多个槽对以在从沿着轴线的方向观察的情况下成为旋转对称的方式形成在槽板上。
[0040]另外，基板处理装置在I个实施方式中，还包括按压部，所述按压部设置在连接同轴波导管侧的天线的表面上，且将冷却板按压在第二介电体；冷却板、第二介电体、槽板以及第一介