一种晶圆测试数据分析方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体制程，尤指一种晶圆测试数据分析方法。
【背景技术】
[0002]在晶圆测试的过程中，被测元件的良率除了被测元件(device under test, DUT)的制程本身的问题外，也包含了其他的因素，例如测试机的问题，即测试机台的探针未正确校正，或测试机台的程式并未以正确的测试参数为基础，皆会影响被测元件的良率，惟上述晶圆测试的品管流程无法分析被测元件不合格的问题为制程本身或测试机台所致，便无法正确地解决被测元件不合格的问题，且合格被测元件的测试资料同样无记录可循，若最终产品有需要校正的话，便无法提供校正的相关数据。
【发明内容】
[0003]本发明的主要目的，在于解决上述的问题而提供一种晶圆测试数据分析方法，由擷取晶圆的各被测元件的不同参数后，能在三维空间坐标中依被测元件对应的坐标点X、Y以及参数的数据为坐标点Z绘成立体晶圆实体位置分布图(Parameter Locat1n Map)和立体长条图(Bin_bar_Map)，此立体晶圆实体位置分布图(Parameter Locat1n Map)和立体长条图(Bin_bar_Map)可依需求显现欲知项目的分析结果，而有利于后续的分析及应用。
[0004]为达前述的目的，本发明包括:
[0005]取得参数:将测试的晶圆分成多个被测元件，对该多个被测元件进行电性测试，并擷取各该被测元件于不同的参数下测得的数据；
[0006]筛选分析参数:依据欲分析的结果为需求，在前述不同的参数中筛选出特定参数；
[0007]绘制立体晶圆实体位置分布图(Parameter Locat1n Map)和立体长条图(Bin_bar_Map):定义一三维空间座标坐标，包括代表第一参数的X座标坐标轴、代表第二参数的Y座标坐标轴以及代表第三参数之Z座标坐标轴，该三维空间座标坐标中以多个座标坐标点X、Y、Z产生三维柱状之的立体化图形之的立体晶圆实体位置分布图(ParameterLocat1n Map)和立体长条图(Bin_bar_Map)。
[0008]本发明的上述及其他目的与优点，不难从下述所选用实施例的详细说明与附图中，获得深入了解。
[0009]当然，本发明在某些另件上，或另件的安排上容许有所不同，但所选用的实施例，则于本说明书中，予以详细说明，并于附图中展示其构造。
【附图说明】
[0010]图1为本发明的被测元件在电性测试时产生的频率为参数的立体晶圆实体位置分布图(Parameter Locat1n Map) Paloc_Map。
[0011]图2为本发明的被测元件在校正后电性测试时产生的频率为参数的立体晶圆实体位置分布图(Parameter Locat1n Map) Paloc_Map。
[0012]图3为本发明的被测元件在电性测试时产生的电流为参数的立体晶圆实体位置分布图(Parameter Locat1n Map) Paloc_Map。
[0013]图4为本发明的被测元件在电性测试时于同一坐标X、Y的被测元件未通过测试者的累计数量的立体晶圆实体位置分布图(Parameter Locat1n Map)
[0014]Paloc_Map。
[0015]图5为本发明的被测元件在电性测试时于同一坐标X、Y的被测元件通过测试者的累计数量的立体晶圆实体位置分布图。
[0016]图6为本发明的多个晶圆以一特定的分级条件绘成的立体长条图(Bin_bar_Map) ο
[0017]图7为本发明的多个晶圆以多个特定的分级条件绘成的立体长条图(Bin_bar_Map) ο
[0018]图8为本发明的多个晶圆以多个特定的分级条件及分组的组别绘成的立体长条图(Bin_bar_Map)。
【具体实施方式】
[0019]请参阅图1至图8，图中所示者为本发明所选用的实施例，此仅供说明之用，在专利申请上并不受此种实施例的限制。
[0020]本实施例提供一种晶圆测试数据分析方法，其包括:
[0021]取得参数:将测试的晶圆分成多个被测元件，对该多个被测元件进行电性测试，并擷取各该被测元件于不同的参数下测得的数据；
[0022]筛选分析参数:依据欲分析的结果为需求，在前述不同的参数中筛选出特定参数；
[0023]绘制立体晶圆实体位置分布图(Parameter Locat1n Map)和立体长条图(Bin_bar_Map):定义一三维空间坐标，包括代表第一参数的X坐标轴、代表第二参数的Y坐标轴以及代表第三参数的Z坐标轴，该三维空间坐标中以多个坐标点X、Y、Z产生三维柱状的立体化图形的立体晶圆实体位置分布图(Parameter Locat1n Map)和立体长条图(Bin_bar_Map) ο
[0024]于本实施例中，该三维空间坐标为透过电脑装置将各该被测元件依晶圆的位置以及一特定参数的数据转换，其中该X、Y坐标轴为横坐标，该Z坐标轴为纵坐标，以横坐标定义各该被测元件的坐标点X、Y，且以纵坐标定义该特定参数的数据为坐标点Z，于三维空间坐标中依该多个被测元件个别对应的坐标点X、Y、Z产生该立体晶圆实体位置分布图(Parameter Locat1n Map)和立体长条图(Bin_bar_Map)。
[0025]如图1所示，为一种依上述晶圆测试数据分析方法所制成的立体晶圆实体位置分布图，其以单一晶圆为测试对象，图中可见晶圆的各被测元件皆被定义一坐标点X、Y，且于此立体晶圆实体位置分布图中，该参数以各被测元件于电性测试时产生的频率为例，而各该被测元件于电性测试时产生的频率的数据即为各坐标点Z。由图1所示的立体晶圆实体位置分布图，可迅速且清楚的得知，测试的晶圆的各被测元件于电性测试时产生的频率有高低落差，在制程中有校正的必要。又如图2所示的立体晶圆实体位置分布图，经制程校正后，各该被测元件于电性测试时产生的频率的数据，亦可迅速且清楚的得知，测试的晶圆的各被测元件于电性测试时产生的频率已相当接近。
[0026]如图3所示，为另一种依上述晶