一种芯片级封装led的封装方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED封装，尤其是芯片级封装白光LED的封装方法。
【背景技术】
[0002]基于倒装晶片的新型的芯片级封装LED (CSP LED ；Chip Scale
Package LED)，是在芯片底面设有电极，直接在芯片的上表面和侧面封装上封装胶体，使底面的电极外露，由于这种封装结构并无支架或基板，可降低了封装成本。现有的芯片级封装LED通常是采取五面发光，即LED的顶面和四个侧面均能发光，该种LED的封装工艺相对比较简单。随着人们对产品出光的角度、一致性等要求的提高，目前的芯片级封装LED结构已经满足不了人们的需求，人们渴望具有单面发光的芯片级封装LED的出现。如中国专利，公开号为104112810开一种芯片级封装LED的封装结构，包括底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，所述封装胶体的如下部位中的至少一个部位设置有反射面:底部和侧面。所述反射面是自封装胶体的底部延伸至侧面的反射曲面或反射平面。该技术通过在自封装胶体的底面和侧面喷涂一层反射层来提高光萃效率和调整出光角度并形成单面出光。虽然上述技术也能做到产品的单面出光，但是其封装工艺比较复杂，用于挡光的反射面是通过喷涂形成的，这样只能针对单颗LED所实施的工艺，大批量生产时，其工艺所消耗的人力物力无疑是巨大的，不适合规模化生产。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种芯片级封装LED的封装方法，工艺简单，便于实现规模化生产。
[0004]为解决上述技术问题，本发明的技术方案是:一种芯片级封装LED的封装方法，包括以下步骤:
(1)在载板上设置一层用于固定LED芯片位置的固定膜；
(2)在所述固定膜表面分布若干LED芯片，且所述LED芯片呈阵列分布，相邻LED芯片之间留有间隙；LED芯片的底面设有电极，LED芯片的底面与固定膜相贴；
(3)在LED芯片阵列上覆盖一层挡光胶，挡光胶能够将每颗LED芯片完全覆盖；
(4)挡光胶固化后，研磨去除挡光胶的表层，使LED芯片的顶面能够裸露；
(5)在挡光胶层顶面和LED芯片顶面上覆盖一层荧光胶层；
(6)沿相邻LED芯片之间的间隙进行切割，切割的深度至固定膜，使荧光胶层和挡光胶层能够被切断；
(7)将单个LED芯片分离。
[0005]通过本发明的工艺，可以同时制作出多颗单面发光的LED，对于出光要求较高的产品可以使用单面发光的LED作为光源。
[0006]作为改进，所述步骤(7)的具体步骤为:
(I)将固定膜、LED芯片、挡光胶和荧光胶成为整体与载板分离； (2)将LED芯片、挡光胶和荧光胶成为整体与固定膜分离。
[0007]作为改进，所述载板为透明板，所述载板为玻璃板。
[0008]作为改进，所述固定膜为UV双面胶带膜或热分离胶带膜。
[0009]作为改进，所述挡光胶通过涂刷方式覆盖在LED芯片阵列上。
[0010]作为改进，所述荧光胶通过模造或粘贴形式覆盖在挡光胶层和LED芯片顶面上。
[0011]作为改进，相邻LED芯片之间的间隙距离相等。
[0012]作为改进，荧光胶层上设有一层透明胶层。
[0013]本发明与现有技术相比所带来的有益效果是:
本发明通过对多个LED芯片进行固定、相邻LED芯片间隙内刷入挡光胶进而在LED芯片四周侧面形成挡光层、最后将多颗LED芯片进行分离的封装工艺，可以同时制作出多颗单面发光的LED。
【附图说明】
[0014]图1为本发明工艺流程图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合说明书附图对本发明作进一步说明。
[0016]实施例1
如图1所示，一种芯片级封装白光LED的封装方法，包括以下步骤:
(1)在载板I上设置一层用于固定LED芯片4位置的固定膜2;本实施例的固定膜2为UV双面胶带膜，载板I为玻璃板；UV双面胶带膜可以直接通过粘贴方式固定在玻璃板的一面上，然后可以通过照射玻璃板的另一面使UV双面胶带膜与玻璃板分离；
(2)在所述UV双面胶带膜表面分布若干LED芯片4，LED芯片4的数量可以根据玻璃板的大小而设，或者根据生产需求而设计，所述LED芯片4呈阵列分布，相邻LED芯片4之间留有用于切割的间隙，每条间隙的宽度一致，确保切割后每颗LED的一致性；LED芯片4为倒装芯片，其底面设有电极6，LED芯片4的底面与UV双面胶带膜的另一面相贴，通过UV双面胶带膜的粘性将LED芯片4固定住；
(3)在LED芯片4阵列上覆盖一层挡光胶3，覆盖的方式有很多种，可以是通过涂刷方式，或者是点胶式，或者是倒入式，总而言之，挡光胶3会将相邻LED芯片4之间的间隙填充满，最好是挡光胶3能够将每颗LED芯片4完全覆盖，这样就能够确保挡光胶3能够完全将LED芯片4的侧面挡住，但是会在LED芯片4的顶面覆盖一层薄薄的挡光胶3 ;
(4)挡光胶3固化后，通过研磨机将固化的挡光胶层磨平，并且研磨去除LED芯片4顶面的挡光胶薄层，为了防止研磨过程中，LED芯片4因研磨而出现的刮痕，在利用研磨机将固化的挡光胶层磨平后，对研磨后挡光胶层以及LED芯片4进行抛光处理，这样就能确保每颗LED芯片4的顶面能够裸露，作为发光面；
(5)在挡光胶层顶面和LED芯片4顶面上覆盖一层荧光胶层5，所述荧光胶层5通过模造成型，荧光胶层5的厚度一致；
(6)在荧光胶层5上铺设一层透明胶层6，荧光胶层的厚度为30-50微米，透明胶层的厚度为80-130微米；透明胶层与荧光胶层可以是一体的也可以是通过分层喷涂形成；由于荧光胶层上设有透明胶层，从而能使得荧光胶层变得更加薄，能提高出光效果；
(7)沿相邻LED芯片4之间的间隙进行切割，切割的位置位于间隙的中间位置，确保切割后每颗LED都是一致的；另外，切割的深