导电体及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及含有银纳米线的透明导电膜与金属膜之间的密合性。
【背景技术】
[0002] 专利文献1中公开了在基板上形成有银纳米线透明导电膜的导电体。
[0003] 然而，银纳米线被分散在透明导电膜内（专利文献1 [0053]、[0054]、[0103]、 [0104]等）。如此，为了确保分散性，银纳米线被保持在透明树脂内，透明导电膜的表面实 质上成为有机膜。
[0004] 因此，产生了如下问题；在透明导电膜上进行金属膜的成膜时，透明导电膜与金属 膜之间的密合性不足，金属膜容易剥离。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1 ;日本特开2010-507199号公报
【发明内容】
[000引发明所要解决的课题
[0009] 本发明旨在解决上述现有的课题，目的尤其在于提供能够提高透明导电膜与金属 膜之间的密合性的导电体及其制造方法。
[0010] 用于解决课题的手段
[0011] 本发明的导电体的特征在于，具有：
[0012] 基材、
[0013] 形成于上述基材上的含有银纳米线的透明导电膜、和
[0014]W至少一部分重叠在上述透明导电膜上的方式形成的金属膜，
[0015] 在上述透明导电膜与上述金属膜重叠的部分具有缓冲膜，所述缓冲膜对上述透明 导电膜和上述金属膜均具有密合性，并且不阻碍上述透明导电膜和上述金属膜之间的导 通。
[0016] 另外，本发明的导电体的制造方法的特征在于，具有：
[0017] 在形成于基材上的含有银纳米线的透明导电膜上形成缓冲膜的工序，所述缓冲膜 具有与上述透明导电膜的密合性和与在下一工序中形成的金属膜的密合性，并且不阻碍上 述透明导电膜和上述金属膜之间的导通；和
[0018] 在上述缓冲膜上形成上述金属膜的至少一部分的工序。
[0019] 根据本发明，通过使与透明导电膜和金属膜均具有密合性且不阻碍透明导电膜和 金属膜之间的导通的缓冲膜介于透明导电膜和金属膜之间，可W维持透明导电膜和金属膜 之间的良好导通性并且使密合性提高。
[0020] 另外，本发明中，上述缓冲膜优选由透明金属氧化物形成。上述透明金属氧化物优 选为ITO。由此，可W有效提高透明导电膜和金属膜之间的密合性。
[0021] 另外，本发明中，优选在对上述透明导电膜的上表面进行逆瓣射后，在上述上表面 形成上述缓冲膜。目P，优选上述透明导电膜的上表面为逆瓣射面，上述缓冲膜形成于上述逆 瓣射面上。由此，可W更有效地提高透明导电膜和金属膜之间的密合性。
[0022] 或者，本发明中，上述缓冲膜优选为具备可分别与上述透明导电膜和上述金属膜 键合的官能团的有机物。此时，上述有机物优选为具有烷氧基和琉基或者具有烷氧基和叠 氮基的=嗦化合物。
[0023] 另外，上述=嗦化合物优选为化学式5或化学式6所示的结构。
[0024][化学式引
[0025]
[002引由此，可W有效提高透明导电膜和金属膜之间的密合性。
[0029] 另外，本发明中，优选对上述缓冲膜实施热处理工序。由此，可W更有效地提高透 明导电膜和金属膜之间的密合性。
[0030] 发明效果
[0031] 根据本发明，通过使与透明导电膜和金属膜均具有密合性且不阻碍透明导电膜和 金属膜之间的导通的缓冲膜介于透明导电膜和金属膜之间，可W维持透明导电膜和金属膜 之间的良好导通性并且使密合性提高。
【附图说明】
[003引图1(a)化）是本实施方式中的导电体的纵截面图，图1(c)是将导电体的一部分放 大显示的示意图。
[0033] 图2是表示本实施方式中的导电体的制造方法的一个工序图（纵截面图）。
[0034] 图3是图2之后进行的一个工序图（纵截面图）。
[0035] 图4是图3之后进行的一个工序图（纵截面图）。
[0036] 图5是图4之后进行的一个工序图（纵截面图）。
[0037] 图6是图5之后进行的一个工序图（纵截面图）。
【具体实施方式】
[003引图1(a)是本实施方式中的导电体的纵截面图。
[0039]图1 (a)所示的导电体1的构成具有逸明基材2;在透明基材2的上表面2a形成 的透明导电膜3;形成于透明导电膜3上的缓冲膜4;和形成于缓冲膜4上的金属膜5。
[0040] 导电体1既可W是具备可提性的膜状，也可W是刚性高的板状、面板状。
[0041] 需要说明的是，在该说明书中，"透明"、"透光性"是指可见光透光率为50%W上 (优选为80 %W上）的状态。
[0042] 图1(a)中，透明导电膜3在透明基材2上被图案化形成为透明电极形状。透明导 电膜3既可W如图1 (a)那样被图案化而局部地形成在透明基材2上，也可W形成于透明基 材2的整个上表面2a。另外，在图1(a)所示的纵截面的位置，各透明导电膜3呈现分离的 状态，而在未图示的位置可W形成一体地、或者经由其它导电膜进行电连接的形态。
[0043] 图1(a)所示的导电体1的用途没有限定。例如导电体1可用作输入显示装置的 一部分。例如在导电体1的下方配置液晶显示器等，图1(a)所示的透明导电膜3之中未配 置金属膜5的中央部分为输入显示部分。由此，位于中央部分的透明导电膜3是用于使与 例如手指等操作体之间产生静电容量变化的透明电极。另外，位于图1(a)的两侧部分的在 透明导电膜3上重叠有金属膜5的部分是非显示区域，例如构成与中央部分的透明电极电 连接的配线部。
[0044] 也可W设成在图1(a)所示的导电体1的表面隔着未图示的透明粘接层配置有显 示面板的形态。另外，也可W将图1(a)所示的透明基材2的下表面侧设为输入操作面。
[0045] 图1 (a)所示的透明基材2由聚对苯二甲酸己二醇醋牌T)等膜状的透明基材、玻 璃基材等形成。透明基材2的材质没有特别限定。另外，图1(a)中虽然使用了透明基材2， 但是也可W使用非透明的、例如半透明的基材。
[0046] 图1(a)所示的透明导电膜3是含有银纳米线的透明导电膜。如图1(c)所示，银 纳米线6是由银或银合金构成的线状结构体。如图1(c)所示，银纳米线6分散存在于透明 的树脂层7中，由于银纳米线6彼此W其一部分进行接触，因而保持了面内的导电性。
[0047] 如图1(C)所示，银纳米线6被分散在透明的树脂层7中。通过树脂层7确保了银 纳米线6的分散性。对树脂层7的材质没有特别限定，例如树脂层7为聚醋树脂、丙締酸类 树脂、聚氨醋树脂等。
[0048] 如图1(a)所示，透明导电膜3之中，在位于透明基材2的两侧部分的透明导电膜 3上隔着缓冲膜4形成有金属膜5。缓冲膜4与透明导电膜3和金属膜5均具有密合性，其 是不阻碍透明导电膜3和金属膜5之间的导通的中间膜。
[0049] 金属膜5例如为化膜。缓冲膜4尤其能够提高该金属膜5和含有银纳米线的透 明导电膜3之间的密合性。需要说明的是，对金属膜5的材质没有特别限定，除化W外还 可!^选择41、43、411、化等。
[0050] 图1(a)中，仅在透明导电膜3和金属膜5之间设置了缓冲膜4,但是也可W如图 1化）所示，缓冲膜4残留于不重叠金属膜5的透明导电膜3的上表面。根据后述的制造方 法，能够经由蚀刻工序将不重叠金属膜5的缓冲膜4的部分除去，或者也可W通过所使用的 蚀刻液等蚀刻条件使未重叠有金属膜5的部分的缓冲膜4残留于透明导电膜3的上表面。 此时，缓冲膜4是非常薄的透明膜，因此即便缓冲膜4残留在透明导电膜3上，也可W确保 良好的透光性。
[0化1] 缓冲膜4优选为透明金属氧化物。透明金属氧化物可W使用ITO(IndiumTin Oxide)、化0、Sn化等无机透明导电材料，其中特别优选选择ITO。由此，可W有