用于提供一预定白度的发光结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光结构，尤其涉及一种用于提升具有不同波长芯片的多个发光二极管之间的混光效果的发光结构。
【背景技术】
[0002]一般而言，当物体表面对可见光谱内所有波长的反射比都在80%以上时，可认为该物体的表面为白色，然而现行白色衣物多经漂白和荧光增白处理，其对较短波波长的光源可进行较有效光能量的转换后，能产生较白且较为明亮的视觉效果，所以一个能提供可预期或可调整高白度的光源是市场上极为迫切需求的。
【发明内容】
[0003]本发明实施例提供一种可提供一预定白度的发光结构，其包括:一基板及一发光单元。所述基板具有至少一呈蜿蜒状的第一导电轨迹及至少一呈蜿蜒状的第二导电轨迹，其中多个第一发光群组及多个第二发光群组分别相互交替间隔排列于所述第一导电轨迹及第二导电轨迹上；其中，所述第一发光群组与第二发光群组所包含发光二极管芯片分别具有不同之波长；其中，当预定所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片具有相近的出光总面积时，通过所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片的电流量的比值较佳为1:2?1:4 ;其中，当预定通过所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片的电流量相同时，所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片的发光面积的比值较佳为0.8:2?0.8:4。
[0004]本发明实施例还公开一种用于提供一预定白度的发光结构，所述发光结构包括:一基板；以及一发光单元，所述发光单元包括多个设置在所述基板上的第一发光群组及多个设置在所述基板上的第二发光群组，其中每一个所述第一发光群组包括一或多个第一发光二极管芯片，每一个所述第二发光群组包括一或多个第二发光二极管芯片；其中，多个所述第一芯片置放区域及多个所述第二芯片置放区域相互交替间隔排列，使得多个所述第一发光群组及多个所述第二发光群组相互交替间隔排列；其中，所述第一发光二极管芯片所产生的光源具有一第一预定波长，所述第二发光二极管芯片所产生的光源具有一第二预定波长，所述第二预定波长大于所述第一预定波长；其中，多个所述第一发光群组所产生的白色光源及多个所述第二发光群组所产生的白色光源相互混光后所产生的光谱，计算所得白度值需落于I?2.5之间；针对两种不同的高、低色温，其计算CIE白度值的公式分别为:
[0005]W = [Y+800 (xO-x) +1700 (yO-y) ] /K ?’及
[0006]W = [Y+810(xO-x)+1700(yO-y)]/K ；
[0007]其中，W为CIE白度值，Y为所述发光单元测得光谱经计算所得的Y刺激值(Y-tristimulus value)，(x0, y0)为参考光源在CIE色度座标图中的一特定座标值，(x, y)为所述发光单元测得光谱经计算所得的CIE座标值，且K为常数。
[0008]本发明实施例还公开一种用于提供一预定白度的发光结构，所述发光结构包括:一基板，所述基板具有至少一呈蜿蜒状的第一导电轨迹及至少一呈蜿蜒状的第二导电轨迹；多个波长介于400nm至420nm之间的第一发光二极管芯片，设置在第一导电轨迹上；以及多个波长大于第一发光二极管芯片的第二发光二极管芯片，设置在第二导电轨迹上；其中，所述第一导电轨迹及所述第二导电轨迹呈现相互交替间隔排列设置；其中，当预定所述多个第一发光二极管芯片与所述多个第二发光二极管芯片具有相近的出光总面积时，通过所述第一发光二极管芯片电流量小于所述第二发光二极管芯片电流量；其中，当预定通过所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片的电流量相近时，所述第一发光二极管芯片的表面积小于所述第二发光二极管芯片的表面积。
[0009]本发明的有益效果可以在于，其可通过“多个第一发光群组及多个第二发光群组分别相互交替间隔排列于所述第一导电轨迹及第二导电轨迹上”的设计，以提升其混光效果。另外，还可分别借由“先期表面积比值设计配置”或“后期电流量比值的调整”，使得本发明的发光结构能够依据不同的需求而提供所需的白度。
[0010]为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。
【附图说明】
[0011]图1为本发明的发光结构的发光二极管芯片采用第一种正负焊垫布局设计的上视示意图。
[0012]图2为本发明的发光结构的发光二极管芯片采用第二种正负焊垫布局设计的上视示意图。
[0013]图3为本发明的发光结构的发光二极管芯片采用第三种正负焊垫布局设计的上视示意图。
[0014]图4为本发明的多个第一、二发光二极管芯片呈现近圆形布局排列的上视示意图。
[0015]图5为本发明的第一、二芯片置放线路呈现类似直立状设计且多个第一、二发光二极管芯片呈现近圆形布局排列的上视示意图。
[0016]图6为本发明的发光结构使用空气层作为热阻结构的部分侧视剖面示意图。
[0017]图7为本发明的发光结构使用高热阻材料层作为热阻结构的部分侧视剖面示意图。
[0018]图8至图14为本发明发光结构分别搭配不同散热设计的侧视剖面示意图。
[0019]主要元件及标号:
[0020]基板I
[0021]第一导电轨迹11
[0022]第一芯片置放区域110
[0023]第一芯片置放线路1100
[0024]第二导电轨迹12
[0025]第二芯片置放区域120
[0026]第二芯片置放线路1200
[0027]第一正电极焊垫Pl
[0028]第一负电极焊垫NI
[0029]第一齐纳二极管Zl
[0030]第二正电极焊垫P2
[0031]第二负电极焊垫N2
[0032]第二齐纳二极管Z2
[0033]容置槽13
[0034]吸光涂层14
[0035]空气层15
[0036]高热阻材料层15’
[0037]导热结构单元IA
[0038]第一散热结构IlA
[0039]第二散热结构12A
[0040]均热结构单元IB
[0041]导热通道1B
[0042]穿孔100B
[0043]导热材料1lB
[0044]复合式散热结构层IAB
[0045]发光单元2
[0046]第一发光群组Gl
[0047]第一LED 元件21
[0048]第一发光二极管芯片210、210’
[0049]正极焊垫21P
[0050]负极焊垫210N
[0051]第二发光群组G2
[0052]第二LED 元件22
[0053]第二发光二极管芯片220、220’
[0054]正极焊垫220P
[0055]负极焊垫220N
[0056]排列间距d
[0057]电子零件3
[0058]正圆轨迹T
[0059]散热区域X、Y、Z
[0060]间距A、B、C
[0061]体积密度D1、D2、D3
[0062]尺寸S1、S2、S3
[0063]第一预定方向Wl
[0064]第二预定方向W2
【具体实施方式】
[0065]以下借由特定的具体实例说明本发明所公开“用于提供一预定白度的发光结构”的实施方式，本领域普通技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易了解本发明的其他优点与功效。本发明亦可借由其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。又本发明的附图仅为简单说明，并非依实际尺寸描绘，亦即未反应出相关构成的实际尺寸，先予叙明。以下的实施方式进一步详细说明本发明的相关技术内容，但并非用以限制本发明的技术范畴。
[0066]请参阅图1至图3所示，本发明的基本结构为发光单元2(待测物)的多个第一发光群组Gl与多个第二发光群组G2采交错排列设计，其中每一个第一发光群组Gl包括一或多个第一发光二极管芯片210，每一个第二发光群组G2包括一或多个第二发光二极管芯片220，多个第一发光二极管芯片210所使用的数量与多个第二发光二极管芯片220所使用的数量可以是相同的或是相近的。
[0067]举例来说，第一发光二极管芯片210可属于短波长的蓝色发光二极管芯片(deepblue LED chip)，其所产生的光源的第一预定波可大致介于400nm至420nm之间；第二发光二极管芯片220可属于长波长的蓝色发光二极管芯片芯片(normal blue LED chip)，其所产生的光源的第二预定波