层叠基板的加工方法

文档序号:9262165阅读:487来源:国知局
层叠基板的加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及将第二基板经由粘接层粘贴在第一基板上而成的层叠晶片分割为一个个芯片的层叠基板的加工方法。
【背景技术】
[0002]例如,在加速度传感器或压力传感器等MEMS (Micro Electro MechanicalSystems:微机电系统)器件的制造工艺中,形成有这样的器件晶片(第一基板):在由形成于晶片上的多条间隔道(分割预定线)划分出的各区域中配设有MEMS器件。然后,利用例如日本特开2008-307646号公报所公开的切削装置沿着间隔道切削并分割晶片,由此制造出一个个MEMS器件。
[0003]在许多MEMS器件上配设有用于保护MEMS结构的被称作盖(cap)的保护罩。配设有这样的保护罩的MEMS器件以下述方式进行制造:在将器件晶片(第一基板)与罩板(第二基板)贴合在一起形成层叠晶片(层叠基板)之后,沿着间隔道对层叠晶片进行分割。
[0004]在利用切削刀具对在第一基板上经由粘接层粘贴第二基板而成的层叠基板进行分割的情况下,在层叠基板的第一基板上粘贴切割带,经由切割带将层叠基板抽吸保持在切削装置的卡盘工作台上,然后使切削刀具从第二基板侧切入,将层叠基板分割为一个个芯片(例如参照日本特开2006-228816号公报)。
[0005]专利文献1:日本特开2008-307646号公报
[0006]专利文献2:日本特开2006-228816号公报
[0007]可是,在用切削刀具切削层叠基板来将其分割为一个个芯片的情况下,如果粘接层的粘接力不充分,则存在第一基板会从粘接层剥离这样的问题。如果第一基板在要切削去除的间隔道之外的区域中剥离,则该区域的芯片会变得不良,因此,希望进行改善。

【发明内容】

[0008]本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种能够与被加工物无关地改善由于第一基板的剥离所导致的芯片不良的层叠基板的加工方法。
[0009]根据本发明,提供一种层叠基板的加工方法,在所述层叠基板中,第二基板经由粘接层粘贴在第一基板上,并且在所述层叠基板上设有多条具有规定的宽度的间隔道,所述层叠基板的加工方法的特征在于,所述层叠基板的加工方法包括:激光加工槽形成步骤,从该第二基板侧沿着该间隔道照射对于该层叠基板具有吸收性的波长的激光束,在该间隔道的宽度内的两侧分别形成到达该第一基板的一对激光加工槽;和切削步骤,在实施了该激光加工槽形成步骤后,利用不超出该一对激光加工槽的宽度的切削刀具,对在该间隔道内被该一对激光加工槽夹着的区域进行切削。
[0010]在本发明的激光加工槽形成步骤中,由于通过照射激光束而形成到达第一基板的激光加工槽,因此,在层叠基板上不会作用物理负载。因此,即使是粘接层的粘接力不充分的层叠基板,也不会发生剥离。
[0011]另一方面,通过照射激光束而能够形成的激光加工槽的深度存在极限,在层叠基板较厚的情况下,需要照射多个通路的激光束,因此,如果想要仅利用激光加工来完全切断层叠基板,则生产率非常低。
[0012]在本申请发明中,在间隔道内的两侧形成一对激光加工槽,利用切削刀具对一对激光加工槽之间的区域进行切削,将层叠基板完全切断而分割为芯片,或者在对层叠基板进行不完全切断之后将其分割为芯片。因此,不会使生产率降低,能够进行加工而不会在间隔道之外的区域上发生第一基板的剥离,从而能够改善由于第一基板的剥离而导致的芯片不良。
【附图说明】
[0013]图1是层叠基板的剖视图。
[0014]图2是示出激光加工槽形成步骤的立体图。
[0015]图3是激光束产生单元的框图。
[0016]图4是示出激光加工槽形成步骤的剖视图。
[0017]图5的㈧是示出切削步骤的第I实施方式的剖视图,图5的⑶是示出切削步骤的第2实施方式的剖视图。
[0018]图6的(A)是通过第I实施方式的切削步骤分割后的芯片的剖视图,图6的(B)是在切削时间隔道内的第一基板飞散的情况下的剖视图。
[0019]图7是示出基于磨削的分割步骤的局部剖面侧视图。
[0020]图8是示出基于带扩展的分割步骤的剖视图。
[0021]标号说明
[0022]10:层置基板;
[0023]12:第一基板;
[0024]13:间隔道;
[0025]14:第二基板;
[0026]15:器件;
[0027]16:粘接层;
[0028]17:激光加工槽;
[0029]18:激光束照射单元;
[0030]19,23:切削槽;
[0031]20:激光束产生单元;
[0032]21、21A、21B:芯片;
[0033]22:聚光器;
[0034]24:摄像单元;
[0035]36:切削刀具;
[0036]44:磨削轮;
[0037]48:磨具;
[0038]52:分割装置;
[0039]54:框架保持单元;
[0040]56:扩张滚筒。
【具体实施方式】
[0041]下面,参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。参照图1,示出了层叠基板10的剖视图。层叠基板10是第二基板14经由粘接层16粘贴在第一基板12上而构成。作为层叠基板10的一个例子,通过在形成有多个器件的器件晶片上粘贴由Si构成的罩基板而构成。
[0042]参照图2,示出了表示激光加工槽形成步骤的立体图。在第一基板12的表面12a上,在由形成为格子状的多条间隔道(分割预定线)13划分出的各区域中形成有器件15。
[0043]激光加工装置的激光束照射单元18包括:收纳于壳体20中的图3所示的激光束产生单元20 ;和将由激光束产生单元20产生的激光束聚光后照射至层叠基板10的聚光器22。
[0044]在激光束照射单元18的壳体20上安装有摄像单元24。摄像单元24除了包含借助于可视光线进行拍摄的通常的CCD等摄像元件外,还包含对层叠基板10照射红外线的红外线照射构件和输出与红外线相对应的电信号的红外线CCD等红外线摄像元件,摄像单元24将所拍摄的图像信号发送至未图示的控制构件。
[0045]如图3所示,激光束产生单元20包括:由YAG脉冲激光器或YV04脉冲激光器等构成的激光振荡器26 ;重复频率设定构件28 ;脉冲宽度调整构件30 ;和功率调整构件32。由激光振荡器26振荡出的脉冲激光束被功率调整构件32调整为规定的功率后从聚光器22照射至层叠基板10。
[0046]再次参照图2,层叠基板10的第一基板12被抽吸保持在激光加工装置的未图示的卡盘工作台上。在本发明的实施方式的层叠基板的加工方法中,在实施激光加工槽形成步骤之前,实施用于检测待进行激光加工的间隔道13的校准步骤。
[0047]在该校准步骤中,利用摄像单元24的红外线摄像元件透过第二基板14对第一基板12的表面12a进行摄像,使待进行激光加工的间隔道13与集光器22沿X轴方向排列。
[0048]在实施校准步骤后,从激光束照射单元18的聚光器22沿着间隔道13从第二基板14侧照射对于层叠基板10具有吸收性的波长的激光
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