用于分离芯片的设备和方法
【专利说明】用于分离芯片的设备和方法
[0001]相关申请
[0002]本发明主张2014年4月I日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0038657号韩国专利申请的权益，所述申请的揭示内容通过引用全部并入本文中。
技术领域
[0003]本发明一个或多个示例性实施例涉及用于分离芯片的设备和方法，并且更具体来说，涉及用于分离附接到胶带的半导体芯片以便将所述半导体芯片供应以及安装在封装或电路板上的设备和方法。
【背景技术】
[0004]在晶片上形成的半导体芯片附接到薄胶粘带且传递到下一过程。
[0005]图1图示待供应的附接到胶带T的半导体芯片C的实例。其上形成有多个半导体芯片的晶片附接到薄胶带且锯切成个别的半导体芯片。在锯切之后，当通过对胶带T施加张力来均匀地拉动胶带T时，多个半导体芯片C以预先确定的距离附接到胶带T，如图1中所图示。
[0006]如图1中所图示，附接到胶带T的多个半导体芯片C依次逐个地与胶带T分离且附接到电路板。近来，正制造此类具有非常薄的厚度的半导体芯片C。如果半导体芯片C是较薄的，那么在使半导体芯片C与胶带T分离时，半导体芯片C可能容易受到损害。具体来说，如果半导体C的面积与其厚度相比相对较大，那么当使半导体芯片C与胶带T分离时，由于胶带T与半导体芯片C之间的粘附力，半导体芯片C可能容易受到损害。根据相关技术，胶带T是固定的且通过使用插针被从其下部部分向上推动，以便由此使半导体芯片C的边界与胶带T分离。随后使用拾取头提升其边界与胶带T分离的半导体芯片C且将其附接到电路板。当通过使用如上文所描述的插针向上推动胶带T时，半导体芯片C由于插针对半导体芯片C的撞击而受到损害。并且，如果半导体芯片C的面积与其厚度相比相对较大，如上文所描述，那么即使通过使用插针向上推动胶带T，胶带T可能发生弹性变形或被撕破，半导体芯片C也可能不与胶带T分离。
【发明内容】
[0007]本发明一个或多个示例性实施例包含用于分离芯片的设备和方法，其中可以有效地使半导体芯片与胶带分离同时使施加到半导体芯片的撞击最小化。
[0008]另外的方面将部分在以下描述中得到阐述，并且部分地，将从所述描述中显而易见，或者可以通过对所呈现的实施例的实施得知。
[0009]根据一个或多个示例性实施例，用于分离粘附到薄胶带的半导体芯片的芯片分离设备包含:推出盖，其包括支撑主体，所述支撑主体支撑将与半导体芯片分离的沿着半导体芯片的外周的胶带的底部表面，吸附孔，所述吸附孔在支撑主体的顶部表面中形成以便吸附接触支撑主体的胶带的底部表面的一部分，以及推孔，所述推孔经形成以竖直地穿过支撑主体的顶部表面的中心部分；提升部件，其包括提升主体，所述提升主体通过插入到推出盖的推孔中竖直可提升地安装以便通过推孔向上推动由通过推出盖的吸附孔传递的真空所吸附的胶带，以及膜孔，所述膜孔经形成以竖直地穿过提升主体的顶部表面的中心部分；弹性膜，所述弹性膜安装在提升部件的膜孔中，其中所述弹性膜通过经由提升部件的膜孔传送的压力弹性地变形成上凸形状，以便将胶带与半导体芯片一起向上推动；以及拾取头，所述拾取头安置在推出盖上方并且吸附以及提升将由膜向上推动的半导体芯片以便由此分离半导体芯片。
[0010]根据一个或多个示例性实施例，用于分离粘附到薄胶带的半导体芯片的芯片分离方法包含:(a)通过在推出盖的顶部表面中形成的多个吸附孔吸附安置在推出盖上的胶带的底部表面的一部分，所述胶带的所述底部表面的所述部分沿着将与胶带分离的半导体芯片的外周；(b)提升插入到在推出盖的中心部分中形成的推孔中的提升部件以向上推动接触提升部件的胶带的一部分；(C)对安装于在提升部件的中心部分中形成的膜孔中的弹性膜施加压力以使所述膜弹性地变形成上凸形状，以便使围绕半导体芯片的胶带的一部分与半导体芯片分离；(d)通过使安置在推出盖上方的拾取头下降来吸附半导体芯片的顶部表面；以及(e)通过提升已经在(d)中吸附半导体芯片的拾取头来使半导体芯片与胶带分离。
[0011]本发明提供的芯片分离设备和芯片分离方法，可以有效地分离附接到胶带的半导体芯片同时防止对半导体芯片的损害。
【附图说明】
[0012]通过下文结合附图进行的对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得显而易见且更加容易了解，在所述附图中:
[0013]图1是图示粘附到胶带的半导体芯片的平面视图。
[0014]图2是图示根据本发明的示例性实施例的芯片分离设备的平面视图，其中放置有其上粘附有半导体芯片的胶带。
[0015]图3到图7是沿着图2的线I1-1I切割的通过使用图2中所图示的芯片分离设备来分离半导体芯片的方法的截面视图。
_6] 元件符号说明
[0017]10:推出盖
[0018]11:支撑主体
[0019]12:吸附孔
[0020]13:推孔
[0021]20:提升部件
[0022]21:提升主体
[0023]22:膜孔
[0024]30:膜
[0025]40:拾取头
[0026]41:吸附板
[0027]C:半导体芯片
[0028]T:胶带
【具体实施方式】
[0029]现在将参考附图更加完整地描述发明概念，在所述附图中示出了发明概念的示例性实施例。
[0030]图2是图示根据本发明的示例性实施例的芯片分离设备的平面视图，其中放置有其上粘附有半导体芯片C的胶带T。图3是沿着线I1-1I切割的图2中所图示的芯片分离设备的截面视图。
[0031]参考图2到图7，根据本示例性实施例的芯片分离设备包含推出盖10、提升部件20、膜30、以及拾取头40。
[0032]推出盖10包含支撑主体11、吸附孔12、以及推孔13。支撑主体11具有与竖直延伸的四边形导管相似的形状。支撑主体11的顶部表面具有四边形外周。支撑主体11的顶部表面的外周形成为大于将与胶带T分离的半导体芯片C的外周。多个吸附孔12在支撑主体11的顶部表面上形成。推出盖10通过吸附孔12产生真空以便吸附接触吸附孔12的胶带T的底部表面的一部分。参考图2，吸附孔12沿着半导体芯片C的外周布置。吸附孔12可以优选地布置在粘附到胶带T的半导体芯片C之间以吸附胶带T。竖直地穿过支撑主体11的推孔13在支撑主体11的顶部表面的中心部分中形成。因此，吸附孔12沿着推孔13的外周布置。所述推孔13的尺寸可以优选地略小于半导体芯片C的尺寸。
[0033]提升部件20包含提升主体21和膜孔22。提升主体21的上部部分可提升地插入到推出盖10的推孔13中。提升主体21的顶部表面的外周具有适合推孔13的尺寸的四边形形状。提升主体21的顶部表面的外周可以优选地小于半导体芯片C的尺寸。膜孔22在提升主体21的顶部表面的中心部分中形成。膜孔22经形成以竖直地穿过提升主体21的顶部表面的中心部分。膜孔22具有四边形轮廓。
[0034]膜30通过插入到提升部件20的膜孔22中来安装。膜30具有适合膜孔22的内周的形状以便覆盖且封闭膜孔22的顶部表面。膜30由通过气压可弹性变形的弹性薄膜形成。
[0035]拾取头40放置在推出盖10上方。拾取头40包含由多孔陶瓷形成的吸附板41。拾取头40经配置以与吸附板41 一起上下移动。拾取头40将吸附板41引至与半导体芯片C的顶部表面接触以便吸附半导体芯片C，且随后提升在吸附状态中的半导体芯片C以便由此使半导体芯片C与胶带T分离。
[0036]在下文中，将描述通过使用具有上述结构的芯片分离设备来分离半导体芯片C的方法。
[0037]首先，如图2和图3中所图示，在粘附到胶带T的半导体芯片C当中，待分离的一个半导体芯片C被放置在推出盖10和提升部件20的顶部表面上。随后，通过推出盖10的吸附孔12将真空传递到胶带T以将胶带T的底部表面吸附到推出盖10的顶部表面(步骤(a)) ο
[0038]接着，如图4中所图示，放置在推出盖10上方的拾取头40下降，使得拾取头